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面向下一代GPU VPD架構(gòu)的供電系統(tǒng)超低壓大電流測試方案 —— 費思N系列電子負載技術(shù)解析與應用實踐

劉娟 ? 來源:jf_31286713 ? 作者:jf_31286713 ? 2026-03-13 17:26 ? 次閱讀
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一、引言:AI算力演進下的供電測試挑戰(zhàn)

隨著AI訓練模型的復雜度持續(xù)提升,GPU的峰值電流需求將達到2000A-5000A甚至更高水平,而核心電壓則維持在 0.8****V甚至更低 。傳統(tǒng)LPD(橫向供電)架構(gòu)電流路徑長、寄生參數(shù)大、動態(tài)響應慢等原因,已無法滿足下一代GPU的供電需求。

電源需求趨勢.jpg

今年CES上,英偉達NVIDIA確定Rubin會用 VPD(垂直供電) 方案。根據(jù)英偉達NVIDIA的說法,Rubin架構(gòu)將搭載更寬、更多的HBM4顯存,HBM因為已經(jīng)占據(jù)了GPU封裝周圍所有空間,物理位置已經(jīng)沒有給LPD(橫向供電),因此VPD是確定性方案。英特爾、谷歌也都已開始嘗試VPD方案,華為也在關(guān)注這項技術(shù),華為有一項關(guān)于“芯片垂直供電系統(tǒng)”的發(fā)明專利。(信息來源:電子工程專輯)
LPD與VPD的對比圖.jpg

(圖片來源:Vicor官網(wǎng))

然而,VPD架構(gòu)的引入也對供電系統(tǒng)的測試驗證提出了前所未有的挑戰(zhàn):如何在極低電壓下精確模擬數(shù)千安培的動態(tài)負載,如何 驗證PMIC電源管理芯片)在納秒級瞬態(tài)響應中的穩(wěn)定性 ,成為擺在所有上游供應商面前的生死線。

二、技術(shù)挑戰(zhàn):VPD架構(gòu)下的測試難點及應對

挑戰(zhàn)維度具體表現(xiàn)
超低電壓帶載能力核心電壓低至0.8V以下,要求測試設(shè)備具備極低的起始工作電壓(<0.5V)
超高電流模擬峰值電流達5000A,需設(shè)備具備大電流擴展能力與高穩(wěn)定性
動態(tài)響應測試瞬態(tài)電流響應變化率需達5A/us,以模擬AI任務的突發(fā)負載
PMIC/VRM穩(wěn)定性驗證需捕捉電壓跌落(Droop)與過沖(Overshoot)等微秒級瞬態(tài)
GaN/SiC器件適配高頻開關(guān)器件對測試設(shè)備的高精度與低干擾提出更高要求

面對這些挑戰(zhàn),傳統(tǒng)電子負載已難以勝任。費思(Faith)憑借其深厚的技術(shù)積累和卓越的產(chǎn)品性能,其 N系列超低電壓大電流電子負載 ,專為GPU/CPU超低電壓測試場景設(shè)計,具備0.2V起始的超低壓帶載能力,能夠完美覆蓋下一代GPU核心電壓的測試范圍。在電流吞吐方面,費思N系列電子負載不僅能夠穩(wěn)定實現(xiàn)2000A的大電流測試,更具備擴展至5000A極限測試的能力,精準復現(xiàn)GPU在AI訓練峰值時的滿載工況。
曲線特性3.png

費思N系列電子負載超低壓特性能力曲線圖

尤為關(guān)鍵的是,費思N系列低壓大電流電子負載具備高達20A/μs的動態(tài)電流斜率,遠超行業(yè)普遍標準。這意味著它能夠逼真模擬GPU在執(zhí)行復雜矩陣運算時毫秒級的電流驟變,協(xié)助工程師捕捉PMIC(電源管理芯片)在極端動態(tài)下的微小電壓跌落(Droop)與過沖(Overshoot),從而優(yōu)化環(huán)路響應速度,確保供電系統(tǒng)的絕對穩(wěn)健。正是憑借這一卓越性能,費思(Faith)已獲得英偉達NVIDIA及其核心PMIC、GaN供應商的高度認可,成為其研發(fā)實驗室重要的測試設(shè)備。
b7b4244b-ccbf-4c78-96d3-85dfa2b369b6.png

微妙級動態(tài)響應下的電流變化圖

在英偉達NVIDIA的生態(tài)體系中,高效的供電不僅依賴于架構(gòu)創(chuàng)新,更離不開功率半導體材料的迭代。為了配合VPD架構(gòu)對高開關(guān)頻率與低損耗的嚴苛要求,以GaN(氮化鎵)和SiC(碳化硅)為代表的寬禁帶器件已成為主流。費思(Faith)的測試方案深度融入了這一趨勢,其高精度負載能夠 有效驗證GaN器件在高頻下的開關(guān)特性與熱穩(wěn)定性 ,幫助合作伙伴優(yōu)化圖騰柱PFC及LLC諧振變換器的拓撲設(shè)計,從而在有限的空間內(nèi)實現(xiàn)更高的功率密度與轉(zhuǎn)換效率。

三、解決方案:費思N系列超低電壓大電流電子負載

費思(Faith)深耕低壓大電流測試領(lǐng)域多年,其技術(shù)積累源于新能源領(lǐng)域最嚴苛的測試需求,并針對英偉達NVIDIA VPD架構(gòu)AI算力場景進行了深度優(yōu)化,專為CPU/GPU供電測試設(shè)計的費思N系列電子負載系列具備以下核心技術(shù)優(yōu)勢:

1. 超低電壓帶載能力

N系列:支持 0.2V滿電流帶載,最高達5000A@0.2V,完美匹配下一代GPU VPD架構(gòu)的核心電壓;

最小內(nèi)阻<0.2mΩ,確保低壓工況下的高電流拉載能力,極大降低測試功耗。

2. 超高電流擴展能力

單機支持2000A@0.2V(FT68206N-20-2000);

可擴展至5000A@0.2V(FT68215N-20-5000),覆蓋AI訓練峰值負載需求。

3.極速動態(tài)響應速度

20A/us的瞬態(tài)電流響應變化,瞬態(tài)測試頻率可達20kHz,可精準模擬GPU在矩陣運算中的微秒級電流驟變,幫助工程師捕捉PMIC(電源管理芯片)瞬態(tài)響應。

4. 高精度瞬態(tài)捕捉

支持電壓跌落(Droop) 與 過沖(Overshoot) 實時監(jiān)測;

電壓測量精度高達0.025%+0.025%F.S.,電流測量精度 0.05%+0.05%F.S.,確保測試數(shù)據(jù)可靠。

5. 多種測試模式

支持恒電流、恒電壓、恒電阻、恒功率四種模式;

提供序列測試功能,可編輯復雜負載時序,模擬實際工況,適用于PMIC(電源管理芯片)動態(tài)特性驗證。

6.通信與控制

N系列產(chǎn)品圖.jpg

支持RS232、RS485、LAN、USBCAN(選配);

支持SCPI與ModBus協(xié)議,便于系統(tǒng)集成與自動化測試,可快速融入現(xiàn)有測試平臺。

四、產(chǎn)品系列與選型指南

以下為費思N系列電子負載中適用于GPU VPD研發(fā)測試的主力型號,用戶可根據(jù)電流需求選擇:

型號表.png

五、應用場景:從實驗室到產(chǎn)線的全鏈路支持

應用階段測試目標推薦型號費思N系列電子負載價值體現(xiàn)
PMIC/VRM研發(fā)驗證驗證VPD架構(gòu)下的動態(tài)響應FT68203N-20-1000高動態(tài)負載模擬+ 瞬態(tài)捕捉
GPU系統(tǒng)集成測試模擬AI訓練峰值負載FT68215N-20-50005000A擴展能力 + 0.2V低壓帶載
GaN / SiC模塊測試高頻開關(guān)特性驗證FT68206N-20-2000高精度負載+ 低干擾設(shè)計
CPU Vcore測試處理器核心供電驗證FT68203N-20-1000超低壓滿電流+ 高精度測量
產(chǎn)線批量測試穩(wěn)定性與一致性檢測FT68203N-20-1000超低壓滿電流+ 高精度測量

、結(jié)語:為算力時代筑牢電源測試基石

費思N系列超低電壓大電流電子負載,不僅是測試設(shè)備性能的突破,更是對AI算力產(chǎn)業(yè)鏈的一次關(guān)鍵賦能。它解決了VPD架構(gòu)轉(zhuǎn)型過程中的核心測試難題,為英偉達NVIDIA下一代GPU的性能釋放掃清了驗證障礙。隨著AI工廠對能效與密度的要求愈發(fā)嚴苛,費思(Faith)將繼續(xù)以領(lǐng)先的測試技術(shù),攜手全球頂尖的PMIC(電源管理芯片)與功率器件廠商,共同筑牢算力時代的能源基石,見證每一次算力奇跡的誕生。

審核編輯 黃宇

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