這 TPS50601-SP 是一款抗輻射、6.3V、6A 同步降壓轉(zhuǎn)換器，其 通過高效率并集成高側(cè)和低側(cè)，針對(duì)小型設(shè)計(jì)進(jìn)行優(yōu)化 MOSFET 的通過電流模式控制進(jìn)一步節(jié)省空間，從而減少元件 計(jì)數(shù)和高開關(guān)頻率，從而減少了電感器的占用空間。提供 采用熱增強(qiáng)型 20 引腳陶瓷雙列直插式扁平封裝。

輸出電壓?jiǎn)?dòng)斜坡由 SS/TR 引腳控制，允許以 要么是獨(dú)立電源，要么是在跟蹤情況下。電源排序也可以通過以下方式實(shí)現(xiàn) 正確配置 Enable 和 Open Drain Power Good 引腳。
*附件：tps50601-sp.pdf

高側(cè) FET 上的逐周期電流限制可在過載時(shí)保護(hù)器件 情況，并通過防止電流失控的低側(cè)拉電流限制得到增強(qiáng)。 還有一個(gè)低側(cè)灌電流限制，可關(guān)閉低側(cè) MOSFET，以防止 反向電流過大。當(dāng)芯片溫度超過熱溫度時(shí)，熱關(guān)斷功能會(huì)禁用該器件 關(guān)機(jī)溫度。

特性

• 5962R10221：
  • 抗輻射保證 （RHA） 高達(dá) TID 100 krad （Si）
  • 無 ELDRS 100 克拉德 （Si） – 10 mRAD（Si）/秒
  • 單粒子閂鎖 （SEL） 抗LET = 85 MeV-cm ^2^ /mg（見輻射報(bào)告，http://www.ti.com/radiation）
  • SEB 和 SEGR 對(duì) 85 MeV-cm 的免疫力 ^2^ /mg，可用的 SOA 曲線（參見輻射報(bào)告）
  • 提供 SET/SEFI 橫截面圖（見輻射報(bào)告）
• 峰值效率：95% （V O = 3.3 V）
• 集成 55mΩ/50mΩ MOSFET
• 分離電源軌：1.6 至 6.3 V（PVIN）
• 電源軌：VIN 上為 3 至 6.3 V
• 6A 最大輸出電流
• 靈活的開關(guān)頻率選項(xiàng)：
  • 100kHz 至 1MHz 可調(diào)內(nèi)部振蕩器
  • 外部同步能力：100 kHz 至 1 MHz
  • 同步引腳可配置為 500kHz 輸出，用于主/從應(yīng)用
• 25°C 時(shí)為 0.795V ±1.258% 電壓基準(zhǔn)
• 單調(diào)啟動(dòng)至預(yù)偏置輸出
• 通過外部電容器實(shí)現(xiàn)可調(diào)軟啟動(dòng)
• 用于電源排序的輸入使能和電源就緒輸出
• 用于欠壓和過壓的電源良好輸出監(jiān)視器
• 可調(diào)輸入欠壓鎖定 （UVLO）
• 20 引腳熱增強(qiáng)型陶瓷扁平封裝 （HKH）

參數(shù)

方框圖

1. 產(chǎn)品概述

TPS50601-SP是一款輻射硬化型同步降壓轉(zhuǎn)換器，專為空間衛(wèi)星的點(diǎn)負(fù)載供電設(shè)計(jì)，適用于FPGA、微控制器和ASIC等應(yīng)用。該轉(zhuǎn)換器具有高達(dá)6A的最大輸出電流，輸入電壓范圍為1.6V至6.3V，并能在惡劣的輻射環(huán)境中穩(wěn)定工作。

2. 主要特性

• ?輻射硬化?：TID 100krad (Si)，ELDRS Free，SEU、SEB和SEGR免疫。
• ?寬輸入電壓范圍?：1.6V至6.3V（PVIN），3V至6.3V（VIN）。
• ?高效率?：峰值效率可達(dá)95%（VOUT = 3.3V）。
• ?高輸出電流?：最大6A輸出電流。
• ?靈活的開關(guān)頻率?：100kHz至1MHz可調(diào)，支持外部同步。
• ?集成MOSFET?：集成55mΩ/50mΩ MOSFET，優(yōu)化小尺寸設(shè)計(jì)。
• ?保護(hù)功能?：過流保護(hù)、過壓保護(hù)、欠壓鎖定、熱關(guān)斷。

3. 應(yīng)用領(lǐng)域

• 空間衛(wèi)星點(diǎn)負(fù)載供電
• 輻射耐受應(yīng)用
• 工程評(píng)估樣品

4. 功能描述

• ?啟動(dòng)與軟啟動(dòng)?：支持單調(diào)啟動(dòng)至預(yù)偏置輸出，可通過外部電容實(shí)現(xiàn)可調(diào)軟啟動(dòng)。
• ?電流限制?：具有周期電流限制功能，防止過載情況。
• ?電壓監(jiān)控?：PWRGD引腳監(jiān)控輸出電壓，提供過壓和欠壓指示。
• ?熱關(guān)斷?：內(nèi)置熱關(guān)斷電路，防止過熱損壞。

5. 電氣特性

• ?工作結(jié)溫范圍?：-55°C至125°C。
• ?電壓參考?：0.795V ±1.258%（25°C）。
• ?MOSFET導(dǎo)通電阻?：高側(cè)55mΩ（BOOT-PH = 2.2V），低側(cè)50mΩ（VIN = 6.3V）。
• ?熱關(guān)斷溫度?：175°C（典型值）。

6. 設(shè)計(jì)指南

• ?輸出電感選擇?：根據(jù)負(fù)載電流和紋波要求選擇合適的電感值。
• ?輸出電容選擇?：考慮負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)和輸出電壓紋波，選擇合適的電容值和ESR。
• ?輸入電容?：建議在PVIN和VIN引腳旁使用至少4.7μF的陶瓷電容。
• ?軟啟動(dòng)電容?：根據(jù)所需的軟啟動(dòng)時(shí)間選擇合適的電容值。

7. 布局建議

• ?旁路電容?：PVIN和VIN引腳應(yīng)使用低ESR陶瓷電容旁路至地。
• ?電感與電容?：輸出電感應(yīng)靠近PH引腳，輸出電容應(yīng)靠近SW_IN引腳。
• ?熱管理?：確保足夠的散熱面積，以保持良好的熱性能。

8. 封裝與尺寸

• ?封裝類型?：20引腳陶瓷扁平封裝（CFP）。
• ?尺寸?：7.38mm x 12.70mm。