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“芯”品發(fā)布|鎵未來推出“9mΩ”車規(guī)級 GaN FET,打破功率氮化鎵能效天花板!

無睘 ? 來源:jf_37450981 ? 作者:jf_37450981 ? 2025-11-27 16:17 ? 次閱讀
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在追求高效能、高可靠性功率半導(dǎo)體技術(shù)的道路上邁出關(guān)鍵一步,打破車規(guī)級功率半導(dǎo)體性能邊界

近日,鎵未來正式宣布推出G2E65R009 系列 650V 9mΩ 車規(guī)級氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)。這款完全符合汽車 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)的 650V 氮化鎵分立器件,以全球最小的 9mΩ 導(dǎo)通電阻(Rds(on)),引起行業(yè)內(nèi)廣泛關(guān)注,迅速成為氮化鎵功率半導(dǎo)體在新能源汽車領(lǐng)域性能優(yōu)化的新標(biāo)桿。

產(chǎn)品亮點

憑什么成為業(yè)界同規(guī)格產(chǎn)品標(biāo)桿?

鎵未來 G2E65R009 系列產(chǎn)品封裝外形:TO-247PLUS-4L 和 ITO-247PLUS-3L(內(nèi)絕緣)

車規(guī)級器件水平:符合汽車應(yīng)用的 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn),滿足進入汽車供應(yīng)鏈的核心認(rèn)證

Si MOSFET 驅(qū)動兼容:無需修改現(xiàn)有驅(qū)動電路,直接替換傳統(tǒng)硅基器件,縮短產(chǎn)品應(yīng)用開發(fā)周期;

9mΩ 超低導(dǎo)通電阻(Rds(on)):超 1500A 飽和電流(25℃)能力,降低開關(guān)和導(dǎo)通損耗超過 60%;

全拓?fù)涓咝н\行:極低的 Qoss 可以保證無論是硬開關(guān)的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,還是軟開關(guān)的 LLC 諧振電路,均能保持極高的轉(zhuǎn)換效率;

優(yōu)化死區(qū)管理:關(guān)斷狀態(tài)下提供最低反向?qū)妷?,以降低死區(qū)時間損耗;

熱性能表現(xiàn)優(yōu)異:為電源工程師后續(xù)應(yīng)用設(shè)計提供更多產(chǎn)品優(yōu)化選項。

超 1500A 飽和電流能力

9mΩ 是什么概念?氮化鎵功率半導(dǎo)體的“能效天花板”被打破!

當(dāng)行業(yè)還在為 15mΩ 的導(dǎo)通電阻參數(shù)競爭時,鎵未來 G2E65R009 系列產(chǎn)品直接將這一數(shù)值縮小至 9mΩ——這意味著什么?

導(dǎo)通損耗降低 60%:相比傳統(tǒng)硅基 IGBT,其開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗均降低 60% 以上,相當(dāng)于每臺新能源汽車電機控制器可減少約 150W 的無效功耗,對應(yīng)續(xù)航里程提升 3%~5%;

熱管理革命:僅為9mΩ的超低導(dǎo)通電阻配合TO-247PLUS-4L和ITO-247PLUS-3L 封裝的優(yōu)異散熱設(shè)計,熱阻低至 0.2℃/W相較傳統(tǒng)SiC MOSFET 降低約40%;

效率躍升:經(jīng)過鎵未來實驗室實測,在 P-out 為 5.3kW 時,峰值效率可達 99.35%;

功率翻倍:單顆分立器件支持高達 20kW 的功率輸出 ,穩(wěn)居行業(yè)頂尖水平。可以滿足更多大功率應(yīng)用場景需求,實現(xiàn)高功率密度和高設(shè)計自由度的完美結(jié)合!

行業(yè)新契機

對于行業(yè)工程師方案設(shè)計,帶來哪些便利?

對于相關(guān)行業(yè)發(fā)展,帶來哪些喜訊?

鎵未來 G2E65R009 最打動行業(yè)的,或許是其“革命性性能+兼容性設(shè)計”的雙重優(yōu)勢。鎵未來產(chǎn)品的自身技術(shù)特點,可以實現(xiàn)與傳統(tǒng)硅基器件 Pin to Pin 兼容,汽車級可靠性與無縫替換的能力已然成為工程師應(yīng)用解決方案的不二之選,加之于此款產(chǎn)品低至 9mΩ 的導(dǎo)通電阻,將為新能源汽車、工業(yè)電機、儲能系統(tǒng)、光伏逆變等多領(lǐng)域帶來更多技術(shù)突破的可能。

將目光轉(zhuǎn)向終端市場,客戶的核心采購驅(qū)動力早已聚焦于“更極致的效率、更優(yōu)異的體驗和更具效益的總成本”——即通過更集成的設(shè)計、更可靠的品質(zhì)與更優(yōu)的整體能效,為其終端產(chǎn)品構(gòu)建市場競爭力,建立市場信任。在此背景下,具備突破性性能的核心器件,正成為推動產(chǎn)品迭代與產(chǎn)業(yè)進階的關(guān)鍵支點。

作為電子產(chǎn)業(yè)鏈的上游核心力量,鎵未來始終專注 GaN 半導(dǎo)體創(chuàng)新,致力于為業(yè)界提供可靠、高效、智能的解決方案。在開發(fā) G2E65R009 產(chǎn)品過程中,我們緊密圍繞客戶的核心訴求,精準(zhǔn)把握技術(shù)發(fā)展的主流趨勢,力求與合作伙伴共建共贏的產(chǎn)業(yè)生態(tài)。目前,該產(chǎn)品已與多家頭部車企及核心 Tier1 供應(yīng)商攜手,進入實質(zhì)性的研發(fā)驗證階段,共同推進技術(shù)落地與應(yīng)用升級。

我們有信心,該產(chǎn)品在后續(xù)應(yīng)用中,將為合作伙伴在便捷性、可靠性、高效性等方面帶來更多積極體驗與廣闊的探索空間。

“鎵未來 G2E65R009 系列”

當(dāng)行業(yè)還在討論氮化鎵的“商用臨界點”時,G2E65R009 已經(jīng)用“車規(guī)可靠性+極致性能+兼容性設(shè)計”的組合拳給出答案。一位資深電源工程師評價:“這就像給燃油車直接換裝了電動機——不是小修小補,而是徹底的代際跨越?!?/p>

對于終端企業(yè)而言,選擇 G2E65R009 不僅是性能升級,更是技術(shù)路線的戰(zhàn)略布局——在“雙碳”目標(biāo)與能源革命的大背景下,這款器件將推動能源轉(zhuǎn)換和利用效率的全面提升。

現(xiàn)在,這場功率半導(dǎo)體的效率革命已經(jīng)開啟。準(zhǔn)備好和鎵未來一起讓你的產(chǎn)品性能“跨代升級”了嗎?

審核編輯 黃宇

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