電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道
AMB覆銅陶瓷基板（Active Metal Brazing Ceramic Substrate）是一種通過活性金屬釬焊技術實現(xiàn)陶瓷與銅箔直接結合的高性能電子封裝材料。其核心原理是在高溫真空環(huán)境下，利用含有鈦、鋯、鉿等活性元素的金屬焊料，與氮化鋁（AlN）或氮化硅（Si?N?）陶瓷表面發(fā)生化學反應，生成可被液態(tài)釬料潤濕的穩(wěn)定反應層，從而將純銅箔牢固焊接在陶瓷基板上。

相比傳統(tǒng)的DBC（直接鍵合銅）技術，AMB工藝通過化學鍵合而非物理共晶實現(xiàn)連接，結合強度更高、抗熱震性能更優(yōu)異，尤其適用于高溫、高電壓、大電流的工作環(huán)境。

目前主流材料體系分為三類：AMB氧化鋁基板成本最低、工藝最成熟，但散熱能力有限；AMB氮化鋁基板憑借高熱導率成為中高端功率器件首選；AMB氮化硅基板雖熱導率略低于氮化鋁，但機械性能是其兩倍以上，且熱膨脹系數(shù)與第三代半導體碳化硅高度匹配，已成為SiC功率模塊封裝的最佳搭檔。

當前市場呈現(xiàn)國際龍頭主導高端、本土企業(yè)加速追趕的雙層結構。第一梯隊由羅杰斯、賀利氏、DOWA、NGK Electronics、電化Denka等日德美企業(yè)構成，它們壟斷車載級、航空航天級高端產品，毛利率維持在40%以上。

中國廠商近年來在政策驅動與市場需求雙重刺激下加速追趕。江蘇富樂華半導體科技股份有限公司已成為國內龍頭，產能和技術水平處于領先地位，市場份額位居國內首位。

浙江德匯電子、無錫天楊電子、博敏電子、浙江精瓷半導體、同欣電子等企業(yè)通過全產業(yè)鏈布局和技術突破快速崛起。技術突破重點集中在焊料活性元素配比優(yōu)化、真空焊接溫度曲線控制、濕法刻蝕精度提升等環(huán)節(jié)，部分企業(yè)已實現(xiàn)氮化硅AMB基板的穩(wěn)定量產，產品通過下游車企認證。

全球AMB覆銅陶瓷基板市場正處于高速增長通道。市場研究機構數(shù)據(jù)顯示，2024年中國陶瓷覆銅板市場規(guī)模約22.85億元，預計2025年將突破30億元，其中氮化硅陶瓷覆銅板需求爆發(fā)式增長，2025年市場規(guī)模預計達8億元。

競爭焦點正從產能規(guī)模轉向技術深度與認證速度。國際廠商依托與英飛凌、安森美等功率半導體巨頭的深度綁定，在SiC模塊配套市場擁有先發(fā)優(yōu)勢。國內企業(yè)則在政策支持下，加速下游客戶認證周期，部分企業(yè)已將車規(guī)級產品驗證周期從18個月壓縮至12個月。

同時，產業(yè)鏈垂直整合成為新競爭策略，如比亞迪電子依托自有功率模塊需求，反向布局AMB基板制造，實現(xiàn)內部配套與外部市場雙輪驅動。

隨著2025年五陽新材料二期項目投產（月產能突破30萬張），國內產能躍居全球第一梯隊，預計國產替代率將從2024年的25%提升至2027年的45%，并在2030年主導全球60%以上市場份額。未來三年，市場將進入產能集中釋放期，技術成熟度與成本控制能力將決定最終洗牌結果。