創(chuàng)新的TMR技術以無漂移的耐用性、更長的電池壽命和卓越的感應分辨率全面提升游戲體驗。

專注于隧道磁阻（TMR）技術的磁傳感器領先制造商江蘇多維科技有限公司 (MultiDimension Technology Co., Ltd., 英文簡稱“MDT”，以下簡稱“多維科技”)在德國慕尼黑Electronica 2024和紐倫堡SPS 2024展會上正式推出了開創(chuàng)性的TMR2615和TMR2617系列線性磁場傳感器芯片產(chǎn)品。該系列尖端產(chǎn)品憑借卓越的性能和創(chuàng)新的特點，突破了傳統(tǒng)游戲手柄傳感器的性能局限，為用戶帶來了更加流暢、耐久和高效的游戲體驗。 多維科技TMR2615和TMR2617系列線性磁場傳感器芯片基于自主研發(fā)的TMR技術，結合可編程ASIC，支持面向特定應用場景的定制化參數(shù)設定。這種設計確保了多維科技磁傳感器晶圓產(chǎn)線在大規(guī)模生產(chǎn)中的高一致性和卓越的性能，完美適配于游戲手柄中的搖桿和觸發(fā)按鍵的多樣化需求。

面向消費電子領域的突破性技術

與傳統(tǒng)的碳膜或霍爾效應傳感器相比，多維科技TMR傳感器芯片具有顯著優(yōu)勢：

產(chǎn)品優(yōu)勢

無磨損、無漂移

非接觸式設計確保耐久性和性能的穩(wěn)定性

低功耗設計

功耗低于0.3mA，是霍爾效應傳感器的1/10至1/5，顯著延長了電池的壽命

高精度與快速響應

高信噪比與大動態(tài)范圍帶來更順暢的游戲控制體驗

卓越的溫度穩(wěn)定性

在各種操作環(huán)境下性能表現(xiàn)始終如一

多維科技TMR2615線性磁場傳感器芯片采用緊湊的DFN封裝，并設計了2款尺寸，分別為DFN3L (2 mm × 2 mm × 0.55 mm)和DFN3L (1.6 mm × 1.6 mm × 0.5 mm)。TMR2617線性磁場傳感器芯片可作為霍爾效應傳感器的直接替代方案，與標準SOT23-3封裝兼容，簡化硬件升級。

新品成功上市與積極反饋

自2024年初上市以來，多維科技TMR2615和TMR2617系列線性磁場傳感器芯片迅速贏得市場青睞并實現(xiàn)量產(chǎn)。多家知名制造商已將其廣泛應用于新一代游戲手柄產(chǎn)品中。

多維科技傾力打造的磁傳感器晶圓IDM模式制造平臺，經(jīng)過十多年不斷地累積，高度整合了供應鏈資源，在滿足客戶的批量采購需求的同時，最大程度地保障供應產(chǎn)品的質(zhì)量一致性及穩(wěn)定性。多維科技為滿足客戶多元化的定制需要，將努力提供更多、更好的優(yōu)質(zhì)磁傳感器芯片產(chǎn)品。