羅姆（ROHM）650V和1200V碳化硅（SiC）MOSFET中的溝槽（Trench）技術據(jù)麥姆斯咨詢介紹，碳化硅（SiC）與目前主流的硅基功率半導體器件相比，切換損耗小、耐壓性強、在高溫下也能擁有優(yōu)異的電子特性。因此，很多廠商生產碳化硅產品，例如Cree、Microsemi、Infineon、ROHM等。碳化硅器件市場前景看好，預計2017~2021年復合年增長率（CAGR）高達31%。由于汽車和工業(yè)應用的拓展，預計2023年碳化硅器件市場將超過15億美元。

硅基IGBT和碳化硅MOSFET的切換損耗對比ROHM是碳化硅MOSFET分立器件和模組領域第二大公司，提供650V~1700V范圍內各種產品。在商業(yè)化碳化硅生產后僅七年時間，ROHM推出了溝槽式碳化硅MOSFET，成為全球第一家量產此類產品的廠商。該產品系列基于ROHM專有的雙溝槽設計，包括柵極溝槽和源極溝槽。這種設計相對于平面碳化硅器件，將導通電阻（Rdson）減小了近一半；并且相對于具有相同電壓的硅基IGBT，電流密度增加了近五倍。

ROHM第三代碳化硅MOSFET特點（相比第二代）ROHM第三代設計應用于650V和1200V產品之中，包括分立或模組封裝。本報告深入分析了650V和1200V第三代溝槽MOSFET，并利用光學顯微鏡和掃描電鏡研究復雜的碳化硅溝槽結構。

ROHM第三代碳化硅MOSFET拆解與逆向分析本報告還對分立器件SCT3120AL進行生產成本剖析，并提供650V和1200V第三代技術及器件對比分析，以及第三代和第二代碳化硅MOSFET對比分析。