早在2017年，國(guó)內(nèi)公司進(jìn)軍內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的消息便一直甚囂塵上，其中的代表便是紫光公司，擁有國(guó)家政策與資金的扶持之下，終于做出了重要的突破。在今年上半年，憑借英飛凌、奇夢(mèng)達(dá)的基礎(chǔ)在DDR3內(nèi)存上取得了突破，下半年更會(huì)推出主流的DDR4內(nèi)存芯片。似乎中國(guó)已經(jīng)要趕上國(guó)外主流水準(zhǔn)，但是業(yè)內(nèi)卻傳出DDR內(nèi)存已經(jīng)過(guò)時(shí)，新的內(nèi)存即將取代，這無(wú)疑給國(guó)內(nèi)的DDR內(nèi)存制造廠商當(dāng)頭一棒。

DDR內(nèi)存全稱是DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM，雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)。最早是由三星提出，由日本電氣、三菱、富士通、東芝、日立、德州儀器、三星及現(xiàn)代等八家公司協(xié)議訂立的內(nèi)存規(guī)格，并得到了AMD、VIA與SiS等主要芯片組廠商的支持。如今已經(jīng)成為21世紀(jì)主流的內(nèi)存規(guī)范。

目前世界上主要有3位DRAM領(lǐng)域的大佬，三星、SK海力士以及鎂光，這三家占據(jù)了市場(chǎng)上95%的份額，國(guó)內(nèi)的廠商也是希望能夠打破這種局面，讓自己的產(chǎn)品在世界上占有一席之地。

目前來(lái)說(shuō)，市面上主流的內(nèi)存依然是DDR4，并且DDR5已經(jīng)蓄勢(shì)待發(fā)，即將進(jìn)入市場(chǎng)，但即使是這樣，DDR內(nèi)存帶寬的提升速度依然跟不上時(shí)代的腳步，因此有業(yè)界人士提出DDR內(nèi)存即將淘汰的看法。

HBM的崛起

取代者為帶寬更高的HBM內(nèi)存，2020年就會(huì)上市HBM 3內(nèi)存，2024年則有望生產(chǎn)出HBM 4內(nèi)存，屆時(shí)帶寬可達(dá)8TB/s，單插槽容量可達(dá)512GB。

對(duì)于DDR內(nèi)存，可能大家都還有所了解，但是對(duì)于HBM內(nèi)存，也只有那些熱衷于DIY組裝的玩家才會(huì)知曉。目前市面上只有HBM 2內(nèi)存，核心容量可達(dá)8Gb，通過(guò)TSV技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)每個(gè)CPU支持64GB HBM2內(nèi)存，每路插槽的帶寬可達(dá)2TB/s，而到了HBM 4時(shí)代，每個(gè)CPU支持的容量可達(dá)512GB，帶寬超過(guò)8TB/s。

相比目前AMD的RPYC處理器，其支持8通道DDR4內(nèi)存，最高容量能達(dá)到2TB，但是帶寬只有150GB/s，與HBM內(nèi)存相比還有所差距。

AMD在2015年發(fā)布的Fury系列顯卡上，首次商用了第一代HBM技術(shù)，超高的帶寬以及極低的占用面積徹底改變了當(dāng)時(shí)的顯卡設(shè)計(jì)，隨后NVIDIA也在Tesla P100上采用了HBM 2 技術(shù)。

總體來(lái)說(shuō)，相比于DDR內(nèi)存，HBM內(nèi)存的帶寬優(yōu)勢(shì)更為明顯，在一些需要高帶寬的場(chǎng)合中，HBM無(wú)疑是更好的選擇，比如HPC高性能計(jì)算機(jī)行業(yè)就非常需要HBM支持。

兩種內(nèi)存將長(zhǎng)期共存

但目前而言，HBM在短時(shí)間內(nèi)還無(wú)法大面積進(jìn)入市場(chǎng)當(dāng)中，其中有兩個(gè)重要原因，一個(gè)是目前在桌面端主流的內(nèi)存依然還是DDR，即便由于HBM在帶寬上更具優(yōu)勢(shì)，但是由于DDR內(nèi)存在容量上的極大優(yōu)勢(shì)，在短時(shí)間內(nèi)還無(wú)法取代;另一個(gè)則是成本問(wèn)題了，這也是最主要的原因，成本的居高不下，讓HBM內(nèi)存還無(wú)法快速融入市場(chǎng)。

如同機(jī)械硬盤(pán)與固態(tài)硬盤(pán)一樣，雖然固態(tài)硬盤(pán)不論在讀寫(xiě)速度還是啟動(dòng)速度等，都遠(yuǎn)勝于機(jī)械硬盤(pán)，但是容量以及價(jià)格，便制約了其發(fā)展。現(xiàn)如今，幾乎大多數(shù)電腦都還有機(jī)械硬盤(pán)的存在，固態(tài)硬盤(pán)在無(wú)法在短時(shí)間取而代之，換而言之，DDR內(nèi)存與HBM內(nèi)存之間的關(guān)系也是如此。

并且如今掌握HBM技術(shù)的廠家相對(duì)更少，比較知名的只有三星與SK海力士，鎂光由于HMC技術(shù)，因此對(duì)于HBM技術(shù)并不熱衷，因此在可以預(yù)見(jiàn)的未來(lái)，HBM降低成本的過(guò)程將是非常緩慢的。

再一個(gè)，全球價(jià)值720億美元的DRAM市場(chǎng)上，僅三星一家就占有了46%的市場(chǎng)份額，SK海力士大約在29%，鎂光在收購(gòu)為其代工內(nèi)存芯片的華亞科之后，市場(chǎng)份額也在21%，兩家韓國(guó)公司控制了全球75%的內(nèi)存市場(chǎng)份額，這種高壟斷的形式，也讓國(guó)內(nèi)的相關(guān)行業(yè)非常難受，處處受制。

但是反過(guò)來(lái)說(shuō)，在這樣高壟斷的情況下，尤其是自己還掌握這HBM技術(shù)之下，更不會(huì)主動(dòng)去砸自己的飯碗，更何況DDR內(nèi)存的市場(chǎng)依然廣大，利潤(rùn)也更高，除非是鎂光主動(dòng)發(fā)力，要不然三星與海力士肯定是要賺足DDR的利潤(rùn)之后，才會(huì)考慮推廣HBM。

艱難起步的國(guó)產(chǎn)內(nèi)存

而中國(guó)在DRAM領(lǐng)域中卻沒(méi)有絲毫的存在感，眼看著如此大的市場(chǎng)卻被這些巨頭瓜分，但是自己卻無(wú)能為力。好在紫光公司已經(jīng)在這個(gè)領(lǐng)域中入門(mén)，下半年將會(huì)繼續(xù)推出DDR4內(nèi)存。但值得注意的是，雖然紫光已經(jīng)正式推出了自己的內(nèi)存，但是在價(jià)格上卻與國(guó)外的內(nèi)存相差無(wú)幾。

這里面，除了紫光量產(chǎn)的DDR3內(nèi)存太少，無(wú)法左右市場(chǎng)價(jià)格之外，還有一個(gè)原因便是其主要技術(shù)都是來(lái)自于奇夢(mèng)達(dá)，而這家公司的技術(shù)已是十多年前的了，導(dǎo)致在DRAM制作工藝上落后，良品率極低，最后不得不在價(jià)格上進(jìn)行妥協(xié)。

并且在晶圓上，大陸企業(yè)相較于國(guó)外也落后許多，可以這么說(shuō)，在這條道路上，我國(guó)的企業(yè)基本都是從零開(kāi)始。不同于其它行業(yè)，可以依靠人力以及資金來(lái)解決問(wèn)題，在這些領(lǐng)域中，唯有技術(shù)才是解決一切的關(guān)鍵。

而我們恰恰缺少的就是相關(guān)的技術(shù)，并且由于頭部公司在相關(guān)技術(shù)人員的把控上異常嚴(yán)格，在引進(jìn)相關(guān)技術(shù)人才時(shí)，會(huì)導(dǎo)致許多的法律問(wèn)題。前不久就有報(bào)道稱美光公司去年底選擇在美國(guó)加州提起訴訟，指控***聯(lián)電及大陸的福建晉華侵犯他們的DRAM專利權(quán)，竊取商業(yè)機(jī)密，這就是國(guó)內(nèi)公司從***華亞科等公司搶人才所帶來(lái)的不利后果之一。

小結(jié)

總的來(lái)說(shuō)，目前國(guó)內(nèi)相關(guān)企業(yè)依然還有很長(zhǎng)的一段路要走，不但要打破國(guó)外的技術(shù)壟斷，還要自己進(jìn)行創(chuàng)新，紫光雖然已經(jīng)能夠進(jìn)行DDR3內(nèi)存的量產(chǎn)，并且DDR4在下半年也有望推出，但是采用的依然是別人的技術(shù)，這樣也只能沿著別人的老路走，即使追上去，也智能跟在別人的后面。

擁有自己的創(chuàng)新技術(shù)，是企業(yè)在該行業(yè)中生存的制勝法寶，雖然在短期內(nèi)HBM技術(shù)暫時(shí)不會(huì)取代DDR技術(shù)，但是長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看，國(guó)內(nèi)的企業(yè)也可以在這方面進(jìn)行探討，這樣才可能實(shí)現(xiàn)彎道超車。