昕感科技發(fā)布一款1200V低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET產(chǎn)品N2M120013PP0
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉：近日，昕感科技發(fā)布一款兼容15V柵壓驅(qū)動(dòng)的1200V低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET產(chǎn)品N2M120013PP0，導(dǎo)通電阻在15V柵壓下低至13mΩ，配合低熱阻TO-247-4L Plus封裝，可以有效提升電流能力，滿足客戶的大功率應(yīng)用需求。
推出兼容15V柵壓驅(qū)動(dòng)的低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET新產(chǎn)品，標(biāo)志著昕感科技在大電流低導(dǎo)通電阻產(chǎn)品和技術(shù)研發(fā)方面取得新的突破，進(jìn)一步加速推動(dòng)新能源領(lǐng)域中功率器件的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。
■N2M120013PP0產(chǎn)品導(dǎo)通特性及阻斷特性
昕感科技1200V/13mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品推薦使用-3/+15V驅(qū)動(dòng)?xùn)艍?/strong>，滿足IGBT應(yīng)用電路中的+15V驅(qū)動(dòng)要求，便于電力電子系統(tǒng)更新?lián)Q代。同時(shí)，降低柵極電壓可以緩解柵極電應(yīng)力，提升器件的可靠性。
■N2M120013PP0產(chǎn)品閾值電壓-溫度曲線
昕感科技通過器件結(jié)構(gòu)的綜合優(yōu)化設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)15V柵壓驅(qū)動(dòng)和高閾值電壓的雙重突破。新產(chǎn)品在25℃室溫下閾值電壓可達(dá)3.3V，在175℃高溫下仍可達(dá)2.4V。高閾值電壓特性能夠有效降低應(yīng)用中的誤開啟概率，避免應(yīng)用端器件和系統(tǒng)失效。
昕感科技已在650V、1200V、1700V等電壓平臺(tái)上完成數(shù)十款SiC器件和模塊產(chǎn)品量產(chǎn)，部分產(chǎn)品已通過AEC-Q101車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證。其中，1200V SiC MOSFET產(chǎn)品具有80mΩ、40mΩ、21mΩ、13mΩ、7mΩ等導(dǎo)通電阻規(guī)格，模塊產(chǎn)品對(duì)標(biāo)EasyPACK、62mm、EconoDUAL等封裝形式。
昕感科技聚焦于第三代半導(dǎo)體SiC功率器件和功率模塊的技術(shù)突破創(chuàng)新和產(chǎn)品研發(fā)生產(chǎn)，致力于成為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先和具有國(guó)際影響力的功率半導(dǎo)體變革引領(lǐng)者。
審核編輯：劉清
-
新能源
+關(guān)注
關(guān)注
27文章
6854瀏覽量
114587 -
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
151文章
10545瀏覽量
234763 -
IGBT
+關(guān)注
關(guān)注
1290文章
4365瀏覽量
264169 -
SiC
+關(guān)注
關(guān)注
32文章
3840瀏覽量
70014 -
閾值電壓
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
99瀏覽量
52777
原文標(biāo)題：昕感科技發(fā)布SiC MOSFET新品
文章出處：【微信號(hào)：第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，微信公眾號(hào)：第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
深入剖析 NTB5D0N15MC：一款高性能 N 溝道屏蔽柵功率 MOSFET
安森美NVCW3SS0D5N03CLA單通道N溝道功率MOSFET深度剖析
深入解析NVD5C486N：一款高性能N通道MOSFET
安森美NVMFWS0D5N04XM MOSFET：高效功率解決方案
Onsemi NVMTS0D7N06C：高性能N溝道功率MOSFET的卓越之選
Onsemi ECH8690功率MOSFET：低導(dǎo)通電阻的理想之選
新品 | CoolSiC? 碳化硅MOSFET M1H EasyDUAL? 1200V
2ED1322S12M/2ED1321S12M：1200V半橋柵極驅(qū)動(dòng)器的卓越之選
關(guān)于0.42mΩ超低導(dǎo)通電阻MOSFET的市場(chǎng)應(yīng)用與挑戰(zhàn)
安森美1200V碳化硅MOSFET：NTH4L013N120M3S的特性與應(yīng)用分析
派恩杰第三代1200V SiC MOSFET產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)
加速落地主驅(qū)逆變器，三安光電1200V 13mΩ SiC MOSFET完成驗(yàn)證
華為海思入局碳化硅！推出1200V工規(guī)級(jí)SiC單管
瞻芯電子第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET量產(chǎn)交付應(yīng)用
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論