哈哈哈哈哈操欧洲电影,久草网在线,亚洲久久熟女熟妇视频,麻豆精品色,久久福利在线视频,日韩中文字幕的,淫乱毛视频一区,亚洲成人一二三,中文人妻日韩精品电影

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

Onsemi FCA47N60和FCA47N60 - F109 MOSFET:高性能開關電源解決方案

lhl545545 ? 2026-01-26 17:00 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

Onsemi FCA47N60和FCA47N60 - F109 MOSFET:高性能開關電源解決方案

電子工程師的日常設計工作中,選擇合適的MOSFET對于開關電源等應用的性能至關重要。今天,我們來詳細探討一下Onsemi的FCA47N60和FCA47N60 - F109這兩款N溝道SUPERFET MOSFET。

文件下載:FCA47N60-F109-D.PDF

產品概述

SUPERFET MOSFET是Onsemi第一代高壓超結(SJ)MOSFET系列產品,它采用了電荷平衡技術,具備出色的低導通電阻和低柵極電荷性能。這種技術旨在最大程度地減少傳導損耗,提供卓越的開關性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此,SUPERFET MOSFET非常適合用于功率因數(shù)校正(PFC)、服務器/電信電源、平板電視電源、ATX電源和工業(yè)電源等開關電源應用。

產品特性

電氣特性

  • 耐壓與電流能力:在(T{J}=150^{circ}C)時,耐壓可達650V;連續(xù)漏極電流(I{D})最大為47A((T{C}=25^{circ}C)),脈沖漏極電流(I{DM})最大可達141A。
  • 低導通電阻:典型的(R_{DS(on)})為58mΩ,有助于降低傳導損耗。
  • 超低柵極電荷:典型的(Q_{g}=210nC),能夠實現(xiàn)快速的開關速度,減少開關損耗。
  • 低有效輸出電容:典型的(C_{oss(eff.)}=420pF),有利于提高開關效率。
  • 雪崩測試:經過100%雪崩測試,保證了產品在雪崩狀態(tài)下的可靠性。

熱特性

熱阻方面,最大熱阻為(0.3^{circ}C/W),這對于散熱設計來說是一個重要的參數(shù)。

應用領域

  • 太陽能逆變器:在太陽能逆變器中,需要高效的開關器件來實現(xiàn)能量轉換,F(xiàn)CA47N60和FCA47N60 - F109的高性能特性能夠滿足其對效率和可靠性的要求。
  • AC - DC電源供應:在AC - DC電源供應中,該MOSFET可以有效提高電源的轉換效率,降低功耗。

絕對最大額定值

符號 參數(shù) FCA47N60 FCA47N60 - F109 單位
(V_{DSS}) 漏源電壓 600 V
(I_{D}) 連續(xù)漏極電流((T_{C}=25^{circ}C)) 47 A
(I_{D}) 連續(xù)漏極電流((T_{C}=100^{circ}C)) 29.7 A
(I_{DM}) 脈沖漏極電流 141 A
(V_{GSS}) 柵源電壓 +30 V
(E_{AS}) 單脈沖雪崩能量 1800 mJ
(I_{AR}) 雪崩電流 47 A
(E_{AR}) 重復雪崩能量 41.7 mJ
(dv/dt) 峰值二極管恢復dv/dt 4.5 V/ns
(P_{D}) 功率耗散((T_{C}=25^{circ}C)) 417 W
(P_{D}) 25°C以上降額 3.33 W/°C
(T_{STG}) 工作和儲存溫度范圍 - 55至 + 150 °C
(T_{L}) 焊接時最大引腳溫度(距外殼1/8",5秒) 300 °C

需要注意的是,超過最大額定值表中列出的應力可能會損壞器件。如果超過這些限制,不能保證器件的功能,可能會發(fā)生損壞并影響可靠性。

典型特性曲線

文檔中給出了多個典型特性曲線,這些曲線對于工程師理解器件在不同條件下的性能非常有幫助。

  • 導通區(qū)域特性:展示了不同柵源電壓下,漏極電流與漏源電壓的關系。
  • 傳輸特性:體現(xiàn)了漏極電流與柵源電壓在不同溫度下的變化。
  • 導通電阻變化特性:顯示了導通電阻隨漏極電流和柵源電壓的變化情況。
  • 電容特性:給出了輸入電容、輸出電容和反向傳輸電容等隨漏源電壓的變化。
  • 溫度相關特性:包括擊穿電壓隨溫度的變化、導通電阻隨溫度的變化等。

封裝與訂購信息

這兩款產品采用TO - 3P - 3LD封裝,隔離外殼,標記圖為FCA 47N60 AYWWZZ,其中FCA47N60為特定器件代碼,A為組裝位置,YWW為日期代碼(年和周),ZZ為組裝批次。訂購信息如下: 產品編號 封裝 包裝數(shù)量
FCA47N60 TO - 3P - 3LD 450個/管
FCA47N60 - F109 (無鉛) 450個/管

總結

Onsemi的FCA47N60和FCA47N60 - F109 MOSFET憑借其出色的性能特性,為開關電源應用提供了一個可靠的解決方案。在實際設計中,工程師需要根據(jù)具體的應用需求,結合這些特性和參數(shù),合理選擇和使用該器件。同時,要注意遵循絕對最大額定值的限制,以確保器件的正常工作和可靠性。大家在使用過程中有沒有遇到過類似MOSFET的一些特殊問題呢?歡迎在評論區(qū)交流分享。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 開關電源
    +關注

    關注

    6572

    文章

    8888

    瀏覽量

    499093
  • 性能特性
    +關注

    關注

    0

    文章

    65

    瀏覽量

    5538
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    探索onsemi FCA20N60高性能N溝道MOSFET的卓越表現(xiàn)

    探索onsemi FCA20N60高性能N溝道MOSFET的卓越表現(xiàn) 在電子工程領域,功率半導體器件的
    的頭像 發(fā)表于 01-26 17:00 ?738次閱讀

    深入解析 onsemi FCA47N60FCA47N60 - F109 MOSFET

    深入解析 onsemi FCA47N60FCA47N60 - F109 MOSFET 在電子工程領域,
    的頭像 發(fā)表于 01-26 17:00 ?616次閱讀

    Onsemi FCA20N60F MOSFET高性能開關利器

    Onsemi FCA20N60F MOSFET高性能開關利器 在電子工程師的設計世界里,尋找一款性能卓越、適配性強的
    的頭像 發(fā)表于 01-26 17:00 ?306次閱讀

    Onsemi FCA47N60F MOSFET高性能開關電源解決方案

    Onsemi FCA47N60F MOSFET高性能開關電源解決方案 在電子工程師的日常設計工作中,選擇合適的功率器件對于
    的頭像 發(fā)表于 01-26 17:00 ?264次閱讀

    深入解析onsemi FCA20N60 MOSFET性能與應用

    深入解析onsemi FCA20N60 MOSFET性能與應用 在電子設計領域,MOSFET作為關鍵的功率器件,其
    的頭像 發(fā)表于 03-27 13:50 ?207次閱讀

    探索 onsemi FCA20N60F:600V N 溝道 MOSFET 的卓越性能

    高性能產品——FCA20N60F,一款 600V 的 N 溝道 SUPERFET FRFET MOSFET,它在各類開關電源應用中展現(xiàn)出獨特
    的頭像 發(fā)表于 03-27 13:50 ?176次閱讀

    Onsemi FCA47N60/N60 - F109 MOSFET:卓越性能與應用分析

    FCA47N60FCA47N60 - F109 MOSFET憑借出色的特性,在諸多開關電源應用中占據(jù)重要地位。本文將深入探討這兩款
    的頭像 發(fā)表于 03-27 13:50 ?151次閱讀

    探索 onsemi FCA47N60F MOSFET高性能與可靠性的完美結合

    探索 onsemi FCA47N60F MOSFET高性能與可靠性的完美結合 在電子工程師的日常工作中,選擇合適的 MOSFET 對于電路
    的頭像 發(fā)表于 03-27 13:50 ?143次閱讀

    深入剖析 onsemi FCH47N60F高性能 N 溝道 MOSFET 的卓越之選

    深入剖析 onsemi FCH47N60F高性能 N 溝道 MOSFET 的卓越之選 在電力電子領域,
    的頭像 發(fā)表于 03-27 16:50 ?115次閱讀

    Onsemi FCPF11N60F MOSFET高性能開關應用的理想之選

    Onsemi FCPF11N60F MOSFET高性能開關應用的理想之選 在電子設計領域,MOSFET(金屬 - 氧化物 - 半導體場效應
    的頭像 發(fā)表于 03-29 10:25 ?183次閱讀

    Onsemi FCA20N60F MOSFET高性能開關電源的理想之選

    Onsemi FCA20N60F MOSFET高性能開關電源的理想之選 在電子工程師的日常工作中,MOSFET 是不可或缺的關鍵元件,尤其
    的頭像 發(fā)表于 03-30 09:25 ?136次閱讀

    Onsemi FCA20N60高性能N溝道MOSFET的技術解析

    Onsemi FCA20N60高性能N溝道MOSFET的技術解析 在電子設計領域,MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 03-30 09:25 ?136次閱讀

    探索 onsemi FCA47N60F MOSFET高性能與可靠性的完美結合

    探索 onsemi FCA47N60F MOSFET高性能與可靠性的完美結合 在電子工程領域,MOSFET(金屬 - 氧化物 - 半導體場
    的頭像 發(fā)表于 03-30 09:30 ?115次閱讀

    Onsemi FCA47N60FCA47N60 - F109 MOSFET深度解析

    Onsemi FCA47N60FCA47N60 - F109 MOSFET深度解析 在電源管理
    的頭像 發(fā)表于 03-30 09:30 ?136次閱讀

    onsemi FCH041N60F MOSFET高性能開關電源解決方案

    onsemi FCH041N60F MOSFET高性能開關電源解決方案 在電子工程師的日常設計工作中,
    的頭像 發(fā)表于 03-30 10:15 ?264次閱讀
    明光市| 岳池县| 彩票| 台南县| 安塞县| 沅江市| 灵宝市| 车致| 峨眉山市| 莱西市| 江华| 万载县| 香港 | 茶陵县| 灌南县| 昂仁县| 汪清县| 阆中市| 鄂托克前旗| 贡山| 平邑县| 广河县| 福鼎市| 蒙自县| 广宗县| 武宁县| 岑溪市| 阿坝| 依兰县| 寻乌县| 新蔡县| 井研县| 同德县| 镇沅| 灵寿县| 东辽县| 泰宁县| 南丰县| 罗源县| 青阳县| 大安市|