2025年10月30日，由蓋世汽車主辦的第七屆金輯獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)盛典在上海圓滿落幕。上海貝嶺憑借車規(guī)級(jí)特高壓MOSFET BLQ3N100E/BLQ3N120，榮獲 “金輯獎(jiǎng)2025最佳技術(shù)實(shí)踐應(yīng)用獎(jiǎng)”，公司執(zhí)行總監(jiān)唐振寧先生出席并領(lǐng)獎(jiǎng)。

“金輯獎(jiǎng)”旨在推動(dòng)中國(guó)汽車產(chǎn)業(yè)的技術(shù)進(jìn)步與生態(tài)升級(jí)，本屆圍繞“中國(guó)汽車新供應(yīng)鏈百?gòu)?qiáng)”主題，重點(diǎn)關(guān)注車規(guī)級(jí)芯片等十大領(lǐng)域。其“最佳技術(shù)實(shí)踐應(yīng)用獎(jiǎng)”專門授予那些已將前沿技術(shù)轉(zhuǎn)化為穩(wěn)定、量產(chǎn)產(chǎn)品的企業(yè)。上海貝嶺的車規(guī)級(jí)特高壓MOSFET產(chǎn)品，正是這一理念的杰出代表。

SHANGHAI BELLING

產(chǎn)品型號(hào)：BLQ3N100E/BLQ3N120

工藝類型節(jié)點(diǎn)：0.35μm MOS工藝

封裝信息：TO252/TO263

車規(guī)認(rèn)證等級(jí)：AEC-Q101

應(yīng)用領(lǐng)域：汽車BMS、車載輔助電源、預(yù)充電路、電子泄放開(kāi)關(guān)等

上車情況：國(guó)內(nèi)多家主流主機(jī)廠、Tire1

產(chǎn)品亮點(diǎn)：硅基N溝道增強(qiáng)型MOSFETs，耐壓分別高達(dá)1000V/1200V，采用先進(jìn)的MOSFET技術(shù)，可降低導(dǎo)通損耗、提高開(kāi)關(guān)性能并增強(qiáng)雪崩能量。

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：本系列是N溝道增強(qiáng)型特高壓平面MOSFET產(chǎn)品，憑借其先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝和結(jié)構(gòu)優(yōu)化，在降低導(dǎo)通損耗、提升開(kāi)關(guān)速度及增強(qiáng)抗瞬態(tài)能力方面表現(xiàn)卓越。優(yōu)化的雪崩耐受能力則保障了設(shè)備在復(fù)雜電壓波動(dòng)下的穩(wěn)定運(yùn)行，結(jié)合緊湊封裝設(shè)計(jì)，為高密度、高可靠性的系統(tǒng)方案提供了理想選擇?？蛇m用于新能源汽車動(dòng)力電池管理系統(tǒng)、車載輔助電源等場(chǎng)景。

技術(shù)參數(shù)：BLQ3N120以1200V耐壓、低至5Ω的典型導(dǎo)通電阻，結(jié)合27nC的柵極電荷優(yōu)化，在高壓場(chǎng)景中顯著降低導(dǎo)通與開(kāi)關(guān)損耗；

BLQ3N100E則以1000V耐壓、6.2Ω為基礎(chǔ)，通過(guò)13.8nC的超低Qg和內(nèi)置ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)，兼顧高頻開(kāi)關(guān)效率與抗靜電能力。

兩者均通過(guò)100%雪崩能量測(cè)試及AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證，支持-55℃至150℃結(jié)溫范圍。

以技術(shù)實(shí)踐，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)前行

此次獲獎(jiǎng)，不僅是行業(yè)對(duì)上海貝嶺技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)品落地能力的肯定，也是對(duì)我們?cè)谲囈?guī)級(jí)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新的鼓勵(lì)。未來(lái)，上海貝嶺將繼續(xù)深耕汽車電子賽道，以更多“芯”力量，助力中國(guó)汽車新供應(yīng)鏈的崛起與全球競(jìng)爭(zhēng)力的提升。