在氮化鎵藍光VCSEL發(fā)展方面，1996年Redwing等人成功制作了第一個室溫下光激發(fā)的氮化鎵VCSEL，其元件結構由10μm厚的GaN主動層與30對Al0.12Ga0.88N/Al0.4Ga0.6N構成上下DBR，其反射率大約為84～93%，因此閾值光激發(fā)能量密度高達2.0MW/cm2。其后，Arakawa等人在1998年實現(xiàn)了在低溫77 K下觀察到雷射行為，其3λ光學厚度的共振腔成長于35對Al0.34Ga0.66N/GaN DBR上，而上DBR則為6對的TiO2/SiO2所組成，此即為混合式DBR VCSEL結構，其中上下DBR的反射率分別為97%與98%。而1999年Song等人則使用雷射剝離技術，成功制作了上下DBR皆為10對SiO2/HfO2所組成的氮化鎵VCSEL結構，因此反射率高達99.9%，所對應的共振腔Q值也高達600。同年，Someya等人報導了室溫下混合式DBR氮化鎵藍光VCSEL，在光激發(fā)下雷射波長為399 nm，且雷射光譜半高寬只有0.1 nm。

上述氮化鎵VCSEL發(fā)展主要為2000年之前的結果，在2000年之后的發(fā)展主要集中在研究降低光激發(fā)的閾值能量密度，以及觀察光激發(fā)下的雷射特性。2005年，交通大學Kao等人利用金屬有機化學氣相沉積系統(tǒng)成功制作了室溫下光激發(fā)混合式DBR氮化鎵藍光VCSEL，其雷射結構由25對AlN/GaN下DBR、3λ光學共振腔及8對的Ta2O5/SiO2上DBR所組成，如圖7-3所示。其中共振腔由10對的In0.2Ga0.8N/GaN多重量子井結構所組成，而下DBR則每5對AlN/GaN插入5對的AlN/GaN超晶格結構以釋放應力，其最大反射率分別為97.5%（Ta2O5/SiO2 DBR）與94%（AlN/GaN DBR）。為了進一步觀察雷射特性，他們使用光激發(fā)光源為三倍頻之Nd:YVO4脈沖式雷射，雷射波長為355 nm，圖7-4為雷射激發(fā)能量與VCSEL光輸出強度關系，由圖中可以發(fā)現(xiàn)明顯的光強度非線性轉折點，其對應的閾值激發(fā)能量密度約為53 mJ/cm2。

至于上下DBR皆利用介電質氧化物制作而成的氮化鎵VCSEL，交通大學Chu等人亦在2006年成功制作出此類型的VCSEL，并在室溫光激發(fā)下觀察到雷射的現(xiàn)象。他們先利用金屬有機化學氣相沉積系統(tǒng)成長10對In0.1Ga0.9N/GaN多量子井結構，接著鍍上6對的SiO2/TiO2 DBR于磊晶結構上，其反射率大約99.5%。再配合雷射剝離技術去除藍寶石基板與適當的研磨后，再鍍上8對的SiO2/Ta2O5 DBR，其反射率約為97%，圖7-5為其制作流程示意圖。

圖7-6為室溫下量測雷射激發(fā)能量與VCSEL光輸出強度關系，當雷射激發(fā)功率約為270nJ時可以觀察到雷射現(xiàn)象，其對應的閾值光激發(fā)密度約為21.5 m.J/cm2。此外，由于利用雷射剝離技術時必須保留適當的共振腔厚度以避免量子井遭受高能量雷射的破壞，因此也造成整體的共振腔厚度大約有4μm，這樣的厚度也反應到光激發(fā)光譜上，如圖7-7所示，在達到雷射閾值激發(fā)密度之前，光譜中可以觀察到共振腔中的多重縱向模態(tài)，然而在激發(fā)能量達到雷射之后，只有單一縱向模態(tài)會產生雷射，其波長通常落于主動區(qū)增益頻譜的最大值附近。