工業(yè)設(shè)備通常即使在惡劣的操作環(huán)境中，也需要防止數(shù)據(jù)丟失和長期保存數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)還必須保證在停電時快速安全地獲得備份。能夠充分執(zhí)行該作用的存儲器，在工業(yè)設(shè)備中至關(guān)重要。

MRAM基于磁隧道結(jié)效應(yīng)，通過磁場改變電阻狀態(tài)來存儲數(shù)據(jù)，融合了DRAM的高速讀寫特性與閃存的斷電數(shù)據(jù)保存能力。MRAM芯片優(yōu)勢包括近乎無限的讀寫次數(shù)、納秒級寫入速度、低功耗以及與邏輯芯片的高兼容性，特別適用于工業(yè)控制、汽車電子等高可靠性應(yīng)用場景。

NETSOL推出的MRAM芯片采用自旋轉(zhuǎn)移扭矩磁阻隨機(jī)存取存儲器（STT-MRAM）技術(shù)，配備SPI串行外設(shè)接口，支持XIP（就地執(zhí)行）功能，具備硬件與軟件相結(jié)合的數(shù)據(jù)保護(hù)機(jī)制，顯著提升了工業(yè)環(huán)境中的數(shù)據(jù)安全性與訪問效率。

NETSOL MRAM芯片優(yōu)勢
①與SRAM不同，無需外接電壓控制器、電池或電池插座；也無需類似nvSRAM所需的電容器。
②可在突發(fā)斷電時確保數(shù)據(jù)安全，恢復(fù)時間極短。
③MRAM芯片的數(shù)據(jù)保存期限可達(dá)10年以上。
④MRAM芯片可以提供多級數(shù)據(jù)保護(hù)與保密功能。

NETSOL MRAM芯片在工業(yè)機(jī)械中的數(shù)據(jù)儲存
①工作頻率：MRAM芯片支持108MHz SDR與54MHz DDR
②寫入方式：快速寫入，支持單字節(jié)寫入
③數(shù)據(jù)保護(hù)：支持寫保護(hù)引腳（WP）及塊鎖定保護(hù)
④存儲密度：32Mb
⑤數(shù)據(jù)完整性：無需外部ECC校驗(yàn)
⑥耐久性：讀取無限次，寫入次數(shù)高達(dá)10^14次
⑦數(shù)據(jù)保存：在85°C環(huán)境下可保持20年
⑧供電電壓：提供3V與1.8V兩種版本
⑨溫度范圍：支持-40°C至85°C工業(yè)級溫度
⑩封裝形式：MRAM芯片符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的8引腳WSON、SOIC及24引腳FBGA封裝

NETSOL MRAM芯片憑借其高可靠性與實(shí)時數(shù)據(jù)保護(hù)能力，已廣泛應(yīng)用于以下工業(yè)設(shè)備：
①工業(yè)計算機(jī)（工控機(jī)）
②可編程邏輯控制器（PLC）
③人機(jī)界面（HMI）
④其他需要高可靠數(shù)據(jù)存儲的工控設(shè)備

深圳市英尚微電子有限公司是一家具有綜合競爭優(yōu)勢的電子元件產(chǎn)品供應(yīng)商及存儲方案技術(shù)提供商。我們以存儲芯片，半導(dǎo)體產(chǎn)品，單片機(jī)，藍(lán)牙芯片及微動開關(guān)等產(chǎn)品為主，如需進(jìn)一步了解該產(chǎn)品數(shù)據(jù)或樣品，請搜索英尚微電子網(wǎng)頁進(jìn)行申請。

審核編輯 黃宇