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全球首臺雙模式鍵合設(shè)備問世,中國半導(dǎo)體封裝再破"卡脖子"難題

Monika觀察 ? 來源:電子發(fā)燒友 ? 作者:莫婷婷 ? 2025-03-14 00:13 ? 次閱讀
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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/莫婷婷)近期,青禾晶元發(fā)布了全球首臺獨(dú)立研發(fā)C2W&W2W雙模式混合鍵合設(shè)備SAB 82CWW系列,可用于存儲器、Micro-LED顯示、CMOS圖像傳感器、光電集成等領(lǐng)域。

官方介紹,該產(chǎn)品采用一體化設(shè)備架構(gòu),將C2W和W2W兩種技術(shù)路線從“非此即彼”變?yōu)椤皡f(xié)同進(jìn)化”。SAB 82CWW系列具備以下特點(diǎn):雙模工藝集成;兼容8寸和12寸晶圓;超強(qiáng)芯片處理能力;兼容不同的對準(zhǔn)方式、創(chuàng)新的鍵合方式,實(shí)現(xiàn)高良率鍵合;高精度、高效率;智能化偏移補(bǔ)償?shù)取?br />

雙模式混合鍵合,解決異質(zhì)集成與大規(guī)模量產(chǎn)兼容難題

在先進(jìn)封裝領(lǐng)域,混合鍵合設(shè)備的主要作用是將芯片或晶圓以極細(xì)的間距直接連接在一起,實(shí)現(xiàn)高性能、低功耗的芯片集成。根據(jù)晶圓的目標(biāo)種類可分為芯片對晶圓(C2W)還是晶圓對晶圓(W2W)兩種技術(shù)路線。這兩種技術(shù)路線各有優(yōu)劣勢,因此也成為企業(yè)的抉擇難點(diǎn)。

C2W技術(shù)路線支持芯片篩選和異構(gòu)集成,具備較高的靈活性。可以使用多種材料創(chuàng)新組合增強(qiáng)功能。但需要將每顆芯片對準(zhǔn)晶圓,雖然能提高成品率,但對準(zhǔn)精度要求高,在一定程度上也會限制生產(chǎn)進(jìn)度。

W2W技術(shù)路線可以一次性對整片晶圓上的眾多小芯片進(jìn)行鍵合操作,鍵合了兩個(gè)相同技術(shù)的晶圓,相對來說操作更加簡單。但鍵合過程中會受到晶圓平整度、鍵合均勻壓力、溫度分布等問題的影響良率,且同樣有對準(zhǔn)精準(zhǔn)度難題。

青禾晶元此次發(fā)布的SAB 82CWW系列支持C2W和W2W雙模式混合鍵合,突破了傳統(tǒng)鍵合技術(shù)的局限,實(shí)現(xiàn)無縫適配研發(fā)與生產(chǎn)需求,解決了異質(zhì)集成與大規(guī)模量產(chǎn)難以兼顧的行業(yè)痛點(diǎn)。

該設(shè)備采用靈活的模塊化設(shè)計(jì),支持芯片到晶圓(C2W)和晶圓到晶圓(W2W)兩種模式的混合鍵合。這種設(shè)計(jì)不僅能夠無縫適配從研發(fā)到生產(chǎn)的各種需求,還提高了設(shè)備利用率。

設(shè)備廠商出招提升對準(zhǔn)精度、鍵合精度指標(biāo)

在對準(zhǔn)精度方面,SAB 82CWW系列提供片間同軸和紅外穿透兩種對準(zhǔn)方式,對準(zhǔn)精度優(yōu)于±300nm(同軸)和±100nm(紅外),應(yīng)對不同尺寸和材質(zhì)的芯片。此外,C2W和W2W鍵合技術(shù)實(shí)現(xiàn)對準(zhǔn)精度±30nm、鍵合精度±100nm的,C2W單鍵合頭UPH最高可達(dá)1000片/小時(shí)。通過創(chuàng)新鍵合技術(shù),青禾晶元的鍵合設(shè)備能夠滿足Micro-LED對亞微米級對準(zhǔn)精度和高可靠性的需求。

當(dāng)前國產(chǎn)主要的鍵合設(shè)備廠商包括拓荊科技、華卓精科、芯源微、芯??萍?、上海微電子等。隨著封裝技術(shù)的升級,對準(zhǔn)精準(zhǔn)度≤50 nm已經(jīng)成為鍵合設(shè)備的關(guān)鍵性能,上述設(shè)備廠商都在通過技術(shù)開發(fā)提高對準(zhǔn)精準(zhǔn)度。

要想實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵的對準(zhǔn)精度和鍵合精度,那必須實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵點(diǎn)mark位置精確提取。華卓精科張豹在公開演講中提到了幾大關(guān)鍵技術(shù),一是利用高精度亞像素圖像識別技術(shù),通過圖片精確識別出子母mark的輪廓,以及中心點(diǎn),用來作為它在坐標(biāo)系中的一個(gè)原點(diǎn),實(shí)現(xiàn)幾十納米的識別精度。

其次是原位同軸校準(zhǔn)技術(shù),用來減少對準(zhǔn)單元視覺系統(tǒng)在拍照過程中的運(yùn)動(dòng),以減少運(yùn)動(dòng)帶給上下相機(jī)位置的納米級別的變化,從而提高對準(zhǔn)精度,縮短對準(zhǔn)時(shí)間。

晶圓鍵合設(shè)備的關(guān)鍵技術(shù)還有BCD開發(fā),主要是利用卡盤材料的彈性變形來補(bǔ)償晶圓的微觀塑性變形造成的精度損失,減少晶圓翹曲對精度的影響。材料通常使用的是陶瓷類材料。“一般來說這個(gè)產(chǎn)品是準(zhǔn)消耗品,國外產(chǎn)品的成本約是100萬/個(gè),我們現(xiàn)在開發(fā)的產(chǎn)品在尺寸上和性能上能夠做到對標(biāo),且價(jià)格是競品的一半左右?!睆埍硎?。

此外,在做完鍵合后,需要在設(shè)備上在線監(jiān)測精度是否達(dá)標(biāo)。華卓精科的圖像識別系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)識別精度36納米到23納米左右的量級。

通過技術(shù)的應(yīng)用和發(fā)展,鍵合設(shè)備廠商能夠不斷提升其產(chǎn)品的對準(zhǔn)精準(zhǔn)度,滿足市場對高性能半導(dǎo)體產(chǎn)品日益增長的需求。

小結(jié):

華卓精科招股書顯示,如果要實(shí)現(xiàn)1萬片晶圓/月的產(chǎn)能,要用4-5臺晶圓級鍵合設(shè)備。隨著需求的增加,鍵合設(shè)備的需求將不斷提升。與此同時(shí),為了滿足先進(jìn)封裝技術(shù)的需求,鍵合設(shè)備也將持續(xù)迭代。

青禾晶元發(fā)布全球首臺雙模式混合鍵合設(shè)備SAB 82CWW系列,突破了傳統(tǒng)技術(shù)局限,解決異質(zhì)集成與大規(guī)模量產(chǎn)兼容難題,采用一體化架構(gòu)及靈活模塊化設(shè)計(jì),具備多種優(yōu)勢。同時(shí),青禾晶元與國內(nèi)設(shè)備廠商都在通過多種關(guān)鍵技術(shù)提升對準(zhǔn)和鍵合精度,以滿足市場對高性能半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求,且在成本上具有優(yōu)勢??梢云诖氖牵瑖a(chǎn)鍵合設(shè)備將不斷發(fā)展迭代。



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