江蘇帝奧微電子股份有限公司（以下簡稱帝奧微）SIM卡電平轉(zhuǎn)換產(chǎn)品DIO74557憑借其優(yōu)異的性能指標(biāo)，成功通過高通平臺認(rèn)證，進(jìn)入Qualcomm（高通）發(fā)布的中高端平臺參考設(shè)計。

隨著手機平臺的不斷發(fā)展，主芯片的制程已經(jīng)使用4nm甚至3nm工藝，其I/O邏輯電平可低至1.2V。目前SIM卡主要采用1.8V或者3V的邏輯電平接口。為了讓手機主芯片能與SIM卡端邏輯電壓兼容，需要在主芯片和SIM卡之間使用電平轉(zhuǎn)換芯片。為此帝奧微推出SIM卡電平轉(zhuǎn)換芯片DIO74557。

DIO74557主要參數(shù)

SIM卡端工作電壓范圍：1.65V~ 3.6V

主機微控制器端工作電壓范圍：1.08V~1.95V

最高支持時鐘速度：10 MHz

內(nèi)部集成EMI濾波器

端口ESD保護(hù)能力：SIM卡端引腳均滿足IEC61000-4-2接觸放電保護(hù)±8kV和空氣放電保護(hù)±15KV

無需額外的外部電阻，內(nèi)部集成上拉和下拉電阻

符合所有ETSI、IMT-2000 和 ISO-7816-3 SIM/智能卡接口要求

工作溫度范圍：-40℃~85℃

DIO74557應(yīng)用框圖

DIO74557是專為用于連接先進(jìn)制程的主芯片和SIM卡（1.65V~3.6V）而設(shè)計的具有低電壓主機端（1.08 V~1.95 V）芯片。它包含三路電平轉(zhuǎn)換器，將SIM卡的I/O、RST和CLK信號進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換，使得SIM卡（1.8V或3V）能與主芯片（1.2V）進(jìn)行正常通訊。它內(nèi)部集成I/O上拉電阻和ESD保護(hù)，無需外部上拉電阻或者ESD保護(hù)器件，可提供更加小型化的整體解決方案。

DIO74557符合所有ETSI、IMT-2000 標(biāo)準(zhǔn)和 ISO-7816-3 SIM/智能卡接口要求。DIO74557采用QFN1.8*1.4-10封裝，工作溫度范圍為-40℃~85℃。

帝奧微有一系列的電平轉(zhuǎn)換產(chǎn)品，涵蓋SIM卡電平轉(zhuǎn)換以及通用單通道、雙通道、四通道、八通道電平轉(zhuǎn)換。推挽及開漏可選，多種封裝可選。具體參考如下表：

審核編輯：劉清