威兆半導體推出的VS3540AC是一款面向 - 30V 低壓小電流場景的 P 溝道增強型功率 MOSFET,采用 SOT23 小型封裝,適配低壓負電源切換、小型負載開關等領域。
一、產(chǎn)品基本信息
- 器件類型:P 溝道增強型功率 MOSFET
- 核心參數(shù):
- 漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):-30V,適配低壓負電源場景;
- 導通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=-10V\)時典型值52mΩ,\(V_{GS}=-4.5V\)時典型值62mΩ,低壓小電流場景下?lián)p耗可控;
- 連續(xù)漏極電流(\(I_D\),\(V_{GS}=-4.5V\)):\(T=25^\circ\text{C}\)時-3.4A(負號對應 P 溝道電流方向),\(T=70^\circ\text{C}\)時降額為-2.7A;
- 脈沖漏極電流(\(I_{DM}\)):-12A(\(T=25^\circ\text{C}\)),滿足瞬時小電流沖擊需求。
二、核心特性
- 小型封裝:采用 SOT23 封裝,適配小型化、高密度電路板設計;
- 快速開關:開關速度優(yōu)異,適配高頻低壓負電源切換場景;
- 環(huán)保合規(guī):滿足無鹵及 RoHS 標準,適配綠色電子制造。
三、關鍵電氣參數(shù)(\(T=25^\circ\text{C}\),除非特殊說明)
| 參數(shù) | 符號 | 數(shù)值(Rating) | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源極擊穿電壓 | \(V_{DSS}\) | -30 | V |
| 柵源極電壓 | \(V_{GS}\) | ±12 | V |
| 二極管連續(xù)正向電流 | \(I_S\) | -1.2 | A |
| 連續(xù)漏極電流(\(V_{GS}=-4.5V\)) | \(I_D\) | \(T=25^\circ\text{C}\): -3.4;\(T=70^\circ\text{C}\): -2.7 | A |
| 脈沖漏極電流 | \(I_{DM}\) | -12 | A |
| 最大功耗 | \(P_D\) | 1 | W |
| 結 - 引腳熱阻 | \(R_{thJL}\) | 80 | ℃/W |
| 工作 / 存儲溫度范圍 | \(T_J、T_{STG}\) | -55~+150 | ℃ |
四、封裝與應用場景
- 封裝形式:SOT23 表面貼裝封裝,包裝規(guī)格為 3000pcs / 卷,適配小型化電路設計;
- 典型應用:
- 低壓負電源小型負載開關;
- 便攜設備的負電源路徑管理;
- 物聯(lián)網(wǎng)設備的低功耗負電源通斷控制。
五、信息來源
威兆半導體官方產(chǎn)品手冊(注:以上參數(shù)基于手冊標注整理,實際應用需以最新版手冊及器件批次測試數(shù)據(jù)為準。)
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