漢思新材料獲得芯片底部填充膠及其制備方法的專利

漢思新材料已獲得芯片底部填充膠及其制備方法的專利，專利名為“封裝芯片用底部填充膠及其制備方法”，授權(quán)公告號(hào)為CN116063968B，申請(qǐng)日期為2023年2月，授權(quán)公告日為2025年（具體月份因來源不同存在差異，但不影響專利有效性的認(rèn)定）。

一、專利技術(shù)背景

芯片底部填充膠是電子封裝領(lǐng)域的關(guān)鍵材料，主要用于保護(hù)芯片與電路板之間的連接，防止因熱膨脹系數(shù)失配、機(jī)械振動(dòng)或環(huán)境因素導(dǎo)致的焊點(diǎn)失效。傳統(tǒng)封裝膠在涂覆后易出現(xiàn)翹曲、粘接不牢、導(dǎo)熱性不足等問題，難以滿足高功率、高可靠性芯片的封裝需求。漢思新材料通過材料組分創(chuàng)新與工藝優(yōu)化，成功解決了這些行業(yè)痛點(diǎn)。

二、專利核心內(nèi)容

材料組分創(chuàng)新：

漢思新材料的芯片底部填充膠采用高比例無機(jī)填料與樹脂基體的優(yōu)化設(shè)計(jì)。無機(jī)填料如球形氧化鋁、二氧化硅等，具有高導(dǎo)熱性和低熱膨脹系數(shù)，顯著提升封裝膠的散熱性能和熱穩(wěn)定性。

樹脂基體則選用環(huán)氧樹脂、氰酸酯樹脂等，通過多樹脂復(fù)配提升耐熱性與界面附著力。同時(shí)，加入有機(jī)硅雜化環(huán)氧樹脂或環(huán)氧基低聚倍半硅氧烷，增強(qiáng)抗沖擊性并降低內(nèi)應(yīng)力。

工藝優(yōu)化：

漢思新材料采用分步混合+均質(zhì)化研磨工藝，解決高填料比例下的分散難題。首先將有機(jī)樹脂與部分無機(jī)填料初步混合，研磨至細(xì)度<15μm，形成高分散性基料。

然后依次加入固化劑、增韌劑、球形填料及偶聯(lián)劑，低速攪拌避免氣泡生成。最后通過三輥研磨脫泡，確保粘度穩(wěn)定在80 Pa·s以下，適配點(diǎn)膠工藝。

這種工藝避免了填料沉降，提升了批次一致性，且單組份設(shè)計(jì)支持自動(dòng)化產(chǎn)線快速點(diǎn)膠。

三、專利技術(shù)優(yōu)勢(shì)

低熱膨脹系數(shù)：通過高填充無機(jī)填料和混合形態(tài)設(shè)計(jì)，漢思新材料的芯片底部填充膠的熱膨脹系數(shù)顯著降低，匹配硅芯片與陶瓷基板，有效抑制熱應(yīng)力翹曲。

高效導(dǎo)熱：導(dǎo)熱系數(shù)達(dá)行業(yè)領(lǐng)先水平，滿足高功率器件的散熱需求。

高可靠性：通過雙85測(cè)試，通過2000+小時(shí)鹽霧測(cè)試、跌落試驗(yàn)及熱循環(huán)測(cè)試，失效率<0.02ppm，滿足汽車電子、軍工等高要求場(chǎng)景。

環(huán)保兼容性：符合RoHS 2.0及Reach標(biāo)準(zhǔn)，VOC趨零排放，環(huán)保性能超行業(yè)均值50%。

四、專利產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用

應(yīng)用領(lǐng)域：漢思新材料的芯片底部填充膠已廣泛應(yīng)用于人工智能、5G通信、汽車電子（如車控芯片）、消費(fèi)電子（手機(jī)電池保護(hù)板、藍(lán)牙耳機(jī)）、MINI-LED顯示屏等領(lǐng)域。

客戶案例：已成功應(yīng)用于小米、華為、三星等企業(yè)的產(chǎn)品中，替代進(jìn)口膠水，降低生產(chǎn)成本。

國產(chǎn)替代價(jià)值：突破了美日企業(yè)（如Henkel、Namics）在高階封裝膠的技術(shù)壟斷，推動(dòng)了國產(chǎn)封裝膠在高端領(lǐng)域的替代進(jìn)程。