Vishay Semiconductors TransZorb^?^ 瞬態(tài)電壓抑制器采用玻璃鈍化芯片結(jié)，耗散功率為6.5W。這些電壓抑制器具有出色的鉗位能力、非?？斓捻憫?yīng)時間和低增量浪涌。TransZorb瞬態(tài)電壓抑制器有單向和雙向極性可供選擇。這些電壓抑制器已通過AEC-Q101認證。TransZorb?瞬態(tài)電壓抑制器用于消費電子、計算機、電信和汽車應(yīng)用的IC、MOSFET、傳感器單元信號線。

數(shù)據(jù)手冊：*附件：Vishay Semiconductors transzorb?瞬態(tài)電壓抑制器數(shù)據(jù)手冊.pdf

特性

• 玻璃鈍化貼片結(jié)
• 單向和雙向極性
• 功率耗散：6.5W
• 6.8V至540VVBR 單向
• 6.8V至220VVBR 雙向
• 5.8V至459VVWM單向
• 5.8V至185VVWM雙向
• 優(yōu)秀的鉗位能力
• 非?？斓捻憫?yīng)時間
• 低增量浪涌電阻
• 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)
• 浸焊275°C（最大值），10秒，符合JESD 22-B106標(biāo)準(zhǔn)
• 工作結(jié)溫范圍：-55 °C至175 °C

外殼類型：1.5KE

Vishay 1.5KE系列瞬態(tài)電壓抑制器應(yīng)用解析與技術(shù)指南?

?一、產(chǎn)品核心特性概述?

Vishay TransZorb? 1.5KE系列瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）是專為敏感電子設(shè)備防護設(shè)計的核心器件，具備以下關(guān)鍵技術(shù)優(yōu)勢：

• ?功率能力?：1500 W峰值脈沖功率（10/1000 μs波形），適用于高能瞬態(tài)沖擊場景
• ?響應(yīng)速度?：瞬態(tài)響應(yīng)時間達1×10??秒，可有效抑制閃電、感性負載切換引起的電壓尖峰
• ?電壓覆蓋?：單向型擊穿電壓覆蓋6.8 V至540 V，雙向型覆蓋6.8 V至220 V
• ?結(jié)構(gòu)特性?：玻璃鈍化芯片結(jié)，滿足UL 94 V-0阻燃等級

?二、關(guān)鍵參數(shù)深度解析?

?1. 電氣特性對照表?

?2. 功率特性曲線分析?

• ?脈沖功率降額?：環(huán)境溫度超過25°C時需按圖2曲線降額使用
• ?熱阻參數(shù)?：結(jié)到環(huán)境熱阻RθJA典型值75°C/W，結(jié)到引腳15.4°C/W
• ?瞬態(tài)熱阻抗?：脈寬1ms時約20°C/W，10ms時升至40°C/W（圖12）

?三、典型應(yīng)用場景設(shè)計要點?

?1. 電路防護配置?

• ?IC/MOSFET保護?：并聯(lián)于信號線或電源引腳，吸收ESD和開關(guān)浪涌
• ?通信線路防雷?：符合R.E.A. PE-60標(biāo)準(zhǔn)，抵御 rural線路感應(yīng)雷擊
• ?汽車電子系統(tǒng)?：AEC-Q101認證型號適用于發(fā)動機控制單元等關(guān)鍵部件

?2. 選型計算實例?

以1.5KE100A為例：

• 工作電壓VWM = 85.5 V（低于器件擊穿電壓最小值95.0 V）
• 預(yù)期瞬態(tài)電流10kA（8/20μs）時：
  • 鉗位電壓VC ≈ 92.0 V（查閱電氣特性表）
  • 功率驗證：P = VC × IPP = 92.0 V × 10 kA = 920 kW（需確認脈沖寬度適配性）

?四、設(shè)計注意事項?

1. ?布局約束?
   • 引線長度建議≤9.5mm（圖5功率降額曲線參考）
   • 盡量縮短TVS與被保護元件距離，降低回路電感
2. ?溫度補償影響?
   • VBR溫度系數(shù)隨電壓升高而增大（0.057%/°C至0.11%/°C）
   • 高溫環(huán)境需重新核算VWM與VBR的電壓裕量
3. ?多器件組合方案?
   • 串聯(lián)：提升總體耐壓能力（注意均壓設(shè)計）
   • 并聯(lián)：增強浪涌分流能力（需匹配動態(tài)電阻）

?五、進階應(yīng)用技巧?

• ?電容特性利用?：雙向器件在VR=0時電容達10000pF（圖4），可兼作高頻濾波
• ?失效模式預(yù)防?：
  • 避免持續(xù)功率超過PD=6.5W（TL=75°C）
  • 定期檢測反向漏電流ID，判斷器件老化狀態(tài)