在汽車(chē)電子的許多應(yīng)用中，負(fù)載需要通過(guò)一條較長(zhǎng)的輸出線(xiàn)連接到主板上。如圖1所示，典型應(yīng)用有Class-D，LED，USB充電器等。往往此時(shí)的傳導(dǎo)EMI會(huì)更加嚴(yán)重，這次分享就是針對(duì)這一問(wèn)題來(lái)分析和進(jìn)行改善。

首先我們來(lái)看一下測(cè)試裝置

在測(cè)試這些負(fù)載的傳導(dǎo)EMI時(shí)，輸出線(xiàn)的長(zhǎng)度應(yīng)該保持和實(shí)際應(yīng)用一致。因此，基于汽車(chē)電子CISPR-25測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，測(cè)試裝置如圖2所示：被測(cè)設(shè)備（EUT）距參考地（銅板）5厘米，之間為低介電常數(shù)介質(zhì)（相對(duì)介電常數(shù)小于1.4）；輸出線(xiàn)為1~2米，取決于實(shí)際應(yīng)用情況；LISN接在電源和EUT之間，為噪聲回路提供恒定的阻抗（對(duì)共模來(lái)說(shuō)，這個(gè)阻抗為25Ω）。

圖 2：汽車(chē)電子長(zhǎng)線(xiàn)負(fù)載測(cè)試裝置

圖3對(duì)比了MPS的同一個(gè)車(chē)載Class-D功放（2.2MHz，BTL，24.5W，模擬輸入Class-D功放）在加輸出線(xiàn)和不加輸出線(xiàn)的傳導(dǎo)EMI測(cè)試結(jié)果。從圖中可以看出，在沒(méi)有輸出線(xiàn)的情況下，它的EMI可以滿(mǎn)足CISPR25的要求，但是，在有2m輸出線(xiàn)的情況下，EMI明顯變差，尤其是在30MHz和90MHz左右出現(xiàn)兩個(gè)峰，導(dǎo)致EMI難以達(dá)標(biāo)。

圖 3：汽車(chē)電子長(zhǎng)線(xiàn)與無(wú)輸出線(xiàn)負(fù)載傳導(dǎo)EMI對(duì)比

針對(duì)這一問(wèn)題，我們將先介紹長(zhǎng)線(xiàn)負(fù)載的共模EMI模型，并由此解釋了測(cè)試中的現(xiàn)象，并介紹了降噪方法。

那么下面讓我們以一個(gè)Class-D功放為例，先來(lái)看一下傳導(dǎo)的共模EMI模型。

圖4展示了Class-D的拓?fù)浼捌鋫鲗?dǎo)共模噪聲路徑。共模噪聲由電路中開(kāi)關(guān)頻率的dv/dt節(jié)點(diǎn)和di/dt環(huán)路產(chǎn)生，通過(guò)輸出濾波器到輸出側(cè)，再通過(guò)輸出側(cè)對(duì)地的阻抗到參考地上，最后從LISN流回EUT。由此也可以看出，輸出線(xiàn)對(duì)地的寄生阻抗（ZP）在分析傳導(dǎo)EMI上很重要。除此之外，CSWP為dv/dt節(jié)點(diǎn)對(duì)參考地的寄生電容，也為共模噪聲提供了一條通路。

圖 4：Class-D功放的共模噪聲路徑

根據(jù)我們熟悉的替代定理（Substitution Theorem），在分析EMI問(wèn)題時(shí)，我們可以用電壓源或者電流源對(duì)開(kāi)關(guān)上的電壓或者電流進(jìn)行等效替代。圖5為應(yīng)用了替代原理之后的電路圖。

圖 5：應(yīng)用替代定理分析Class-D功放的共模噪聲

下一步，每個(gè)噪聲源產(chǎn)生的噪聲可以用疊加定理來(lái)進(jìn)行分析，圖6和圖7分別表示電流源以及電壓源的分析，可見(jiàn)，在這個(gè)模型中，電流源并不會(huì)獨(dú)自產(chǎn)生噪聲，但電壓源可以，我們也可以依此得到圖7中初步的共模模型。

圖 6：應(yīng)用疊加定理分析Class-D功放的共模噪聲電流源

圖 7：應(yīng)用疊加定理分析Class-D功放的共模噪聲電壓源

值得一提的是，到現(xiàn)在我們還沒(méi)有考慮近場(chǎng)耦合的問(wèn)題。然而，在實(shí)際中，因?yàn)檩敵鼍€(xiàn)是一個(gè)很大的導(dǎo)體，它和EUT之間的近場(chǎng)耦合往往是不能忽略的。近場(chǎng)耦合分為電場(chǎng)耦合和磁場(chǎng)耦合兩種，下面我們將逐一討論。

電場(chǎng)耦合指的是，電路中某一導(dǎo)體（如開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)SWA，SWB）和另一導(dǎo)體（如輸出線(xiàn)）之間有寄生電容，若該導(dǎo)體為高頻dv/dt節(jié)點(diǎn)，那么會(huì)有噪聲電流流向另一導(dǎo)體，從而產(chǎn)生EMI噪聲，如下圖左圖所示。而磁場(chǎng)耦合指的是，電路中某個(gè)環(huán)路（如開(kāi)關(guān)與輸入電容之間的環(huán)路）和另一環(huán)路（如輸出線(xiàn)和參考地之間的環(huán)路）有互感，如果該環(huán)路為高頻di/dt環(huán)路，則會(huì)在另一環(huán)路上產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)，從而產(chǎn)生EMI噪聲，如下圖右圖所示。

圖 8：電場(chǎng)耦合與磁場(chǎng)耦合

圖 9：考慮電場(chǎng)耦合的EMI模型

另一方面，若考慮磁場(chǎng)耦合，我們會(huì)發(fā)現(xiàn)，圖6中的di/dt環(huán)路是可以產(chǎn)生磁場(chǎng)耦合的，模型可以用圖10加以描述，在解耦之后，我們發(fā)現(xiàn)共模路徑中多了一個(gè)噪聲源，其大小與di/dt的強(qiáng)度，以及輸入環(huán)路和輸出線(xiàn)對(duì)地環(huán)路之間的互感成正比。

圖 10：考慮磁場(chǎng)耦合的EMI模型

在以上的討論之后，讓我們來(lái)揭開(kāi)最后一部分阻抗，即傳輸線(xiàn)對(duì)地阻抗的神秘面紗。

因?yàn)檩敵鼍€(xiàn)很長(zhǎng)，在傳導(dǎo)的高頻頻段，我們需要考慮它的傳輸線(xiàn)效應(yīng)。電力電子工程師朋友們?cè)谌粘９ぷ髦锌赡芎苌贂?huì)用到這部分的內(nèi)容，因此首先介紹一下相關(guān)的概念。

當(dāng)電路尺寸與要考察的頻率對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)相近時(shí)，電路的相關(guān)參數(shù)，如電壓、電流、阻抗等，會(huì)由集中參數(shù)變?yōu)榉植紖?shù)。對(duì)于傳輸線(xiàn)的每一小段，如圖11（a）所示，我們可以考察它的單位電感、電阻、電容以及電導(dǎo)。最終，傳輸線(xiàn)上電流以及電壓的分布可以用式（1）表示：

其中，Z0為傳輸線(xiàn)特征阻抗，γ為傳輸常數(shù)。當(dāng)傳輸線(xiàn)上的損耗（R與G）可以忽略時(shí)，Z0和γ可以用（2）和（3）表示：

由于我們的輸出線(xiàn)有如圖11（b）所示的幾何形狀，這些參數(shù)都可以通過(guò)電磁場(chǎng)理論求出。當(dāng)不考慮損耗時(shí)，我們主要關(guān)心單位電感與電容，它們分別由式（4）和（5）表示。其中，d表示線(xiàn)與參考地的距離，r表示線(xiàn)的半徑，ε為介質(zhì)的介電常數(shù)，μ為介質(zhì)的磁導(dǎo)率。這里因?yàn)槭枪材Ｔ肼?，所以輸出的兩條線(xiàn)近似合并為同一導(dǎo)體考慮。

圖 11：（a）傳輸線(xiàn)模型；（b）輸出線(xiàn)對(duì)地的幾何模型

最后，由于我們的輸出線(xiàn)的末端與參考地之間沒(méi)有連接，可以認(rèn)為是近似開(kāi)路（末端電流為0），我們可以將（2）-（5）代入到（1），得到最終輸出線(xiàn)上的電流與電壓表達(dá)式。因此，可以得到，對(duì)于長(zhǎng)度為l的輸出線(xiàn)，它的阻抗ZOC可以用（6）表示：

通過(guò)（6），根據(jù)三角函數(shù)的性質(zhì)，在l為四分之一波長(zhǎng)的奇數(shù)倍時(shí)（如1/4λ，3/4λ等），這個(gè)阻抗將發(fā)生串聯(lián)諧振，導(dǎo)致EMI傳播路徑上的阻抗大幅減小，因此，我們會(huì)發(fā)現(xiàn)有EMI峰的存在。如果傳輸線(xiàn)長(zhǎng)為2m，那么根據(jù)我們的實(shí)際情況，1/4λ，3/4λ對(duì)應(yīng)的頻率分別在31.6MHz和95.1MHz，這也就解釋了為什么圖3的頻譜上會(huì)出現(xiàn)這兩個(gè)峰。

圖 12：不同長(zhǎng)度傳輸線(xiàn)的對(duì)地阻抗測(cè)量結(jié)果

這個(gè)理論也很容易直接通過(guò)測(cè)量進(jìn)行驗(yàn)證。圖12為不同長(zhǎng)度傳輸線(xiàn)的對(duì)地阻抗測(cè)量結(jié)果，顯然，對(duì)于2m的輸出線(xiàn)，其阻抗謝振峰的位置符合我們之前的計(jì)算結(jié)果，這也解釋了EMI測(cè)量結(jié)果中的諧振峰。另外，輸出線(xiàn)越短，諧振發(fā)生的頻率也越高。

最后，我們可以將1/4λ對(duì)應(yīng)的頻率表示為（7）：

從（7）可以看出，輸出線(xiàn)與參考地的距離，以及線(xiàn)徑，都不會(huì)影響這個(gè)諧振的位置，諧振只與輸出線(xiàn)的長(zhǎng)度有關(guān)。

由此，我們得到了完整的傳導(dǎo)共模EMI模型，下面我們就來(lái)看一下有什么方式來(lái)降低噪聲。

基于噪聲的模型，我們列出了一些通用的降噪方法：

減小高頻噪聲源，如降低開(kāi)關(guān)波形的斜率；

通過(guò)抖頻等方式降低高頻噪聲；

在布線(xiàn)時(shí)，盡可能減小dv/dt節(jié)點(diǎn)以及di/dt環(huán)路的面積；

在回路上加共模濾波器，或者在輸出線(xiàn)上加磁環(huán)；

有條件的話(huà)，可改變輸出線(xiàn)長(zhǎng)避開(kāi)敏感頻段；

加屏蔽罩以解決近場(chǎng)耦合問(wèn)題

其中，后三點(diǎn)是針對(duì)輸出長(zhǎng)線(xiàn)負(fù)載的降噪手段，我們分別來(lái)看一下效果。

首先，是在輸出側(cè)加磁環(huán)（加在靠近板子的一端），圖13對(duì)比了加與不加磁環(huán)時(shí)的輸出線(xiàn)對(duì)地阻抗，可見(jiàn)，在加磁環(huán)之后，對(duì)地阻抗明顯增大，可以避免諧振的影響。圖14則比較了輸出線(xiàn)有無(wú)磁環(huán)時(shí)的傳導(dǎo)EMI?？梢?jiàn)，磁環(huán)有效地抑制了高頻的諧振峰。

圖 13：輸出線(xiàn)加磁環(huán)后的對(duì)地阻抗

圖 14：輸出線(xiàn)有無(wú)磁環(huán)時(shí)的傳導(dǎo)EMI測(cè)試結(jié)果

其次，是通過(guò)改變線(xiàn)長(zhǎng)來(lái)改變諧振峰的位置，如圖12所示，當(dāng)線(xiàn)長(zhǎng)為1.2m時(shí)，3/4λ對(duì)應(yīng)的諧振峰在108MHz以上，已經(jīng)避開(kāi)了FM波段（76MHz - 108MHz）。因此，當(dāng)測(cè)試允許改變線(xiàn)長(zhǎng)的時(shí)候，這也不失為一種降噪手段。圖15比較了線(xiàn)長(zhǎng)為2m和1.2m時(shí)的傳導(dǎo)EMI結(jié)果。顯然，后者的諧振僅有位于53MHz左右的一個(gè)峰。

圖 15：輸出線(xiàn)長(zhǎng)為2m和1.2m時(shí)的傳導(dǎo)EMI測(cè)試結(jié)果

最后，基于第二節(jié)的介紹，我們可以通過(guò)消除輸出線(xiàn)與測(cè)試板之間的近場(chǎng)耦合來(lái)降低EMI。屏蔽罩的材質(zhì)可以為金屬，要包裹電路中的dv/dt節(jié)點(diǎn)與di/dt環(huán)路，且屏蔽罩需要接地（接到靠近噪聲源的地）。

圖16說(shuō)明了接地對(duì)于電場(chǎng)耦合的效果。當(dāng)dv/dt節(jié)點(diǎn)被屏蔽后，原來(lái)直接對(duì)參考地對(duì)輸出線(xiàn)的雜散電容Cswp和CCou變成了其對(duì)屏蔽罩的雜散電容Cswp1和CCou1。當(dāng)屏蔽罩接地的時(shí)候，噪聲電流直接流回噪聲源的地，不會(huì)經(jīng)過(guò)LISN，因此也就沒(méi)有共模噪聲了。（如果不接地的話(huà)，由于屏蔽罩對(duì)于參考地以及輸出線(xiàn)仍有雜散電容，噪聲電流仍然會(huì)流到參考地上，無(wú)法起到降低EMI的效果。）

圖 16：接地屏蔽罩對(duì)于電場(chǎng)耦合的影響

圖17說(shuō)明了接地對(duì)于高頻磁場(chǎng)耦合的效果。當(dāng)di/dt節(jié)點(diǎn)被屏蔽后，在理想情況下（屏蔽罩與di/dt環(huán)路的耦合非常好，高頻時(shí)屏蔽罩的阻抗基本為感性），屏蔽罩可以產(chǎn)生一個(gè)渦流抵消原來(lái)di/dt環(huán)路對(duì)外界的影響。解耦后，如圖17右側(cè)所示，原來(lái)磁場(chǎng)耦合產(chǎn)生的感應(yīng)電壓源可以被屏蔽罩抵消。

圖 17：屏蔽罩對(duì)于高頻磁場(chǎng)耦合的影響

從EMI測(cè)試結(jié)果也可以驗(yàn)證，在加上屏蔽罩之后，如圖18所示，傳導(dǎo)噪聲有明顯的改善，在有2m輸出線(xiàn)的情況下也可以滿(mǎn)足CISPR25-Class5的要求，并有6dB的裕量。

圖 18：有無(wú)接地屏蔽罩的傳導(dǎo)EMI測(cè)試結(jié)果對(duì)比

另外，在這次分享中，我們雖然是以一個(gè)Class-D功放作為例子，但是，文中提到的方法也適用于其他的芯片哦。比如MPS公司產(chǎn)品 ---MPQ7200，它是一個(gè)同步LED驅(qū)動(dòng)，它使用了抖頻，對(duì)稱(chēng)VIN設(shè)計(jì)等一系列手段降低EMI（具體技術(shù)可以參考我們?nèi)ツ甑腅MI話(huà)題分享）。

如圖19所示，當(dāng)沒(méi)有輸出線(xiàn)時(shí)，傳導(dǎo)EMI噪音非常低，但當(dāng)加上2m輸出線(xiàn)時(shí)，它也會(huì)在對(duì)應(yīng)的位置出現(xiàn)兩個(gè)諧振峰。

圖 19：MPQ7200有無(wú)2m輸出線(xiàn)時(shí)的傳導(dǎo)EMI測(cè)試結(jié)果

同理，通過(guò)加屏蔽罩的方式，如圖20所示，我們可以減少它的傳導(dǎo)噪聲，這一效果在高頻尤其明顯。這也說(shuō)明了這次分享中提到的原理和降噪措施對(duì)于各種變換器拓?fù)涠际峭ㄓ玫摹?/p>

圖 20：MPQ7200有無(wú)屏蔽罩時(shí)的傳導(dǎo)EMI測(cè)試結(jié)果。

最后，我們來(lái)進(jìn)行一下總結(jié)，在本次分享中，我們先介紹了高頻共模傳導(dǎo)EMI的建模，并在模型中考慮了電場(chǎng)耦合和磁場(chǎng)耦合的影響；之后，我們通過(guò)傳輸線(xiàn)理論解釋了輸出帶長(zhǎng)線(xiàn)負(fù)載的傳導(dǎo)EMI結(jié)果為什么會(huì)出現(xiàn)諧振峰，并可以準(zhǔn)確預(yù)測(cè)它的位置；最后，我們介紹了一系列的通用的EMI降噪方法并進(jìn)行了對(duì)比。

審核編輯 黃宇