從單管到系統(tǒng)級(jí)解決方案，碳化硅半橋DCM模塊正重構(gòu)新能源汽車(chē)電驅(qū)成本公式：通過(guò)集成銀燒結(jié)+DTS工藝與超低寄生電感，使800V平臺(tái)逆變器成本降低、體積縮減、提升電驅(qū)系統(tǒng)效率，進(jìn)而轉(zhuǎn)化為有效增加新能源汽車(chē)?yán)m(xù)航里程。碳化硅半橋DCM的核心在于利用SiC器件的高頻開(kāi)關(guān)特性與DCM模式的電感能量完全釋放機(jī)制。當(dāng)行業(yè)將降本焦點(diǎn)鎖定于芯片代工成本時(shí)，派恩杰已通過(guò)“芯片-封裝-拓?fù)洹贝怪闭夏芰Γ谔蓟璋霕駾CM模塊領(lǐng)域建立起三重護(hù)城河。

派恩杰DCM模塊獨(dú)家工藝

派恩杰DCM模塊的底層優(yōu)勢(shì)在于芯片設(shè)計(jì)與封裝工藝的深度協(xié)同，作為國(guó)內(nèi)少數(shù)擁有全套“銀燒結(jié)+DTS雙面散熱”技術(shù)的公司，其自主設(shè)計(jì)的超低寄生電感架構(gòu)，將雜散電感降低至行業(yè)領(lǐng)先的標(biāo)準(zhǔn)，確保了模塊100kHz高頻下的極致效率。

派恩杰碳化硅(SiC)半橋模塊的DCM封裝模塊采用半橋拓?fù)湓O(shè)計(jì)，支持1500V，母線1000V電壓平臺(tái)，正成為新能源汽車(chē)、光伏逆變器等高壓大功率場(chǎng)景的核心解決方案，這種通過(guò)材料特性(SiC的高頻低損耗)與工作模式(DCM的輕載高效)的技術(shù)協(xié)同組合，正在突破傳統(tǒng)硅基模塊的效率瓶頸，成為高性能電動(dòng)汽車(chē)平臺(tái)應(yīng)用的標(biāo)桿之作。

技術(shù)與研發(fā)的領(lǐng)導(dǎo)力：創(chuàng)始人、資深電力電子領(lǐng)域?qū)＜尹S興博士將北美半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn)與中國(guó)市場(chǎng)需求深度融合，構(gòu)建起從底層物理模型到車(chē)規(guī)級(jí)量產(chǎn)的完整技術(shù)護(hù)城河。這種領(lǐng)導(dǎo)力不僅體現(xiàn)在產(chǎn)品參數(shù)的領(lǐng)先，更在于對(duì)行業(yè)痛點(diǎn)的預(yù)見(jiàn)性解決方案——通過(guò)碳化硅芯片量產(chǎn)布局與嵌入式PCB封裝技術(shù)，同步解決DCM模塊的成本與性能瓶頸，重新定義高壓功率器件的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。

供應(yīng)鏈與制造的可靠性：派恩杰的供應(yīng)鏈與制造優(yōu)勢(shì)，本質(zhì)是“技術(shù)自主+工藝創(chuàng)新+質(zhì)量體系”的三位一體能力。當(dāng)行業(yè)多數(shù)企業(yè)仍依賴外購(gòu)芯片與傳統(tǒng)封裝時(shí)，派恩杰已通過(guò)“芯片-封裝-驗(yàn)證”全鏈路自主可控體垂直整合實(shí)現(xiàn)DCM模塊從設(shè)計(jì)到量產(chǎn)的全鏈路可控，這不僅保障了800V平臺(tái)客戶的穩(wěn)定交付，更使其在寄生電感控制、功率密度等核心指標(biāo)上達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。車(chē)規(guī)級(jí)產(chǎn)品均已通過(guò)嚴(yán)苛的車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證(AEC-Q101、IATF 16949等)，既保障了車(chē)規(guī)級(jí)產(chǎn)品的穩(wěn)定交付，又通過(guò)垂直整合實(shí)現(xiàn)技術(shù)迭代與成本控制的雙重優(yōu)勢(shì)。

這種“降本不降質(zhì)”的能力，使派恩杰DCM模塊在800V平臺(tái)逆變器中，實(shí)現(xiàn)物料成本降低的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)功率密度的有效提升，為新能源電驅(qū)系統(tǒng)體積縮減提供了核心支撐。

派恩杰DCM產(chǎn)品型號(hào)

PAAA12800MM

PAAA12600MM

DCM產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

1、革命性的散熱能力

極低的熱阻： 由于消除了基板這一主要熱障，模塊的熱阻(Rth(j-c))相比傳統(tǒng)模塊顯著降低約30%-60%。

更高電流輸出： 在相同芯片面積和溫升條件下，DCM模塊能承載的額定電流可提升20%至50%，或在同等電流下，芯片結(jié)溫更低。

提升系統(tǒng)功率密度： 優(yōu)異的散熱性能允許使用更小的芯片或模塊，使得整個(gè)電力電子系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)更緊湊、功率密度更高。

2、卓越的可靠性

更強(qiáng)的溫度循環(huán)能力： 模塊內(nèi)部連接點(diǎn)(如焊接層)的溫度變化(ΔTj)更小，且結(jié)構(gòu)更堅(jiān)固，因此其功率循環(huán)能力和溫度循環(huán)壽命遠(yuǎn)超傳統(tǒng)模塊。

更高的結(jié)溫能力： 許多DCM模塊采用燒結(jié)銀等先進(jìn)連接技術(shù)，允許芯片在最高結(jié)溫175℃甚至更高的條件下穩(wěn)定工作，拓寬了應(yīng)用邊界。

3、優(yōu)化的雜散系數(shù)

低寄生電感： 緊湊的對(duì)稱封裝結(jié)構(gòu)使得主回路內(nèi)部的寄生電感極低(通常<8nH)，這有助于：

降低開(kāi)關(guān)過(guò)電壓

減少開(kāi)關(guān)損耗

允許更高的開(kāi)關(guān)頻率運(yùn)行

DCM產(chǎn)品目標(biāo)應(yīng)用領(lǐng)域

DCM模塊是高要求、高可靠性應(yīng)用的理想選擇：

新能源汽車(chē):主驅(qū)動(dòng)逆變器、車(chē)載充電機(jī)、直流變換器

可再生能源:光伏逆變器、風(fēng)電變流器

工業(yè)驅(qū)動(dòng):大功率變頻器、伺服驅(qū)動(dòng)器

軌道交通:牽引變流器

不間斷電:高頻、高密度UPS

派恩杰：“

芯片”→“標(biāo)準(zhǔn)”

當(dāng)中國(guó)車(chē)企還在為芯片供應(yīng)焦慮時(shí)，派恩杰已通過(guò)DCM模塊證明：真正的技術(shù)壁壘從來(lái)不是單點(diǎn)突破，而是從“芯片”到“標(biāo)準(zhǔn)”的生態(tài)掌控力。

碳化硅半橋 DCM正推動(dòng)電力電子設(shè)備向高效化、小型化轉(zhuǎn)型，隨著DCM車(chē)規(guī)級(jí)模塊量產(chǎn)以及驅(qū)動(dòng)保護(hù)技術(shù)成熟，其在新能源汽車(chē)、光伏儲(chǔ)能等領(lǐng)域的滲透率正加速提升。與此同時(shí)，作為國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)JC-70成員，派恩杰正將DCM模塊技術(shù)轉(zhuǎn)化為行業(yè)話語(yǔ)權(quán)。以“全棧自主可控”為基石，承諾每年將營(yíng)收25%投入研發(fā)，2025-2027年實(shí)現(xiàn)突破——車(chē)規(guī)級(jí)芯片性能再度提升、寄生電感超低的第四代封裝、車(chē)規(guī)級(jí)DCM模塊成本降低代替硅基方案。

我們不止提供功率模塊，更以“定義未來(lái)電驅(qū)標(biāo)準(zhǔn)”為愿景，讓中國(guó)芯驅(qū)動(dòng)全球新能源產(chǎn)業(yè)從“跟隨創(chuàng)新”邁向“規(guī)則制定”。讓國(guó)產(chǎn)碳化硅產(chǎn)業(yè)真正實(shí)現(xiàn)從“替代進(jìn)口”到“定義標(biāo)準(zhǔn)”的跨越，為全球電力電子革命提供核心動(dòng)力。

派恩杰半導(dǎo)體

成立于2018年9月，是國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體功率器件設(shè)計(jì)與解決方案提供商。作為國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì) JC-70 成員單位之一，我們深度參與寬禁帶半導(dǎo)體功率器件國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)制定。

公司已量產(chǎn)超過(guò)百款 650V / 1200V / 1700V SiC SBD 與 SiC MOSFET 產(chǎn)品，GaN HEMT 系列同步布局。其中，SiC MOSFET 芯片已大規(guī)模導(dǎo)入新能源乘用車(chē)及Tier-1動(dòng)力平臺(tái)。

我們的器件廣泛應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心、AI計(jì)算、5G基站、儲(chǔ)能與充電樁、軌道交通、高端家電與航空航天等高要求場(chǎng)景，以高效率、高可靠性和高能量密度，助力全球能源轉(zhuǎn)型。