SGM42501:高性能3.6A有刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片解析
在電子工程師的日常工作中,電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片的選擇至關(guān)重要,它直接影響到電機(jī)的性能和整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定性。今天,我們就來深入了解一下圣邦微電子(SGMICRO)推出的SGM42501有刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片。
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一、產(chǎn)品概述
SGM42501是一款集成了四個(gè)N - MOSFET的有刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片,能夠在40V電壓下提供高達(dá)3.6A的峰值電流。它支持PH/EN接口,可通過輸入接口實(shí)現(xiàn)PWM信號(hào)來調(diào)節(jié)電機(jī)速度,還能通過VREF引腳結(jié)合控制器的DAC輸出或經(jīng)過RC濾波后的PWM信號(hào)實(shí)時(shí)調(diào)整PWM電流限制或扭矩。此外,該芯片具備過流、短路、欠壓鎖定和熱關(guān)斷等多種保護(hù)功能,故障排除后可自動(dòng)恢復(fù)正常運(yùn)行。它采用綠色SOIC - 8(外露焊盤)封裝。
二、產(chǎn)品特性
2.1 強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)能力
- H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng):采用H橋結(jié)構(gòu),能夠方便地控制電機(jī)的正反轉(zhuǎn)。
- 寬工作電壓范圍:工作電壓范圍為7V至40V,能適應(yīng)多種不同的電源環(huán)境。
- 低導(dǎo)通電阻:在+25℃時(shí),高側(cè)和低側(cè)的總導(dǎo)通電阻僅為0.41Ω,可有效降低功耗。
- 高峰值輸出電流:能夠提供3.6A的峰值輸出電流,滿足大多數(shù)有刷直流電機(jī)的驅(qū)動(dòng)需求。
2.2 靈活的控制方式
- PH/EN接口:支持PH/EN接口,可通過PWM信號(hào)實(shí)現(xiàn)電機(jī)速度的精確調(diào)節(jié)。
- 實(shí)時(shí)可調(diào)的PWM電流限制:通過VREF引腳,可結(jié)合控制器的DAC輸出或PWM信號(hào)實(shí)時(shí)調(diào)整電流限制,以滿足不同的應(yīng)用需求。
2.3 低功耗與保護(hù)功能
- 低功耗待機(jī)模式:當(dāng)EN/PH引腳低電平持續(xù)超過1ms時(shí),芯片進(jìn)入低功耗待機(jī)模式,可有效降低功耗。
- 集成保護(hù)功能:具備過流保護(hù)(OCP)、欠壓鎖定(UVLO)、熱關(guān)斷(TSD)和自動(dòng)重試功能,能有效保護(hù)芯片和電機(jī),提高系統(tǒng)的可靠性。
三、應(yīng)用領(lǐng)域
SGM42501適用于多種領(lǐng)域,如打印機(jī)、真空吸塵器、機(jī)器人、工業(yè)泵和閥門等。這些應(yīng)用場(chǎng)景都對(duì)電機(jī)的控制精度和穩(wěn)定性有較高要求,而SGM42501的高性能特性正好滿足了這些需求。大家在實(shí)際應(yīng)用中,是否遇到過因?yàn)殡姍C(jī)驅(qū)動(dòng)芯片性能不足而導(dǎo)致系統(tǒng)故障的情況呢?
四、典型應(yīng)用電路
典型應(yīng)用電路中,電源VM通過電容進(jìn)行濾波,EN和PH引腳連接到控制器,VREF引腳根據(jù)需要連接DAC輸出或經(jīng)過RC濾波后的PWM信號(hào)。OUT1和OUT2引腳連接到電機(jī),LSS引腳可用于電流檢測(cè)。在設(shè)計(jì)電路時(shí),需要注意電容的選擇和布局,以確保電源的穩(wěn)定性。大家認(rèn)為在實(shí)際布線中,哪些地方需要特別注意呢?
五、引腳配置與功能
5.1 引腳配置
| SGM42501采用SOIC - 8(外露焊盤)封裝,各引腳功能如下: | PIN | NAME | TYPE | FUNCTION |
|---|---|---|---|---|
| 1 | GND | G | 接地 | |
| 2 | EN | I | 使能輸入,低電平使H橋進(jìn)入制動(dòng)或滑行模式 | |
| 3 | PH | I | 方向輸入,控制H橋的方向和速度 | |
| 4 | VREF | I | 模擬輸入,設(shè)置電流限制 | |
| 5 | VM | P | 電源電壓 | |
| 6 | OUT1 | O | H橋輸出1 | |
| 7 | LSS | O | 功率返回,可用于連接感測(cè)電阻或直接連接到電源焊盤接地 | |
| 8 | OUT2 | O | H橋輸出2 | |
| 外露焊盤 | GND | 外露焊盤,用于增強(qiáng)散熱 |
5.2 引腳功能詳解
- GND:作為整個(gè)電路的參考地,確保電路的穩(wěn)定運(yùn)行。
- EN:通過控制該引腳的電平,可以使電機(jī)進(jìn)入不同的工作模式,如制動(dòng)、滑行或正常運(yùn)行。
- PH:結(jié)合PWM信號(hào),可精確控制電機(jī)的旋轉(zhuǎn)方向和速度。
- VREF:用于設(shè)置電流限制,通過調(diào)整VREF的電壓值,可以改變電機(jī)的最大電流。
- VM:為芯片提供電源,要確保電源的穩(wěn)定性和紋波符合要求。
- OUT1和OUT2:連接到電機(jī),輸出驅(qū)動(dòng)電機(jī)所需的電壓和電流。
- LSS:可用于電流檢測(cè),幫助實(shí)現(xiàn)精確的電流控制。
六、電氣特性
6.1 電源特性
- 電源電壓:工作電壓范圍為7V至40V,電源電流在VM = 12V時(shí)為2 - 3mA,待機(jī)模式下電源電流為3 - 5μA。
6.2 邏輯輸入特性
- 輸入邏輯低電壓:在-40℃至+125℃的溫度范圍內(nèi),輸入邏輯低電壓為0.5V。
- 輸入邏輯高電壓:在相同溫度范圍內(nèi),輸入邏輯高電壓為1.5V。
6.3 電機(jī)驅(qū)動(dòng)輸出特性
- 高側(cè)FET導(dǎo)通電阻:在VM = 24V,IOUT = 0.5A時(shí),高側(cè)FET導(dǎo)通電阻為250 - 300mΩ。
- 低側(cè)FET導(dǎo)通電阻:在相同條件下,低側(cè)FET導(dǎo)通電阻為160 - 190mΩ。
6.4 保護(hù)特性
- 欠壓鎖定:當(dāng)VM引腳電壓低于6 - 6.6V時(shí),芯片進(jìn)入欠壓鎖定狀態(tài);當(dāng)電壓回升到6.2 - 6.8V時(shí),恢復(fù)正常工作。
- 過流保護(hù):過流保護(hù)跳閘電平為4A,過流消抖時(shí)間為2μs,過流重試時(shí)間為10ms。
- 熱關(guān)斷:當(dāng)結(jié)溫超過165℃時(shí),芯片進(jìn)入熱關(guān)斷狀態(tài),溫度回落后恢復(fù)工作,熱關(guān)斷溫度遲滯為30℃。
大家在實(shí)際使用中,是否會(huì)特別關(guān)注這些電氣特性對(duì)電機(jī)性能的影響呢?
七、PWM控制與真值表
7.1 PWM控制
PWM信號(hào)可應(yīng)用于EN或PH引腳,實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)速度的控制。當(dāng)PWM信號(hào)應(yīng)用于EN引腳時(shí),PH引腳設(shè)置為高或低來控制電機(jī)方向;當(dāng)PWM信號(hào)應(yīng)用于PH引腳時(shí),EN引腳需設(shè)置為高以啟用輸出。
7.2 真值表
| EN | PH | OUT1 | OUT2 | Function |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 0 | L | H | 反轉(zhuǎn) |
| 1 | 1 | H | L | 正轉(zhuǎn) |
| 0 | 1 | L | L | 制動(dòng)(慢衰減) |
| 0 | 0 | Z | Z | 滑行,1ms后進(jìn)入低功耗待機(jī)模式,通過體二極管快速衰減 |
| EN | PH | Decay Logic |
|---|---|---|
| 1 | PWM | 快速衰減 |
| PWM | 0 | 快速衰減 |
| PWM | 1 | 慢衰減 |
通過這些真值表,我們可以清晰地了解芯片在不同輸入信號(hào)下的工作狀態(tài),從而更好地進(jìn)行電機(jī)控制。大家在實(shí)際編程中,是如何根據(jù)這些真值表來實(shí)現(xiàn)電機(jī)控制的呢?
八、詳細(xì)工作原理
8.1 內(nèi)部電荷泵
內(nèi)部電荷泵用于產(chǎn)生必要的柵極驅(qū)動(dòng)電壓,確保MOSFET能夠正常導(dǎo)通。
8.2 待機(jī)模式
當(dāng)EN/PH引腳低電平持續(xù)超過1ms時(shí),芯片進(jìn)入待機(jī)模式,此時(shí)輸出MOSFET、電荷泵和調(diào)節(jié)器關(guān)閉,以節(jié)省功耗。
8.3 內(nèi)部PWM電流控制
采用固定關(guān)斷時(shí)間控制電路來限制輸出電流。當(dāng)電機(jī)電流超過電流限制設(shè)置時(shí),兩個(gè)低側(cè)MOSFET會(huì)同時(shí)導(dǎo)通tOFF時(shí)間,采用慢衰減模式來調(diào)整電流。電流限制由VREF和RS共同決定,計(jì)算公式為:(TRIPMAX =frac{V{REF }}{10 × R{S}})。
8.4 保護(hù)功能
- 過流保護(hù)(OCP):每個(gè)MOSFET都有預(yù)設(shè)的過流限制,當(dāng)發(fā)生過流時(shí),整個(gè)H橋?qū)⒈唤茫酒瑫?huì)在tRETRY后重試。
- 熱關(guān)斷(TSD):當(dāng)芯片結(jié)溫過高時(shí),驅(qū)動(dòng)會(huì)關(guān)閉,溫度恢復(fù)到安全水平后,芯片恢復(fù)工作。
- 欠壓鎖定(UVLO):當(dāng)VM引腳電壓低于欠壓鎖定閾值時(shí),芯片被禁用,電源電壓回升后恢復(fù)工作。
九、應(yīng)用注意事項(xiàng)
9.1 感測(cè)引腳(LSS)
如果使用PWM電流控制,建議在LSS和GND引腳之間放置一個(gè)低值電阻用于電流感測(cè)。要注意最小化接地走線的IR壓降,推薦使用表面貼裝和低電感的感測(cè)電阻,并考慮電阻的封裝和散熱問題。在PCB布局時(shí),應(yīng)將電阻盡可能靠近電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片。
9.2 接地和布局準(zhǔn)則
- 電源去耦:電源VM建議使用大容量電容和小容量陶瓷電容并聯(lián)進(jìn)行去耦,陶瓷電容應(yīng)盡可能靠近芯片。
- 散熱設(shè)計(jì):芯片底部的外露焊盤用于散熱,應(yīng)直接焊接到PCB板的外露表面,并可使用熱過孔來增強(qiáng)散熱效果。
- 單點(diǎn)接地:建議采用低阻抗的單點(diǎn)接地(星型接地),通常將芯片熱焊盤下方的銅接地平面作為星型接地。大家在實(shí)際設(shè)計(jì)中,是否有遇到過因?yàn)榻拥睾筒季謫栴}導(dǎo)致的干擾或散熱不良的情況呢?
十、封裝與訂購(gòu)信息
10.1 封裝信息
SGM42501采用SOIC - 8(外露焊盤)封裝,具體尺寸和推薦焊盤尺寸可參考文檔中的詳細(xì)說明。
10.2 訂購(gòu)信息
| MODEL | PACKAGE DESCRIPTION | SPECIFIED TEMPERATURE RANGE | ORDERING NUMBER | PACKAGE MARKING | PACKING OPTION |
|---|---|---|---|---|---|
| SGM42501 | SOIC - 8(Exposed Pad) | -40℃ to +125℃ | SGM42501XPS8G/TR | SGM 42501XPS8 XXXXX | Tape and Reel, 4000 |
其中,XXXXX為日期代碼、追溯代碼和供應(yīng)商代碼。
總之,SGM42501是一款性能出色、功能豐富的有刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片,在多種應(yīng)用場(chǎng)景中都能發(fā)揮重要作用。電子工程師在設(shè)計(jì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)時(shí),可以充分考慮其特性和優(yōu)勢(shì),以實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定的電機(jī)控制。大家對(duì)這款芯片還有什么疑問或使用經(jīng)驗(yàn)?zāi)??歡迎在評(píng)論區(qū)分享。
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