雙方將進行全新技術研發(fā)和晶圓代工合作，加速推動美國的先進氮化鎵技術研發(fā)、設計及規(guī)?；a能力，為各類電源管理應用提供支持

紐約州馬爾他及加利福尼亞州托倫斯，2025 年 11 月 20 日訊 —— 格芯（GlobalFoundries，納斯達克代碼：GFS）與納微半導體（Navitas Semiconductor，納斯達克代碼：NVTS）今日正式宣布建立長期戰(zhàn)略合作伙伴關系，共同推進美國本土的氮化鎵（GaN）技術研發(fā)、設計與制造能力。雙方將攜手開發(fā)并交付面向高功率市場關鍵應用的先進解決方案，滿足AI數(shù)據中心、高性能計算、能源與電網基礎設施、工業(yè)電氣化等領域對高效率和高功率密度的迫切需求。

作為氮化鎵及高壓碳化硅（SiC）技術領域的先驅企業(yè)，納微半導體已在移動快充、消費電子、高性能計算、電動汽車、儲能及工業(yè)設備等大批量應用市場成功實現(xiàn)氮化鎵技術的商業(yè)化應用，并正加速推動該技術在高功率市場的應用普及。格芯作為值得信賴的全球晶圓代工合作伙伴，擁有十多年先進制造經驗，可保障可靠、優(yōu)質的規(guī)?；a。通過這一長期合作，格芯與納微將依托格芯位于佛蒙特州伯靈頓工廠的高壓硅基氮化鎵技術積淀，以及納微在氮化鎵技術與器件方面的深厚積累，共同生產下一代氮化鎵芯片。雙方計劃于2026年初啟動開發(fā)，并于同年晚些時候投入量產。

格芯的世界級制造能力結合納微領先的氮化鎵技術創(chuàng)新實力，將為客戶提供更先進、更可靠、規(guī)模化的氮化鎵解決方案。雙方將攜手為客戶打造完整的美國本土氮化鎵供應渠道，提升能源安全與產業(yè)競爭力，助力下一代能源與計算平臺的深度脫碳轉型。

格芯首席執(zhí)行官Tim Breen：“氮化鎵正重塑全球電力傳輸格局。雙方的合作標志著美國半導體產業(yè)領導力的顯著進步，也為氮化鎵技術在關鍵應用領域的部署奠定了重要基礎。

通過與納微攜手，我們將構建一個穩(wěn)定、可持續(xù)的氮化鎵技術供應鏈，賦能AI、能源及工業(yè)創(chuàng)新。”

納微半導體總裁兼首席執(zhí)行官Chris Allexandre：“在AI數(shù)據中心、高性能計算、電網與能源基礎設施、工業(yè)電氣化等高功率半導體市場，氮化鎵正加速市場普及。

與格芯的合作，將確保納微能夠提供客戶所需的美國本土高性能、高效率與大規(guī)模制造能力，并在美國生產關鍵應用的解決方案。

雙方正為共同推動下一代可持續(xù)發(fā)展的能源技術奠定基石，這對推動全球能源可持續(xù)發(fā)展具有重要意義。與格芯實現(xiàn)合作，是納微邁向2.0戰(zhàn)略階段的重要里程碑。”

關于格芯（Global Foundries）

GlobalFoundries (GF) 是全球生活、工作和連接所依賴的重要半導體的領先制造商。我們不斷創(chuàng)新并與客戶合作，為汽車、智能移動設備、物聯(lián)網、通信基礎設施和其他高增長市場提供更節(jié)能、更高性能的產品。GF的生產足跡遍布美國、歐洲和亞洲，是全球客戶值得信賴的可靠供應商。每天，我們才華橫溢的全球團隊都在不懈地關注安全性、使用壽命和可持續(xù)發(fā)展，為客戶創(chuàng)造成果。

關于納微半導體

納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）是新一代功率半導體行業(yè)領導者，專注于氮化鎵（GaN）與集成電路（IC）器件，以及高壓碳化硅（SiC）技術研發(fā)，旨在推動人工智能與數(shù)據中心、能源與電網基礎設施、高性能計算及工業(yè)應用領域的創(chuàng)新。憑借在寬禁帶技術領域超過30年的經驗積累，納微旗下的GaNFast功率芯片將氮化鎵功率器件、驅動、控制、感測與保護功能高度集成，實現(xiàn)更快的功率傳輸、更高的系統(tǒng)功率密度及更卓越的能效表現(xiàn)。GeneSiC高壓碳化硅器件采用受專利保護的溝槽輔助平面技術，為中壓電網及基礎設施應用提供業(yè)界領先的耐壓能力、效率與可靠性。納微半導體已擁有或正在申請的專利超過300項，是全球首家獲得CarbonNeutral碳中和認證的半導體公司。