DRV8830器件為電池供電的玩具提供集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)器解決方案， 打印機(jī)和其他低壓或電池供電的運(yùn)動(dòng)控制應(yīng)用。該設(shè)備有一個(gè) H橋驅(qū)動(dòng)器，可驅(qū)動(dòng)一臺(tái)直流電機(jī)或一臺(tái)步進(jìn)電機(jī)繞組，以及其他 像螺線管一樣的負(fù)載。輸出驅(qū)動(dòng)器模塊由N溝道和P溝道功率MOSFET組成 配置為 H 橋以驅(qū)動(dòng)電機(jī)繞組。

該DRV8830提供足夠的 PCB 散熱器，可提供高達(dá) 1A 的 DC/RMS 或 峰值輸出電流。它的工作電源電壓為 2.75 V 至 6.8 V。
*附件：drv8830.pdf

在不同的電池電壓下保持恒定的電機(jī)速度，同時(shí)保持較長(zhǎng)的 電池壽命，提供PWM電壓調(diào)節(jié)方法。輸出電壓通過 一個(gè)我^2^C 兼容接口，使用內(nèi)部基準(zhǔn)電壓源和 DAC。

提供內(nèi)部保護(hù)功能，用于過流保護(hù)、短路 保護(hù)、欠壓鎖定和過溫保護(hù)。

該DRV8830采用微型 3 mm × 3 mm 10 引腳 VSON 封裝和 HVSSOP 封裝 帶 PowerPAD?（環(huán)保：RoHS 和無 Sb/Br）。

特性

• H橋壓控電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
  • 驅(qū)動(dòng)直流電機(jī)、步進(jìn)電機(jī)的一個(gè)繞組或其他
    執(zhí)行器/負(fù)載
  • 高效的PWM電壓控制，可在不同的電源電壓下實(shí)現(xiàn)恒定電機(jī)速度
  • 低 MOSFET 導(dǎo)通電阻：
    HS + LS 450 mΩ
• 1A 最大 DC/RMS 或峰值驅(qū)動(dòng)電流
• 2.75V 至 6.8V 工作電源電壓范圍
• 300nA（典型值）睡眠模式電流
• 序列號(hào) I^2^C 兼容接口
• 多個(gè)地址選擇允許在一個(gè)i 上最多支持 9 個(gè)設(shè)備^2^C總線
• 限流電路和故障輸出
• 熱增強(qiáng)型表面貼裝封裝

參數(shù)

方框圖

?一、產(chǎn)品概述?
DRV8830是德州儀器(TI)推出的帶有串行接口的低電壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。該器件提供完整的H橋驅(qū)動(dòng)解決方案，可驅(qū)動(dòng)有刷直流電機(jī)、步進(jìn)電機(jī)的一個(gè)繞組以及其他執(zhí)行器/負(fù)載。

?二、主要特性?

• ?電機(jī)驅(qū)動(dòng)性能?：
  • H橋電壓控制電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
  • 低MOSFET導(dǎo)通電阻：高側(cè)+低側(cè) 450 mΩ
  • 最大驅(qū)動(dòng)電流：1A DC/RMS或峰值電流
  • 1.3A峰值驅(qū)動(dòng)能力
• ?電氣規(guī)格?：
  • 工作電源電壓范圍：2.75V至6.8V
  • 睡眠模式電流：300nA（典型值）
  • 高效的PWM電壓控制，可在不同電源電壓下保持恒定電機(jī)速度
• ?接口與控制?：
  • 串行I2C兼容接口
  • 多地址選擇，允許在一條I2C總線上連接最多9個(gè)設(shè)備
• ?保護(hù)功能?：
  • 限流電路和故障輸出
  • 過流保護(hù)、短路保護(hù)、欠壓鎖定和過溫保護(hù)

?三、應(yīng)用領(lǐng)域?

• ?電池供電設(shè)備?：
  • 打印機(jī)
  • 玩具
  • 機(jī)器人
  • 相機(jī)
  • 手機(jī)
• 小型執(zhí)行器、泵等

?四、技術(shù)規(guī)格?

• ? 電源電壓(VCC) ?：2.75V至6.8V
• ?邏輯電壓?：0-5.5V
• ?工作溫度?：-40°C至85°C
• ?封裝選項(xiàng)?：
  • 3mm × 3mm 10引腳VSON封裝
  • HVSSOP封裝帶PowerPAD?
• ?熱性能參數(shù)?：
  • HVSSOP封裝：結(jié)到環(huán)境熱阻69.3°C/W
  • VSON封裝：結(jié)到環(huán)境熱阻50.2°C/W

?五、核心功能描述?

• ?電壓調(diào)節(jié)?：
  • 采用脈寬調(diào)制(PWM)技術(shù)而非線性電路
  • 監(jiān)控輸出引腳之間的電壓差并進(jìn)行積分以獲得平均直流電壓值
  • 該電壓除以4并與通過串行接口設(shè)置的VSET DAC輸出電壓進(jìn)行比較
• ?電流限制?：
  • 通過外部檢測(cè)電阻監(jiān)測(cè)電機(jī)電流
  • 當(dāng)電壓超過200mV參考電壓約3μs時(shí)，PWM占空比減小以限制電機(jī)電流
  • 持續(xù)約275ms的過流事件將被記錄為故障
• ? 電壓設(shè)置(VSET DAC) ?：
  • 包含內(nèi)部參考電壓連接至DAC
  • 通過串行接口的VSET位控制
  • 輸出電壓計(jì)算公式：4 × VREF × (VSET +1) / 64
  • 其中VREF為內(nèi)部1.285V參考電壓

?六、保護(hù)電路?

• ? 過流保護(hù)(OCP) ?：
  • 每個(gè)FET上的模擬限流電路
  • 檢測(cè)對(duì)地、電源或跨電機(jī)繞組的短路
• ? 熱關(guān)斷(TSD) ?：
  • 如果芯片溫度超過安全限制，H橋中的所有FET將被禁用
• ? 欠壓鎖定(UVLO) ?：
  • 當(dāng)VCC引腳電壓低于欠壓鎖定閾值電壓時(shí)觸發(fā)

?七、設(shè)備功能模式?

• ?工作模式?：
  • 當(dāng)IN1或IN2設(shè)置為邏輯高時(shí)激活
  • 睡眠模式：當(dāng)IN1和IN2都設(shè)置為邏輯低時(shí)進(jìn)入

?八、編程接口?

• ?I2C兼容串行接口?：
  • 兩線串行接口（SDA數(shù)據(jù)線，SCL時(shí)鐘線）
  • 設(shè)備地址：固定高地址位0xC0h，低三位由A0-A1引腳設(shè)置

?九、寄存器映射?

• ?寄存器0 - 控制寄存器?：
  • VSET[5..0]：設(shè)置DAC輸出電壓
  • IN1、IN2：設(shè)置輸出狀態(tài)
• ?寄存器1 - 故障寄存器?：
  • 用于讀取故障源并清除指示故障的狀態(tài)位

?十、典型應(yīng)用?

• ?設(shè)計(jì)要點(diǎn)?：
  • 電機(jī)電壓設(shè)置應(yīng)考慮最低系統(tǒng)VCC
  • 電流限制電阻選擇：RISENSE = 0.2V / ILIMIT
  • 檢測(cè)電阻應(yīng)滿足：表面貼裝、低電感、功率額定足夠

?十一、電源建議?

• ?本地大容量電容?：
  • 取決于電機(jī)系統(tǒng)的最高電流需求
  • 電源的電容和供電能力
  • 電源與電機(jī)系統(tǒng)之間的寄生電感量

?十二、布局指南?

• ?熱考慮?：
  • 功率耗散主要由輸出FET電阻RDS(ON)決定
  • 熱關(guān)斷保護(hù)，芯片溫度超過約160°C時(shí)設(shè)備禁用

該器件集成功率級(jí)、控制邏輯和保護(hù)功能，為電池供電應(yīng)用提供高效、可靠的電機(jī)驅(qū)動(dòng)解決方案，特別適合需要恒定電機(jī)速度的場(chǎng)合