全新64層第二代3D NAND存儲產(chǎn)品，這三種產(chǎn)品均支持高速通用閃存存儲(UFS) 2.1標準。全新美光移動3D NAND產(chǎn)品提供256GB、128GB和64GB三種容量選擇。

該全新移動解決方案基于美光業(yè)界領先的三級單元(TLC) 3D NAND技術(shù)，可幫助智能手機制造商通過人工智能(AI)、虛擬現(xiàn)實和面部識別等新一代移動功能來增強用戶體驗。AI在旗艦級手機中的出現(xiàn)推動了對能更快速高效地訪問數(shù)據(jù)的更先進的存儲解決方案的需求。分析機構(gòu)Gartner預測，到2022年，80%的智能手機將具有AI功能，這會增加在本地處理和存儲更多數(shù)據(jù)的需求。1

此外，由于智能手機已然成為攝影和多媒體共享的首選設備，存儲容量需求將繼續(xù)顯著增加，目前旗艦級手機的容量最高為256GB，預計到2021年容量將增長到1TB。全新美光64層TLC 3D NAND存儲解決方案利用針對移動設備進行了優(yōu)化的架構(gòu)滿足了這些需求，在更小的空間內(nèi)提供更多容量的同時，提供一致的高性能和低延遲。

“我們都希望智能手機提供大膽的新功能，而存儲對此起到了日益關(guān)鍵的作用?！泵拦饪萍家苿赢a(chǎn)品事業(yè)部市場副總裁Gino Skulick表示，“美光科技獨家提供移動DRAM和3D NAND，并且我們的尖端設計將繼續(xù)實現(xiàn)最先進的智能手機所需要的性能。”

64層TLC 3D NAND：助力移動領域的未來發(fā)展

該移動3D NAND產(chǎn)品將更多的存儲單元集中到更小的芯片區(qū)域內(nèi)，并利用美光陣列下的CMOS (CuA)設計，提供一流的芯片區(qū)域。美光獨有的方法將所有閃存層置于邏輯陣列之上，最大限度地利用智能手機設計中的空間。

美光第二代TLC3D NAND移動技術(shù)具有多項競爭優(yōu)勢，包括以下新功能：

• 美光針對移動設備進行了優(yōu)化的架構(gòu)提供一致的高性能和低延遲，能夠增強用戶體驗，同時通過使用高效的峰值功率管理系統(tǒng)將功耗降至最低。

• 全新美光64層TLC 3D NAND產(chǎn)品比上一代TLC 3D NAND快50%。

• 美光64層3D NAND技術(shù)比上一代TLC 3D NAND的存儲密度高一倍，封裝尺卻未變。

• UFS 2.1 G3-2L接口規(guī)范為移動應用提供極具吸引力的性能，并且?guī)挶萫.MMC 5.1高出多達200%，同時還提供同步讀寫功能。這為提供在捕獲高分辨率照片的突發(fā)數(shù)據(jù)或?qū)?K視頻記錄到存儲時所需的數(shù)據(jù)訪問速度奠定了基礎。

• 該新產(chǎn)品基于32GB芯片，尺寸為59.341mm2——是業(yè)界市場上最小的32GB TLC 3D NAND芯片。2

1Gartner市場見解：支持AI的智能手機產(chǎn)生新商機的10個使用案例。（gartner.com/newsroom/id/3842564）

2資料來源：美光科技。基于美光B16A 32GB TLC 3D NAND芯片的內(nèi)部測量結(jié)果與具有競爭力的32GB TLC 3D NAND芯片的對比。