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數(shù)明半導體推出SiLM2648-AQ eFuse智能高邊開關(guān)控制器

數(shù)明半導體 ? 來源:數(shù)明半導體 ? 2026-02-09 17:16 ? 次閱讀
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汽車電子領(lǐng)域,電源分配系統(tǒng)的安全、穩(wěn)定與智能化運行是保障車輛整體性能與可靠性的關(guān)鍵。隨著新能源汽車和智能網(wǎng)聯(lián)汽車對電源管理系統(tǒng)要求日益嚴苛,傳統(tǒng)保險絲與開關(guān)方案在復雜工況下精準保護和故障診斷的局限性愈發(fā)凸顯。數(shù)明半導體推出的SiLM2648-AQ 高邊開關(guān)控制器,集成智能熔斷保護功能,專為 12V/24V 汽車配電應(yīng)用打造,是集“控制、保護、診斷”功能于一體的汽車電源智能守護者。

— 創(chuàng)新拓撲 —

解決傳統(tǒng)方案痛點

SiLM2648-AQ 借助驅(qū)動外部功率 MOSFET 構(gòu)建高邊開關(guān)拓撲,可替代傳統(tǒng)材料保險絲與普通開關(guān),有效解決汽車電源系統(tǒng)中過流保護不精準、故障診斷不及時、功耗控制不理想等問題。該產(chǎn)品適用場景廣泛,在傳統(tǒng)燃油車的車載電器供電和新能源汽車的輔助電源分配中都能發(fā)揮重要作用:

在智能大電流保險絲替代方面

無需頻繁更換機械保險絲,通過軟件配置即可實現(xiàn)精準熔斷保護,降低后期維護成本。

在汽車電源分配網(wǎng)絡(luò)中

為車燈、電機、車載娛樂系統(tǒng)等關(guān)鍵負載提供穩(wěn)定供電和故障隔離,避免單一負載故障影響整個電源網(wǎng)絡(luò)。

在高可靠性用電場景下

自動駕駛控制器電池管理系統(tǒng)(BMS)輔助電路等對電源穩(wěn)定性要求高的模塊提供多層級保護。

此外,SiLM2648-AQ 能在 -40℃~125℃ 的汽車級寬溫范圍內(nèi)穩(wěn)定工作,完美適配車載供電的復雜環(huán)境,為汽車電源分配系統(tǒng)帶來可靠支持。

— 極簡設(shè)計 —

降低開發(fā)成本與周期

SiLM2648-AQ 應(yīng)用電路設(shè)計極為簡潔,核心外圍器件僅包括:外部功率 MOSFET(高邊適配)、分流電阻Rsense,用于電流檢測)、NTC 電阻(用于 MOSFET 溫度監(jiān)測)、電荷泵電容(CP1、CP2,建議 470nF)以及電源濾波電容(VREG 引腳 10μF 低 ESR 電容)。以 12V 汽車電源分配場景為例,這種極簡的外圍設(shè)計優(yōu)勢顯著,不僅有效降低了 BOM 成本、大幅減少分立器件數(shù)量,還顯著縮短了研發(fā)周期。工程師無需在保護電路調(diào)試上耗費大量時間與精力,僅需通過 SPI 配置寄存器,便可輕松實現(xiàn)所需功能。

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圖 1. 典型應(yīng)用電路圖

— 卓越特性 —

全方位保障汽車電源安全

1. 高精度數(shù)字電流檢測,牢筑安全防線:

傳統(tǒng)開關(guān)方案依賴模擬電路過流保護,精度誤差常超 30%。而SiLM2648-AQ 采用外部高邊分流電阻 + 集成 ADC 方案,檢測電壓>10mV 時,電流檢測精度誤差可控在 ±10% 內(nèi),檢測范圍覆蓋 0 ~160mV,電流范圍可調(diào)。電流檢測數(shù)據(jù)經(jīng) SPI 實時傳輸至主機 MCU,支持高速 ADC 采樣率,能捕捉負載瞬時尖峰電流,實現(xiàn)可靠過流保護。

2. 可編程智能熔斷 eFuse 功能,靈活適配多樣負載:

與傳統(tǒng)保險絲固定熔斷邏輯不同,SiLM2648-AQ 的 eFuse 功能支持電流 - 時間(I2 - t)曲線可編程,用戶可通過 SPI 配置額定電流(INom)和額定時間(tNom)兩個核心參數(shù)。這種設(shè)計能適配不同負載特性:

-電機類負載:可設(shè)置較長的tNom,避免因電機啟動時的瞬時大電流或短暫過載而誤觸發(fā)保護,確保電機正常啟動和運行。

-精密電子負載:如芯片、傳感器等對電流波動敏感的設(shè)備,設(shè)置較短的tNom,能在電流異常時迅速切斷電路,防止設(shè)備因過流而損壞,實現(xiàn)快速保護。

此外,eFuse 的過流保護基于有效值電流計算。即使負載處于 PWM 調(diào)制狀態(tài),也會根據(jù)平均電流判斷是否需要保護,減少因瞬時電流波動導致的誤動作,進一步提高保護的準確性和可靠性。

3. 多層級保護機制,全方位守護安全:

SiLM2648-AQ 構(gòu)建了多層級保護體系,覆蓋電壓、電流、溫度等風險點。電壓保護包含:電池欠壓關(guān)斷、電荷泵欠壓保護、MOSFET 柵極欠壓鎖定;電流保護包含:硬短路關(guān)斷、過流關(guān)斷、旁路開關(guān)過流保護;溫度保護包含:芯片結(jié)溫過熱關(guān)斷、外部 MOSFET 溫度監(jiān)測;另外,SiLM2648–AQ 還擁有MOSFET Vds 檢測和Watchdog 超時保護功能。觸發(fā)保護后,通過 SPI 狀態(tài)寄存器與 DIAG 引腳同步反饋故障,自動切斷外部 MOSFET 和旁路開關(guān)防故障擴大。如遇硬短路,僅需 5μs 即可關(guān)斷。

4. 可選軟起動功能,化解大電容負載沖擊難題:

汽車電源系統(tǒng)中,車載功放等大電容負載在外部 MOSFET 開啟瞬間易產(chǎn)生劇烈沖擊電流。SiLM2648-AQ 創(chuàng)新集成可選軟起動功能,輸出窄脈寬驅(qū)動波形,在 MOSFET 開啟過程中精準抑制沖擊電流峰值,平穩(wěn)為電容負載充電。

在供電電壓 VS = 12V、負載電容 COUT= 1mF、負載電阻 ROUT= 20Ω 的“大電容 + 電阻”極端負載場景下,SiLM2648-AQ 開啟外部 MOSFET 時,沖擊電流始終被控制在安全閾值(小于 60A)內(nèi),實現(xiàn)無障礙、無波動的可靠啟動。圖 2 展示軟起動模式下 MOSFET 完整開啟波形,電壓、電流平穩(wěn)過渡;圖 3 顯示無軟起動功能時,因瞬間沖擊電流過大(大于 170A)觸發(fā)硬短路保護,無法應(yīng)對此類負載。

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圖 2. VS=12V, COUT=1mF, ROUT=20Ω

軟起動打開外部功率MOSFET完整開啟波形

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圖 3. VS=12V, COUT=1mF, ROUT=20Ω

無軟起動功能時外部功率 MOSFET 開啟失敗波形

5.靈活的工作模式,多模式適配多元場景:

SiLM2648-AQ 支持 5 種主要工作模式,通過 SPI 和硬件引腳(HWLO)可無縫切換。上電模式用于芯片復位;待機模式進入低功耗狀態(tài);喚醒模式從待機激活 eFuse 功能;解鎖模式支持全功能配置,用于正常工作;鎖定模式防誤操作,保障故障后安全。此外,芯片具備自測試模式,可對電流檢測、VDS 檢測、MOSFET 導通門鎖 (Stuck-on) 等關(guān)鍵功能進行自檢,符合汽車功能安全(ISO 26262)標準。

6.低功耗設(shè)計,精準適配新能源需求:

SiLM2648-AQ 針對不同工作模式優(yōu)化功耗。待機時,自動關(guān)閉電荷泵、外部 MOSFET 驅(qū)動等模塊,僅保留核心邏輯供電,可開啟內(nèi)部旁路開關(guān)提供至少 100mA 電流通路,12V 供電下 VS 引腳電流 75μA,24V供電 時為 250μA;解鎖模式(正常工作)下,12V 供電電流約 12mA。其低功耗特性契合新能源汽車低壓輔助電源系統(tǒng),可減少待機電池消耗。

7. 緊湊封裝與高兼容性,小身材大適配:

SiLM2648-AQ 采用 QFN5×5-32 封裝,僅 5mm×5mm,較傳統(tǒng)分立方案省超 40% PCB 面積,契合汽車電子中空間緊張的場景。接口兼容性強,SPI 接口支持 3.3V/5V CMOS 電平、8MHz 最高時鐘,可對接主流 MCU;電源輸入支持 6~40V 寬電壓,覆蓋 12V 與 24V 電源系統(tǒng);外部 MOSFET 驅(qū)動柵極電壓最高 20V,支持多種 N 溝道功率 MOSFET,柵極電荷最大支持 800nC。

— 應(yīng)用賦能 —

助力汽車電源保護技術(shù)進步

SiLM2648-AQ 實現(xiàn)了汽車電源保護從“被動熔斷”到“主動智能保護”的重大升級,集成 ADC、可編程 eFuse、多層級保護與實時診斷功能,能夠精準識別故障、靈活調(diào)整保護策略并及時反饋狀態(tài)信息。隨著汽車電子技術(shù)的持續(xù)演進,SiLM2648-AQ 期待在更多汽車應(yīng)用場景中發(fā)揮積極作用,和業(yè)界伙伴共同推動汽車電源保護技術(shù)不斷進步。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:新品發(fā)布丨數(shù)明半導體 SiLM2648-AQ eFuse 智能高邊開關(guān)控制器:汽車電源保護新方案!

文章出處:【微信號:數(shù)明半導體,微信公眾號:數(shù)明半導體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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