電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 12英寸碳化硅再迎來(lái)跨越式進(jìn)展!9月26日,晶盛機(jī)電宣布,首條12英寸碳化硅襯底加工中試線(xiàn)在晶盛機(jī)電子公司浙江晶瑞SuperSiC正式通線(xiàn),至此,浙江晶瑞SuperSiC真正實(shí)現(xiàn)了從晶體生長(zhǎng)、加工到檢測(cè)環(huán)節(jié)的全線(xiàn)設(shè)備自主研發(fā),100%國(guó)產(chǎn)化,標(biāo)志著晶盛在全球SiC襯底技術(shù)從并跑向領(lǐng)跑邁進(jìn),邁入高效智造新階段。
浙江晶瑞SuperSiC此次貫通的中試線(xiàn),覆蓋了晶體加工,切割,減薄,倒角,研磨,拋光,清洗,檢測(cè)的全流程工藝,所有環(huán)節(jié)均采用國(guó)產(chǎn)設(shè)備與自主技術(shù),高精密減薄機(jī)、倒角機(jī)、雙面精密研磨機(jī)等核心加工設(shè)備更是由公司歷時(shí)多年自研攻關(guān)完成,性能指標(biāo)達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。自此,晶盛機(jī)電正式形成了12英寸SiC襯底從裝備到材料的完整閉環(huán),徹底解決了關(guān)鍵裝備“卡脖子”風(fēng)險(xiǎn),為下游產(chǎn)業(yè)提供了成本與效率的新基準(zhǔn)。
中試線(xiàn)是連接實(shí)驗(yàn)室小試與工廠量產(chǎn)的核心過(guò)渡環(huán)節(jié),本質(zhì)是模擬量產(chǎn)條件的小型化生產(chǎn)線(xiàn)。其核心目標(biāo)是驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)室研發(fā)的技術(shù)、工藝或產(chǎn)品能否穩(wěn)定、高效、低成本地放大到工業(yè)級(jí)生產(chǎn),同時(shí)解決從“實(shí)驗(yàn)室樣品”到“市場(chǎng)商品”的關(guān)鍵技術(shù)、設(shè)備、質(zhì)量和成本問(wèn)題。
碳化硅過(guò)去的主力市場(chǎng)是功率器件,但功率器件市場(chǎng)需求增速存在瓶頸,從6英寸到8英寸的進(jìn)程花費(fèi)時(shí)間較長(zhǎng),除了技術(shù)原因之外,市場(chǎng)需求也是其中的關(guān)鍵。
而12英寸碳化硅在近期產(chǎn)業(yè)內(nèi)迎來(lái)兩大新需求:AI眼鏡市場(chǎng)爆發(fā),推動(dòng)碳化硅AR光波導(dǎo)鏡片量產(chǎn)節(jié)奏;為了進(jìn)一步提高散熱效率,英偉達(dá)決定在下一代Rubin GPU中,將用碳化硅中介層替代第一代Rubin GPU上采用的硅中介層,并最晚在2027年廣泛應(yīng)用。
6英寸碳化硅襯底只能滿(mǎn)足兩副AR眼鏡的生產(chǎn),8英寸也只能滿(mǎn)足4副眼鏡的需求,AR碳化硅光波導(dǎo)鏡片要想實(shí)現(xiàn)降本和大規(guī)模產(chǎn)能,就需要更大尺寸的碳化硅材料;先進(jìn)制程工藝基于12英寸硅晶圓,因此在封裝工藝中運(yùn)用碳化硅,需要與硅晶圓同等尺寸的碳化硅襯底。得益于AR以及先進(jìn)封裝的新需求,12英寸碳化硅的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展正在持續(xù)加速。
而與過(guò)去不同的是,碳化硅產(chǎn)業(yè)在過(guò)去30多年時(shí)間里,都是以歐美日系廠商為主導(dǎo),包括6英寸、8英寸的產(chǎn)業(yè)化,都是由wolfspeed、羅姆、ST等廠商帶領(lǐng)。但從目前12英寸碳化硅的進(jìn)展來(lái)看,國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)已經(jīng)走在全球領(lǐng)先的地位,近一年時(shí)間里,天岳先進(jìn)、天科合達(dá)、爍科晶體、山西天成、同光股份等襯底廠商都已經(jīng)展出了各自的12英寸碳化硅襯底樣品,積極突破相關(guān)量產(chǎn)技術(shù)。
浙江晶瑞12 英寸SiC 襯底中試線(xiàn)的通線(xiàn),意味著碳化硅產(chǎn)業(yè)主導(dǎo)權(quán)開(kāi)始從海外轉(zhuǎn)移至本土,通過(guò)技術(shù)迭代、成本革命和產(chǎn)業(yè)鏈整合,為新能源汽車(chē)、光伏儲(chǔ)能等戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供了核心材料支撐。
浙江晶瑞SuperSiC此次貫通的中試線(xiàn),覆蓋了晶體加工,切割,減薄,倒角,研磨,拋光,清洗,檢測(cè)的全流程工藝,所有環(huán)節(jié)均采用國(guó)產(chǎn)設(shè)備與自主技術(shù),高精密減薄機(jī)、倒角機(jī)、雙面精密研磨機(jī)等核心加工設(shè)備更是由公司歷時(shí)多年自研攻關(guān)完成,性能指標(biāo)達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。自此,晶盛機(jī)電正式形成了12英寸SiC襯底從裝備到材料的完整閉環(huán),徹底解決了關(guān)鍵裝備“卡脖子”風(fēng)險(xiǎn),為下游產(chǎn)業(yè)提供了成本與效率的新基準(zhǔn)。
中試線(xiàn)是連接實(shí)驗(yàn)室小試與工廠量產(chǎn)的核心過(guò)渡環(huán)節(jié),本質(zhì)是模擬量產(chǎn)條件的小型化生產(chǎn)線(xiàn)。其核心目標(biāo)是驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)室研發(fā)的技術(shù)、工藝或產(chǎn)品能否穩(wěn)定、高效、低成本地放大到工業(yè)級(jí)生產(chǎn),同時(shí)解決從“實(shí)驗(yàn)室樣品”到“市場(chǎng)商品”的關(guān)鍵技術(shù)、設(shè)備、質(zhì)量和成本問(wèn)題。
碳化硅過(guò)去的主力市場(chǎng)是功率器件,但功率器件市場(chǎng)需求增速存在瓶頸,從6英寸到8英寸的進(jìn)程花費(fèi)時(shí)間較長(zhǎng),除了技術(shù)原因之外,市場(chǎng)需求也是其中的關(guān)鍵。
而12英寸碳化硅在近期產(chǎn)業(yè)內(nèi)迎來(lái)兩大新需求:AI眼鏡市場(chǎng)爆發(fā),推動(dòng)碳化硅AR光波導(dǎo)鏡片量產(chǎn)節(jié)奏;為了進(jìn)一步提高散熱效率,英偉達(dá)決定在下一代Rubin GPU中,將用碳化硅中介層替代第一代Rubin GPU上采用的硅中介層,并最晚在2027年廣泛應(yīng)用。
6英寸碳化硅襯底只能滿(mǎn)足兩副AR眼鏡的生產(chǎn),8英寸也只能滿(mǎn)足4副眼鏡的需求,AR碳化硅光波導(dǎo)鏡片要想實(shí)現(xiàn)降本和大規(guī)模產(chǎn)能,就需要更大尺寸的碳化硅材料;先進(jìn)制程工藝基于12英寸硅晶圓,因此在封裝工藝中運(yùn)用碳化硅,需要與硅晶圓同等尺寸的碳化硅襯底。得益于AR以及先進(jìn)封裝的新需求,12英寸碳化硅的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展正在持續(xù)加速。
而與過(guò)去不同的是,碳化硅產(chǎn)業(yè)在過(guò)去30多年時(shí)間里,都是以歐美日系廠商為主導(dǎo),包括6英寸、8英寸的產(chǎn)業(yè)化,都是由wolfspeed、羅姆、ST等廠商帶領(lǐng)。但從目前12英寸碳化硅的進(jìn)展來(lái)看,國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)已經(jīng)走在全球領(lǐng)先的地位,近一年時(shí)間里,天岳先進(jìn)、天科合達(dá)、爍科晶體、山西天成、同光股份等襯底廠商都已經(jīng)展出了各自的12英寸碳化硅襯底樣品,積極突破相關(guān)量產(chǎn)技術(shù)。
浙江晶瑞12 英寸SiC 襯底中試線(xiàn)的通線(xiàn),意味著碳化硅產(chǎn)業(yè)主導(dǎo)權(quán)開(kāi)始從海外轉(zhuǎn)移至本土,通過(guò)技術(shù)迭代、成本革命和產(chǎn)業(yè)鏈整合,為新能源汽車(chē)、光伏儲(chǔ)能等戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供了核心材料支撐。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
碳化硅
+關(guān)注
關(guān)注
26文章
3532瀏覽量
52632
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
突破!本土企業(yè)成功研制14英寸SiC單晶
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道?8英寸碳化硅正在成為主流,大尺寸SiC襯底經(jīng)過(guò)近年來(lái)行業(yè)的迭代和發(fā)展,甚至已經(jīng)從8英寸逐漸發(fā)展至12
士蘭微電子迎來(lái)雙線(xiàn)里程碑:8英寸碳化硅產(chǎn)線(xiàn)通線(xiàn), 12英寸高端模擬芯片產(chǎn)線(xiàn)同步開(kāi)工
2026年1月4日,杭州士蘭微電子股份有限公司在廈門(mén)市海滄區(qū)隆重舉行“8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線(xiàn)通線(xiàn)儀式暨12
12英寸碳化硅外延片突破!外延設(shè)備同步交付
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 , 短短兩天內(nèi),中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)接連迎來(lái)重磅突破。12月23日,廈門(mén)瀚天天成宣布成功開(kāi)發(fā)全球首款12英寸高質(zhì)量碳化硅(SiC)外延晶片;次日, 晶盛機(jī)電 便官
AR光波導(dǎo)+先進(jìn)封裝雙驅(qū)動(dòng),12英寸碳化硅靜待爆發(fā)
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 12英寸碳化硅在近期產(chǎn)業(yè)內(nèi)迎來(lái)兩大新需求:AI眼鏡市場(chǎng)爆發(fā),推動(dòng)碳化硅AR光波導(dǎo)鏡片量產(chǎn)節(jié)奏;為了進(jìn)一步提高散熱效率,英偉達(dá)決定在下一代Rubin GPU中,將用
重大突破!12 英寸碳化硅晶圓剝離成功,打破國(guó)外壟斷!
9月8日消息,中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所旗下的科技成果轉(zhuǎn)化企業(yè),于近日在碳化硅晶圓加工技術(shù)領(lǐng)域取得了重大突破。該企業(yè)憑借自主研發(fā)的激光剝離設(shè)備,成功完成了12英寸碳化硅晶圓的剝離操作。這一
數(shù)據(jù)中心電源客戶(hù)已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)!三安光電碳化硅最新進(jìn)展
16000片/月,配套產(chǎn)能即從襯底、外延、芯片制程,到封測(cè)的全流程產(chǎn)能。8英寸碳化硅襯底產(chǎn)能為1000片/月,外延產(chǎn)能2000片/月,目前8英寸
發(fā)表于 09-09 07:31
?2168次閱讀
探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量?jī)x的操作規(guī)范與技巧
本文圍繞探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量?jī)x,系統(tǒng)闡述其操作規(guī)范與實(shí)用技巧,通過(guò)規(guī)范測(cè)量流程、分享操作要點(diǎn),旨在提高測(cè)量準(zhǔn)確性與效率,為半導(dǎo)體制造過(guò)程中碳化硅襯底 TTV 測(cè)量提供標(biāo)準(zhǔn)
【新啟航】探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量?jī)x的操作規(guī)范與技巧
摘要
本文圍繞探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量?jī)x,系統(tǒng)闡述其操作規(guī)范與實(shí)用技巧,通過(guò)規(guī)范測(cè)量流程、分享操作要點(diǎn),旨在提高測(cè)量準(zhǔn)確性與效率,為半導(dǎo)體制造過(guò)程中碳化硅襯底 TTV 測(cè)量提
【新啟航】碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中表面粗糙度對(duì)結(jié)果的影響研究
摘要
本文聚焦碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量過(guò)程,深入探究表面粗糙度對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響機(jī)制,通過(guò)理論分析與實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,揭示表面粗糙度與測(cè)量誤差的關(guān)聯(lián),為優(yōu)化碳化硅襯底 TTV 測(cè)量方法、提升
12英寸碳化硅襯底,會(huì)顛覆AR眼鏡行業(yè)?
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)今年以來(lái),各家廠商都開(kāi)始展示出12英寸SiC產(chǎn)品,包括晶錠和襯底,加速推進(jìn)12
切割進(jìn)給量與碳化硅襯底厚度均勻性的量化關(guān)系及工藝優(yōu)化
引言
在碳化硅襯底加工過(guò)程中,切割進(jìn)給量是影響其厚度均勻性的關(guān)鍵工藝參數(shù)。深入探究二者的量化關(guān)系,并進(jìn)行工藝優(yōu)化,對(duì)提升碳化硅襯底質(zhì)量、滿(mǎn)足半導(dǎo)體器件制造需求具有重要意義。
量化關(guān)系
12英寸SiC,再添新玩家
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)在SiC行業(yè)逐步進(jìn)入8英寸時(shí)代后,業(yè)界并沒(méi)有停下腳步,開(kāi)始投入到12英寸襯底的開(kāi)發(fā)中。 ? 去年11月,天岳先進(jìn)率先出手,發(fā)布了行業(yè)首款
12英寸碳化硅襯底,又有新進(jìn)展
尺寸是6英寸,并正在大規(guī)模往8英寸發(fā)展,在最上游的晶體、襯底,業(yè)界已經(jīng)具備大量產(chǎn)能,8英寸的碳化硅晶圓產(chǎn)
加速!12英寸碳化硅襯底中試線(xiàn)來(lái)了!
評(píng)論