新品 | CoolSiC? MOSFET M1H共源配置62mm模塊
新品
CoolSiC MOSFET M1H
共源配置62mm模塊
英飛凌推出1200V和2000V CoolSiC MOSFET 62mm半橋模塊， 結(jié)合M1H芯片技術(shù)，推出共源配置版本
產(chǎn)品型號(hào)：
■FF1MR12KM1H
■FF3MR12KM1H
■FF5MR20KM1H
產(chǎn)品特性
可靠的集成體二極管，提升熱性能
極高的耐濕性
卓越的柵極氧化物可靠性
高宇宙射線耐受強(qiáng)度
應(yīng)用價(jià)值
惡劣工況下性能優(yōu)化
更低電壓過沖
最小化導(dǎo)通損耗
高速開關(guān)且損耗極低
對(duì)稱的模塊設(shè)計(jì)
成熟的模塊制造技術(shù)確保高可靠性
規(guī)?；?2mm產(chǎn)線
競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)
共源配置
最低導(dǎo)通電阻RDS(on)
最高柵極閾值電壓VGS(th)
應(yīng)用領(lǐng)域
儲(chǔ)能系統(tǒng)
電動(dòng)汽車充電
光伏
固態(tài)斷路器
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
芯片
+關(guān)注
關(guān)注
463文章
54345瀏覽量
468648 -
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
151文章
10545瀏覽量
234763 -
SiC
+關(guān)注
關(guān)注
32文章
3840瀏覽量
70014
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
62mm半橋SiC模塊設(shè)計(jì)固態(tài)變壓器 (SST) DAB的工程落地
傾佳楊茜-固變方案：62mm半橋SiC模塊設(shè)計(jì)固態(tài)變壓器 (SST) DAB的工程落地 基本半導(dǎo)體 1200V/540A 碳化硅半橋模塊 (BMF540R12KHA3) 與 青銅劍雙通道隔離驅(qū)動(dòng)器
基于62mm封裝SiC模塊及驅(qū)動(dòng)的固變SST PEBB的硬件配置
傾佳楊茜-死磕固變：基于62mm封裝SiC模塊及驅(qū)動(dòng)的固變SST PEBB的硬件配置 采用 基本半導(dǎo)體 1200V/540A 碳化硅半橋模塊（BMF540R12KHA3）配合青銅劍專為
62mm SiC半橋模塊與雙通道SiC驅(qū)動(dòng)板設(shè)計(jì)固態(tài)變壓器（SST）功率單元
62mm SiC半橋模塊與雙通道SiC驅(qū)動(dòng)板設(shè)計(jì)固態(tài)變壓器（SST）功率單元
新品 | CoolSiC? 碳化硅MOSFET M1H EasyDUAL? 1200V
新品CoolSiC碳化硅MOSFETM1HEasyDUAL1200VEasyDUAL2BCoolSiCMOSFET半橋模塊通過AQG324認(rèn)證，采用PressFIT引腳和預(yù)涂導(dǎo)熱界面材
探索IMYR140R008M2H CoolSiC? 1400 V SiC MOSFET G2：高性能與多功能的完美結(jié)合
探索IMYR140R008M2H CoolSiC? 1400 V SiC MOSFET G2：高性能與多功能的完美結(jié)合 在電子工程領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體器件的性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率和可靠性。今天
BSRD-2503驅(qū)動(dòng)板解鎖62mm SiC碳化硅MOSFET功率模塊的極致性能
解決方案伙伴，隆重推出BASIC Semiconductor BSRD-2503-ES01雙通道驅(qū)動(dòng)板——專為62mm SiC MOSFET模塊設(shè)計(jì)的性能引擎，助力客戶攻克高壓、高頻應(yīng)用的技術(shù)壁壘。
基本半導(dǎo)體1200V工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore 2系列介紹
基本半導(dǎo)體推出62mm封裝的1200V工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET半橋模塊，產(chǎn)品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，在保持傳統(tǒng)62mm封裝尺寸
62mm封裝SiC MOSFET模塊在多領(lǐng)域應(yīng)用場(chǎng)景中的技術(shù)優(yōu)勢(shì)與市場(chǎng)價(jià)值分析
傾佳電子62mm封裝SiC MOSFET模塊在多領(lǐng)域應(yīng)用場(chǎng)景中的技術(shù)優(yōu)勢(shì)與市場(chǎng)價(jià)值分析 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源
BASiC_62mm SiC MOSFET半橋模塊和驅(qū)動(dòng)方案介紹
BASiC_62mm SiC MOSFET半橋模塊和驅(qū)動(dòng)方案介紹
發(fā)表于 09-01 15:23
?0次下載
62mm SiC MOSFET功率模塊：電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT模塊的深度分析報(bào)告
62mm封裝作為高功率工業(yè)應(yīng)用中的一個(gè)長期標(biāo)準(zhǔn)，其歷史淵源深植于IGBT技術(shù)。這一通用且堅(jiān)固的封裝平臺(tái)，長期以來一直是工業(yè)變流器、UPS、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和輔助牽引等領(lǐng)域的核心組件。然而，隨著對(duì)更高
CoolSiC? 2000V SiC 溝槽柵MOSFET定義新能源應(yīng)用中功率密度增強(qiáng)的新基準(zhǔn)
加大的爬電距離和電氣間隙，使用.XT焊接芯片技術(shù)。芯片同時(shí)用于62mm封裝的半橋模塊和EasyPACK3B封裝的升壓模塊。這些產(chǎn)品的性能提高了系統(tǒng)功率密度，可靠性和效
傾佳電子力薦：BASiC 62mm封裝BMF540R12KA3 SiC MOSFET模塊 —— 重新定義高功率密度與效率的邊
傾佳電子力薦：BASiC 62mm封裝半橋BMF540R12KA3 SiC MOSFET模塊 —— 重新定義高功率密度與效率的邊界 關(guān)鍵詞：1200V/540A、2.5mΩ超低導(dǎo)通電阻
新品 | 英飛凌EconoDUAL? 3 CoolSiC? SiC MOSFET 1200V模塊
新品英飛凌EconoDUAL3CoolSiCSiCMOSFET1200V模塊英飛凌EconoDUAL31200V/1.4mΩCoolSiCSiCMOSFET半橋模塊，增強(qiáng)型
新品 | 采用高性能DCB的Easy B系列CoolSiC? 2kV SiC MOSFET模塊
新品采用高性能DCB的EasyB系列CoolSiC2kVSiCMOSFET模塊英飛凌EasyDUAL和EasyPACK2B2kV、6mΩ半橋和三電平
新品 | 半橋1200V CoolSiC? MOSFET EconoDUAL? 3模塊
新品半橋1200VCoolSiCMOSFETEconoDUAL3模塊采用EconoDUAL3封裝的1200V/1.4mΩ半橋模塊。芯片為SiCMOSFETM
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論