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SD NAND 簡介

MK米客方德 ? 2024-05-29 16:34 ? 次閱讀
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SD NAND是一種創(chuàng)新的存儲芯片,可直接貼片,又名貼片式TF卡、貼片式T卡、貼片式SD卡、貼片式內(nèi)存卡、SD Flash、NAND Flash等。它將傳統(tǒng)的TF卡技術(shù)轉(zhuǎn)變?yōu)榭梢灾苯淤N片使用的芯片形式,為電子設(shè)備設(shè)計(jì)帶來了更多的靈活性和便利性。

Flash存儲類型

SD NAND的Flash存儲單元由各種類型的NAND晶圓組成,包括SLC(單級單元)、MLC(多級單元)、TLC(三層單元)、QLC(四層單元)和pSLC(偽單級單元)。其中,pSLC技術(shù)的可靠性介于SLC和MLC之間,性能接近于SLC。

wKgZomZW5vaAYxywAALkCtPrnTk434.pngFlash類型

SD NAND產(chǎn)品優(yōu)勢

小尺寸設(shè)計(jì):SD NAND的物理尺寸有6x8mmm、6.6x8mm和9x12.5mmm三種選擇,極大地縮小了存儲芯片的體積,適用于空間受限的應(yīng)用場景,如智能穿戴設(shè)備、便攜式醫(yī)療設(shè)備和小型工業(yè)控制系統(tǒng)。

wKgaomZW7z2AD5bRAAqNe5j3_yg527.pngSD NAND

寬廣的容量選擇:提供從1Gbit到512Gbit的多種容量選擇,包括1Gbit、2Gbit、4Gbit、8Gbit、32Gbit、64Gbit、128Gbit、256Gbit和512Gbit,滿足各種存儲需求。

高可靠性:SD NAND基于SLC、pSLC、MLC、TLC和QLC技術(shù),尤其是SLC和pSLC技術(shù)在耐用性和數(shù)據(jù)完整性方面表現(xiàn)突出。SD NAND還支持工業(yè)寬溫級,能夠在-40°C到85°C的極端環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行,適用于工業(yè)、車載和醫(yī)療應(yīng)用。

高效糾錯(cuò)和磨損均衡算法SD NAND采用先進(jìn)的BCH和LDPC糾錯(cuò)算法,有效檢測和糾正數(shù)據(jù)傳輸中的錯(cuò)誤,確保數(shù)據(jù)完整性。同時(shí),磨損均衡算法均衡存儲單元的使用頻率,延長芯片壽命。標(biāo)準(zhǔn)SD2.0/3.0接口簡化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)和使用流程。

ECC(錯(cuò)誤校正碼):內(nèi)置ECC功能,自動檢測和糾正數(shù)據(jù)傳輸中的錯(cuò)誤,提高數(shù)據(jù)的可靠性。

高速數(shù)據(jù)傳輸:SD NAND提供比傳統(tǒng)SPI接口更快的數(shù)據(jù)傳輸速度,例如,512Gbit的SD NAND讀速可達(dá)168MB/s,寫速可達(dá)139MB/s。這種高速數(shù)據(jù)傳輸能力顯著提升了系統(tǒng)響應(yīng)速度和性能。

Smart功能:米客方德SD NAND集成了Smart Function功能,動態(tài)監(jiān)測和反饋存儲芯片狀態(tài)信息,包括總寫入數(shù)據(jù)量、壞塊數(shù)、使用壽命、正常/異常掉電次數(shù)等,幫助用戶及時(shí)發(fā)現(xiàn)和修正系統(tǒng)問題,進(jìn)行OTA升級和產(chǎn)品迭代。

SD NAND與其他存儲產(chǎn)品的對比

SD NAND

SPI NAND

Raw NAND

接口

SD/SPI

SPI

并口

ecc

部分有

壞塊管理

——

——

磨損平均

——

——

垃圾回收

——

——

掉電保護(hù)

——

——

封裝

LGA-8/LGA-16

WSON8

TSOP48/BGA63

SD NAND比TF卡更適合嵌入式系統(tǒng),體積小,焊接穩(wěn)定,不易脫落,內(nèi)置壞塊管理和ECC算法,減少CPU負(fù)荷,而TF卡更適用于消費(fèi)電子設(shè)備。與eMMC類似,內(nèi)部完成ECC校驗(yàn)、壞塊管理、磨損平均、掉電保護(hù)、垃圾回收等,能極大的提升開發(fā)效率,加速產(chǎn)品上市時(shí)間。

MK米客方德SD NAND已經(jīng)廣泛應(yīng)用于多個(gè)行業(yè)和平臺,包括ST、TI、NXP、MTK、RK、芯唐和全志等,覆蓋工業(yè)、車載、醫(yī)療、電力、通信和消費(fèi)類電子等領(lǐng)域。其小尺寸、多容量選擇、高可靠性、高速接口和智能功能,使其成為各種電子設(shè)備中的理想存儲選擇。 MK米客方德SD NAND的優(yōu)勢使其在存儲技術(shù)領(lǐng)域占據(jù)了重要地位,為用戶提供了更多選擇和更高效的存儲解決方案。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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