仁懋電子（MOT）推出的MOT50N03C是一款面向 30V 低壓大電流場(chǎng)景的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷及快速開(kāi)關(guān)特性，適用于各類開(kāi)關(guān)應(yīng)用場(chǎng)景。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓大電流供電場(chǎng)景；
  • 導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時(shí)典型值8mΩ，\(V_{GS}=4.5V\)時(shí)典型值10mΩ，低壓場(chǎng)景下導(dǎo)通損耗極低；
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)）：50A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）達(dá)150A，滿足負(fù)載瞬時(shí)大電流需求。

二、核心特性

• 低電容與柵極電荷：優(yōu)化的電容和柵極電荷設(shè)計(jì)，大幅降低開(kāi)關(guān)損耗，適配高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用；
• 快速開(kāi)關(guān)能力：開(kāi)關(guān)速度優(yōu)異，提升系統(tǒng)能量轉(zhuǎn)換效率；
• 雪崩可靠性：?jiǎn)蚊}沖雪崩能量達(dá)48mJ，在感性負(fù)載開(kāi)關(guān)、異常過(guò)壓工況下可靠性強(qiáng)；
• 多封裝適配：支持 TO-252 表面貼裝和 TO-251 直插封裝，適配不同電路設(shè)計(jì)需求。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（\(T_c=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說(shuō)明）

• 柵源極電壓（\(V_{GS}\)）：最大值 ±20V，柵極驅(qū)動(dòng)需控制在該范圍以避免氧化層損壞；
• 功耗（\(P_D\)）：45W，實(shí)際應(yīng)用需結(jié)合散熱措施（如 PCB 敷銅、散熱焊盤(pán)）保障長(zhǎng)期可靠工作；
• 結(jié)溫范圍（\(T_J\)）：-55~+150℃，存儲(chǔ)溫度范圍與結(jié)溫區(qū)間一致。

四、封裝與應(yīng)用場(chǎng)景

• 封裝形式：
  • TO-252 表面貼裝封裝，包裝規(guī)格為 2500 片 / 卷；
  • TO-251 直插封裝，包裝規(guī)格為 70 片 / 管；
• 典型應(yīng)用：各類開(kāi)關(guān)應(yīng)用場(chǎng)景，如低壓電源的開(kāi)關(guān)控制、負(fù)載切換等，憑借低損耗與快速開(kāi)關(guān)特性保障系統(tǒng)效率與穩(wěn)定性。

五、信息來(lái)源

仁懋電子（MOT）官方產(chǎn)品手冊(cè)（注：以上參數(shù)基于手冊(cè)標(biāo)注整理，實(shí)際應(yīng)用需以最新版手冊(cè)及器件批次測(cè)試數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。）