SiC SBD-P3D06008E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06008E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 252 - 2 封裝。通過 AEC - Q101認證，具備超快速開關、零反向恢復電流、可高頻運行、正向電壓正溫度系數(shù)、高浪涌電流能力且 100% 經(jīng)過 UIS 測試等特性。符合 RoHS標準，能提升系統(tǒng)效率、減少散熱需求、降低開關損耗，器件并聯(lián)無熱失控風險。
*附件：SiC SBD-P3D06008E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊.pdf
特性
- 通過 AEC-Q101 認證
- 超快速開關
- TO-252-2 封裝
- 零反向恢復電流
- 高頻運行
- 正向電壓具有正溫度系數(shù)
- 高浪涌電流
- 100% 進行 UIS 測試
標準優(yōu)勢
- 提高系統(tǒng)效率
- 降低散熱片需求
- 基本無開關損耗
- 符合 RoHS 標準
- 器件并聯(lián)時無熱失控風險
應用領域
最大額定值
熱特性
封裝外形
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