SGM05HU1AL:5.5V 單向 ESD 與浪涌保護(hù)器件的深度解析
在電子設(shè)備設(shè)計(jì)中,靜電放電(ESD)和浪涌保護(hù)是至關(guān)重要的環(huán)節(jié),關(guān)乎設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性。SGM05HU1AL 作為一款 5.5V 單向 ESD 和浪涌保護(hù)器件,為電子工程師提供了出色的保護(hù)解決方案。下面,我們就來(lái)深入了解一下這款器件。
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一、產(chǎn)品概述
SGM05HU1AL 專(zhuān)為保護(hù)電壓敏感組件免受 ESD 影響而設(shè)計(jì)。它具備出色的鉗位能力、低泄漏電流、高脈沖峰值電流處理能力以及快速響應(yīng)時(shí)間,能為易受 ESD 影響的設(shè)計(jì)提供一流的保護(hù)。其小巧的尺寸使其非常適合用于手機(jī)、平板電腦、數(shù)碼相機(jī)等對(duì)電路板空間要求較高的便攜式應(yīng)用。
二、產(chǎn)品特性
電氣特性
- 低鉗位電壓:能有效限制電壓,保護(hù)敏感組件。在不同脈沖電流下,如 lpp = 8A(IEC 61000 - 4 - 2 等級(jí) 2 等效)時(shí),鉗位電壓典型值為 6.9V;lpp = 16A(IEC 61000 - 4 - 2 等級(jí) 4 等效)時(shí),典型值為 7.0V;lpp = 43A 時(shí),鉗位電壓在 10.1 - 12.1V 之間。
- 低泄漏電流:反向泄漏電流最大值僅為 1A(VRWM = 5V,I/O 引腳到 GND),減少了不必要的功耗。
- 高脈沖峰值電流處理能力:峰值脈沖電流(tP = 8/20μs)可達(dá) 43A,能承受較大的浪涌沖擊。
- 快速響應(yīng)時(shí)間:可以迅速對(duì) ESD 事件做出響應(yīng),保護(hù)設(shè)備。
- 低結(jié)電容:結(jié)電容(VR = 0V,f = 1MHz)典型值為 100pF,最大值為 130pF,適合高速信號(hào)應(yīng)用。
封裝特性
采用 UTDFN - 1×0.6 - 2BL 小型封裝,節(jié)省電路板空間,便于在緊湊的設(shè)計(jì)中使用。
標(biāo)準(zhǔn)兼容性
符合 IEC 61000 - 4 - 2 4 級(jí)標(biāo)準(zhǔn)(±30kV 接觸放電)和 IEC 61000 - 4 - 5(雷電)43A(8/20μs)標(biāo)準(zhǔn),為設(shè)備提供可靠的 ESD 和浪涌保護(hù)。
環(huán)保特性
該器件無(wú)鉛、無(wú)鹵素/BFR 且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),滿(mǎn)足環(huán)保要求。
三、應(yīng)用場(chǎng)景
常見(jiàn)應(yīng)用
- USB VBUS 和 CC 線保護(hù):確保 USB 接口在數(shù)據(jù)傳輸和充電過(guò)程中免受 ESD 和浪涌的影響。
- 麥克風(fēng)線保護(hù):保護(hù)麥克風(fēng)免受靜電干擾,保證音頻信號(hào)的質(zhì)量。
- GPIO 保護(hù):防止通用輸入輸出端口受到 ESD 損害。
四、絕對(duì)最大額定值
| 參數(shù) | 符號(hào) | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 峰值脈沖電流(tP = 8/20μs) | IPP | 43 | A |
| ESD IEC 61000 - 4 - 2(空氣) | VESD | ±30 | kV |
| ESD IEC 61000 - 4 - 2(接觸) | ±30 | kV | |
| 工作溫度范圍 | TJ | -40 至 +125 | ℃ |
| 存儲(chǔ)溫度范圍 | TSTG | -55 至 +150 | ℃ |
| 引腳溫度(焊接,10s) | +260 | ℃ |
需要注意的是,超過(guò)這些額定值可能會(huì)損壞器件,影響其功能和可靠性。
五、電氣參數(shù)
| 符號(hào) | 參數(shù) |
|---|---|
| lpp | 最大反向峰值脈沖電流 |
| Vc | 鉗位電壓 @ Ipp |
| VRWM | 工作峰值反向電壓 |
| IR | 最大反向泄漏電流 @ VRwM |
| VBR | 擊穿電壓 @ Ir |
| Ir | 測(cè)試電流 |
六、典型性能特性
脈沖波形
ESD 脈沖波形符合 IEC 61000 - 4 - 2 標(biāo)準(zhǔn),8/20μs 波形符合 IEC 61000 - 4 - 5 標(biāo)準(zhǔn)。其上升時(shí)間在 0.7ns 至 1ns 之間,前沿時(shí)間 t1 = tR × 1.25 = 8μs ± 20%,持續(xù)時(shí)間 tD = 20μs ± 20%。
電流 - 電壓曲線
通過(guò) TLP 測(cè)試得到的電流 - 電壓曲線,展示了器件在不同電壓下的電流特性,幫助工程師了解其工作狀態(tài)。
電容 - 反向電壓關(guān)系
結(jié)電容隨反向電壓的變化而變化,在 VR = 0V,f = 1MHz 時(shí),典型值為 100pF,最大值為 130pF。
鉗位電壓 - 峰值脈沖電流關(guān)系
正、負(fù)鉗位電壓與峰值脈沖電流(tP = 8/20μs)的關(guān)系曲線,直觀地反映了器件在不同脈沖電流下的鉗位能力。
七、應(yīng)用指南
TVS 放置
應(yīng)將 TVS 盡可能靠近輸入連接器,以減少 ESD 干擾的路徑。
TVS 走線布局
- 避免受保護(hù)走線與未受保護(hù)走線平行,減少干擾。
- 盡量縮短 TVS 與受保護(hù)線路之間的路徑長(zhǎng)度。
- 減少平行信號(hào)路徑長(zhǎng)度。
- 使受保護(hù)走線盡可能筆直。
接地布局
- 避免使用與 TVS 瞬態(tài)返回路徑共用的公共接地點(diǎn)。
- 盡量縮短 TVS 瞬態(tài)返回路徑到地的長(zhǎng)度。
- 使用盡可能靠近 TVS 瞬態(tài)返回地的接地過(guò)孔。
八、封裝信息
封裝外形尺寸
| UTDFN - 1×0.6 - 2BL 封裝的詳細(xì)尺寸信息如下: | 符號(hào) | 最小尺寸(mm) | 標(biāo)稱(chēng)尺寸(mm) | 最大尺寸(mm) |
|---|---|---|---|---|
| A | 0.450 | 0.550 | ||
| A1 | 0.000 | 0.050 | ||
| A2 | 0.150 REF | |||
| b | 0.200 | 0.300 | ||
| D | 0.950 | 1.050 | ||
| E | 0.550 | 0.650 | ||
| e | 0.650 BSC | |||
| L | 0.450 | 0.550 | ||
| L1 | 0.050 REF | |||
| eee | 0.080 |
編帶和卷盤(pán)信息
| 封裝類(lèi)型 | 卷盤(pán)直徑 | 卷盤(pán)寬度 W1(mm) | A0(mm) | B0(mm) | K0(mm) | P0(mm) | P1(mm) | P2(mm) | W(mm) | 引腳 1 象限 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| UTDFN - 1×0.6 - 2BL | 7" | 8.6 | 0.70 | 1.15 | 0.57 | 4.0 | 2.0 | 2.0 | 8.0 | Q1 |
紙箱尺寸
不同卷盤(pán)類(lèi)型對(duì)應(yīng)的紙箱尺寸也有所不同,如 7″(Option)的紙箱尺寸為長(zhǎng) 368mm、寬 227mm、高 224mm;7″的紙箱尺寸為長(zhǎng) 442mm、寬 410mm、高 224mm。
九、總結(jié)
SGM05HU1AL 是一款性能出色的 5.5V 單向 ESD 和浪涌保護(hù)器件,具有低鉗位電壓、低泄漏電流、高脈沖峰值電流處理能力等優(yōu)點(diǎn),適用于多種便攜式應(yīng)用。在設(shè)計(jì)過(guò)程中,工程師應(yīng)根據(jù)其特性和應(yīng)用指南進(jìn)行合理布局,以充分發(fā)揮其保護(hù)作用。大家在實(shí)際應(yīng)用中,是否遇到過(guò)類(lèi)似保護(hù)器件的使用問(wèn)題呢?歡迎交流分享。
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