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選型手冊:VS3540AC P 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

深圳市首質(zhì)誠科技有限公司 ? 2025-12-10 09:44 ? 次閱讀
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威兆半導體推出的VS3540AC是一款面向 - 30V 低壓小電流場景的 P 溝道增強型功率 MOSFET,采用 SOT23 小型封裝,適配低壓負電源切換、小型負載開關等領域。

一、產(chǎn)品基本信息

  • 器件類型:P 溝道增強型功率 MOSFET
  • 核心參數(shù)
    • 漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):-30V,適配低壓負電源場景;
    • 導通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=-10V\)時典型值52mΩ,\(V_{GS}=-4.5V\)時典型值62mΩ,低壓小電流場景下?lián)p耗可控;
    • 連續(xù)漏極電流(\(I_D\),\(V_{GS}=-4.5V\)):\(T=25^\circ\text{C}\)時-3.4A(負號對應 P 溝道電流方向),\(T=70^\circ\text{C}\)時降額為-2.7A;
    • 脈沖漏極電流(\(I_{DM}\)):-12A(\(T=25^\circ\text{C}\)),滿足瞬時小電流沖擊需求。

二、核心特性

  • 小型封裝:采用 SOT23 封裝,適配小型化、高密度電路板設計;
  • 快速開關:開關速度優(yōu)異,適配高頻低壓負電源切換場景;
  • 環(huán)保合規(guī):滿足無鹵及 RoHS 標準,適配綠色電子制造。

三、關鍵電氣參數(shù)(\(T=25^\circ\text{C}\),除非特殊說明)

參數(shù)符號數(shù)值(Rating)單位
漏源極擊穿電壓

\(V_{DSS}\)

-30V
柵源極電壓

\(V_{GS}\)

±12V
二極管連續(xù)正向電流

\(I_S\)

-1.2A
連續(xù)漏極電流(\(V_{GS}=-4.5V\))

\(I_D\)

\(T=25^\circ\text{C}\): -3.4;\(T=70^\circ\text{C}\): -2.7

A
脈沖漏極電流

\(I_{DM}\)

-12A
最大功耗

\(P_D\)

1W
結 - 引腳熱阻

\(R_{thJL}\)

80℃/W
工作 / 存儲溫度范圍

\(T_J、T_{STG}\)

-55~+150

四、封裝與應用場景

  • 封裝形式:SOT23 表面貼裝封裝,包裝規(guī)格為 3000pcs / 卷,適配小型化電路設計;
  • 典型應用
    • 低壓負電源小型負載開關;
    • 便攜設備的負電源路徑管理;
    • 物聯(lián)網(wǎng)設備的低功耗負電源通斷控制。

五、信息來源

威兆半導體官方產(chǎn)品手冊(注:以上參數(shù)基于手冊標注整理,實際應用需以最新版手冊及器件批次測試數(shù)據(jù)為準。)

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