Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation(“Toshiba”)推出三款650V碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)，搭載最新[1]第三代SiC MOSFET芯片，并采用表面貼裝TOLL封裝。這些新器件適用于工業(yè)設(shè)備，如開關(guān)式電源和用于光伏發(fā)電機(jī)的功率調(diào)節(jié)器?！癟W027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”這三款MOSFET即日起開始批量出貨。

新產(chǎn)品是Toshiba第三代SiC MOSFET中采用通用表面貼裝TOLL封裝的型號，與TO-247和TO-247-4L(X)等通孔封裝相比，器件體積減少80%以上，設(shè)備功率密度也得以改善。

TOLL封裝還具有比通孔封裝更低的寄生阻抗[2]，有助于降低開關(guān)損耗。作為四端子[3]封裝，可將開爾文連接用作柵極驅(qū)動的信號源端子。這可以減少封裝內(nèi)的源極引線電感的影響，實現(xiàn)高速開關(guān)性能；以TW048U65C為例，其開通損耗和關(guān)斷損耗分別比現(xiàn)有Toshiba產(chǎn)品[5]降低約55%和25%[4]，有助于降低設(shè)備功率損耗。

Toshiba將繼續(xù)擴(kuò)展產(chǎn)品陣容，為提升設(shè)備效率和增加功率容量做出貢獻(xiàn)。

注：
[1] 截至2025年8月。
[2] 電阻、電感等。
[3] 具有靠近FET芯片連接的信號源端子的產(chǎn)品。
[4] 截至2025年8月，Toshiba測量值。詳情請參見Toshiba網(wǎng)站發(fā)布版本中的圖1。
[5] 采用無開爾文連接TO-247封裝的具有同等電壓和導(dǎo)通電阻的650V第三代SiC MOSFET。

應(yīng)用領(lǐng)域

服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、通信設(shè)備等的開關(guān)式電源

電動汽車充電站

光伏逆變器

不間斷電源

產(chǎn)品特點

表面貼裝TOLL封裝：支持設(shè)備小型化與自動化組裝。開關(guān)損耗低。

Toshiba第三代SiC MOSFET：
- 優(yōu)化漂移電阻與溝道電阻比，實現(xiàn)漏源導(dǎo)通電阻良好的溫度依賴性。
- 低漏源導(dǎo)通電阻×柵漏電荷積
- 低二極管正向電壓：VDSF=-1.35V（典型值）(VGS=-5V)

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