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上海微技術(shù)研究院標(biāo)準(zhǔn)180nm硅光工藝在八英寸SOI上制備了硅光芯片

MEMS ? 來(lái)源:中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)所 ? 2024-03-18 14:30 ? 次閱讀
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近日,中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所硅基材料與集成器件實(shí)驗(yàn)室蔡艷研究員、歐欣研究員聯(lián)合團(tuán)隊(duì),在通訊波段硅基鈮酸鋰異質(zhì)集成電光調(diào)制器方面取得了重要進(jìn)展。團(tuán)隊(duì)成員利用上海微技術(shù)工業(yè)研究院標(biāo)準(zhǔn)180 nm硅光工藝在八英寸SOI上制備了硅光芯片,然后基于“離子刀”異質(zhì)集成技術(shù),通過(guò)直接鍵合的方式將鈮酸鋰與SOI晶圓實(shí)現(xiàn)異質(zhì)集成,并通過(guò)干法刻蝕技術(shù)實(shí)現(xiàn)了硅光芯片波導(dǎo)與LN電光調(diào)制器的單片式混合集成,制備出通訊波段MZI型硅基鈮酸鋰高速電光調(diào)制器。

得益于優(yōu)良的材料質(zhì)量和器件制備技術(shù),器件在10 Hz至1 MHz頻率范圍內(nèi)的三角波電壓信號(hào)下的調(diào)制效率測(cè)量結(jié)果如圖2(b)所示,結(jié)果顯示在測(cè)量頻率范圍內(nèi)器件保持穩(wěn)定的VpiL值,約2.9 V·cm,與仿真值2.92 V·cm相接近。同時(shí)該結(jié)果展示器件具備較好的低直流漂移特性,證明薄膜鈮酸鋰材料和氧化硅包層的沉積質(zhì)量較好,缺陷較少。調(diào)制器的光眼圖測(cè)試結(jié)果如圖2(c,d)所示,在NRZ調(diào)制信號(hào)下傳輸速率達(dá)到88 Gbit/s, PAM-4調(diào)制信號(hào)下傳輸速率達(dá)到176 Gbit/s。

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圖2(a)八英寸SOI硅光芯片;(b)硅基鈮酸鋰調(diào)制器調(diào)制效率測(cè)試結(jié)果:VπL隨三角波頻率變化情況;(c)眼圖測(cè)試結(jié)果:88 Gbit/s (NRZ信號(hào)), 176 Gbit/s (PAM-4信號(hào))

相關(guān)研究成果以“A Weak DC-Drift Silicon/Lithium Niobate Heterogeneous Integrated Electro-Optical Modulator”為題被國(guó)際光電子領(lǐng)域頂會(huì)2024年美國(guó)CLEO(Conference on Lasers and Electro-Optics)會(huì)議接受為口頭報(bào)告。

硅光技術(shù)以其CMOS兼容、高集成度等突出優(yōu)點(diǎn)而成為備受關(guān)注的新一代片上互連主流技術(shù)。電光調(diào)制器是光通信中的核心器件,硅基電光調(diào)制器在過(guò)去二十年中取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步。然而,由于硅的間接帶隙,以及中心反演對(duì)稱(chēng)性的晶體結(jié)構(gòu),低損耗、高線性度和高調(diào)制速率的集成電光調(diào)制器是目前硅基光電子技術(shù)中重要且亟待解決的部分。混合集成多種材料是硅光子技術(shù)未來(lái)發(fā)展的重要途徑之一。鈮酸鋰(LN)具備極低的光吸收損耗以及高效的線性電光效應(yīng)優(yōu)異,被認(rèn)為是大容量信號(hào)傳輸?shù)母?jìng)爭(zhēng)材料。為打破硅基調(diào)制器的性能限制,利用硅和鈮酸鋰的晶圓級(jí)鍵合技術(shù)實(shí)現(xiàn)兩種材料的異質(zhì)集成,為進(jìn)一步提升硅上電光調(diào)制器性能提供了一個(gè)很好的解決方案,高速、高線性度鈮酸鋰薄膜電光調(diào)制器在未來(lái)ChatGPT AI芯片、數(shù)據(jù)中心、光通信芯片中有重要應(yīng)用。

通過(guò)“萬(wàn)能離子刀”技術(shù),鈮酸鋰薄膜可與硅光芯片實(shí)現(xiàn)大面積低缺陷密度的集成,兩者結(jié)合展現(xiàn)出優(yōu)良的電光調(diào)制性能。如圖3為上海微系統(tǒng)所異質(zhì)集成XOI團(tuán)隊(duì)孵化的上海新硅聚合制備的八英寸硅基鈮酸鋰異質(zhì)晶圓,驗(yàn)證了該工藝路線進(jìn)一步擴(kuò)展至八英寸的可行性,未來(lái)可實(shí)現(xiàn)大規(guī)模的商業(yè)化制備。目前,上海新硅聚合已經(jīng)實(shí)現(xiàn)六英寸光學(xué)級(jí)硅基鈮酸鋰異質(zhì)晶圓的量產(chǎn)和數(shù)千片批量供應(yīng)(占有率超過(guò)80%),目前正在推動(dòng)八英寸晶圓的工程化技術(shù)。




審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:上海微系統(tǒng)所在八英寸SOI/鈮酸鋰異質(zhì)集成技術(shù)方面取得重要進(jìn)展

文章出處:【微信號(hào):MEMSensor,微信公眾號(hào):MEMS】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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