基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia（安世半導體）近日宣布推出一系列高效耐用的車規(guī)級碳化硅(SiC) MOSFET，其RDS(on)值分別為30、40和60 mΩ。這些器件(NSF030120D7A0-Q/NSF040120D7A1-Q/NSF060120D7A0-Q)擁有行業(yè)領先的品質因數(FoM)，此前已推出工業(yè)級版本，現正式獲得AEC-Q101認證。這使該系列器件適用于諸多汽車應用場景，例如電動汽車(EV)的車載充電器(OBC)、牽引逆變器，以及DC-DC轉換器、暖通空調系統(HVAC)等。這些器件采用愈發(fā)流行的D2PAK-7表面貼裝封裝，相比通孔器件，更適合自動化裝配操作。

RDS(on)會影響導通損耗，是SiC MOSFET的關鍵性能參數。然而，單純關注標稱值，容易忽視一個問題：隨著器件工作溫度上升，標稱值可能會增加100%以上，從而導致相當大的導通損耗。與通孔技術相比，采用SMD封裝技術時，溫度穩(wěn)定性顯得尤為重要，因為器件需通過PCB散熱。Nexperia認識到這是制約當前眾多SiC器件性能的關鍵因素，憑借創(chuàng)新工藝技術，確保新型SiC MOSFET具備行業(yè)領先的溫度穩(wěn)定性，在25℃至175℃的工作溫度區(qū)間內，RDS(on)標稱值僅增加38%。這一特性讓客戶能夠在其應用中實現更高的輸出功率，與其他供應商的產品相比，即便使用Nexperia標稱值更高的25℃ RDS(on)產品，也無需犧牲性能。

Nexperia高級副總裁兼寬禁帶、IGBT和模塊(WIM)業(yè)務部門總經理Edoardo Merli表示：

與其他供應商RDS(on)額定值相近的器件相比，Nexperia的SiC MOSFET能夠輸出更高的功率，在半導體層面為客戶帶來顯著的成本優(yōu)勢。此外，寬松的散熱要求、更緊湊的無源元件以及更高的能效，賦予客戶更大的設計自由度，降低了總成本。我們尤為欣喜的是，這些產品現已過車規(guī)級標準AEC-Q101認證滿足汽車市場要求，其出色的性能與高效優(yōu)勢將為下一代汽車設計帶來實質性變革。

Nexperia計劃于2025年推出17 mΩ和80 mΩ RDS(on)的車規(guī)級SiC MOSFET。

Nexperia (安世半導體)

Nexperia（安世半導體）總部位于荷蘭，是一家在歐洲擁有豐富悠久發(fā)展歷史的全球性半導體公司，目前在歐洲、亞洲和美國共有12,500多名員工。作為基礎半導體器件開發(fā)和生產的領跑者，Nexperia（安世半導體）的器件被廣泛應用于汽車、工業(yè)、移動和消費等多個應用領域，幾乎為世界上所有電子設計的基本功能提供支持。

Nexperia（安世半導體）為全球客戶提供服務，每年的產品出貨量超過1,000億件。這些產品在效率（如工藝、尺寸、功率及性能）方面成為行業(yè)基準，獲得廣泛認可。Nexperia（安世半導體）擁有豐富的IP產品組合和持續(xù)擴充的產品范圍，并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001標準認證，充分體現了公司對于創(chuàng)新、高效、可持續(xù)發(fā)展和滿足行業(yè)嚴苛要求的堅定承諾。