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SGM42600 雙 H 橋電機(jī)驅(qū)動芯片:特性、應(yīng)用與設(shè)計(jì)要點(diǎn)

lhl545545 ? 2026-03-25 19:05 ? 次閱讀
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SGM42600 雙 H 橋電機(jī)驅(qū)動芯片:特性、應(yīng)用與設(shè)計(jì)要點(diǎn)

電子工程師的日常工作中,電機(jī)驅(qū)動芯片是實(shí)現(xiàn)電機(jī)精確控制的關(guān)鍵組件。今天,我們來深入了解一下 SGM42600 這款雙 H 橋電機(jī)驅(qū)動芯片,探討它的特性、應(yīng)用場景以及設(shè)計(jì)過程中的注意事項(xiàng)。

文件下載:SGM42600.pdf

一、芯片概述

SGM42600 是一款集成了兩個(gè) H 橋的電機(jī)驅(qū)動設(shè)備,它的強(qiáng)大之處在于既可以驅(qū)動一個(gè)雙極步進(jìn)電機(jī),也能同時(shí)驅(qū)動兩個(gè)直流有刷電機(jī)。這種靈活性使得它在眾多領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用,比如打印機(jī)、電池供電玩具、機(jī)器人、相機(jī)、游戲機(jī)以及辦公自動化設(shè)備等。

二、關(guān)鍵特性

電源電流能力

  • 電源電壓范圍:SGM42600 的電源電壓范圍為 2.7V 至 24V,這使得它能夠適應(yīng)不同的電源環(huán)境。在 (V{CC}=5V) 且 (T{A}= +25^{circ}C) 的條件下,每個(gè) H 橋可提供高達(dá) 2A 的峰值電流或 1.5A 的 RMS 輸出電流。不過需要注意的是,當(dāng) (V_{CC}) 電壓降低時(shí),電流能力會稍有下降。
  • 低導(dǎo)通電阻:在 (+25^{circ}C) 時(shí),HS + LS 的導(dǎo)通電阻僅為 0.41Ω,這有助于減少功率損耗,提高效率。

保護(hù)功能

芯片具備多種內(nèi)部保護(hù)功能,包括過流保護(hù)(OCP)、電源欠壓鎖定(UVLO)、電荷泵欠壓鎖定(CPUV)和過溫保護(hù)(OTP)。當(dāng)出現(xiàn)故障時(shí),nFAULT 引腳會發(fā)出低電平信號,方便工程師及時(shí)發(fā)現(xiàn)問題。

睡眠模式

為了節(jié)省功耗,SGM42600 設(shè)計(jì)了睡眠模式。當(dāng) nSLEEP 引腳為低電平時(shí),芯片進(jìn)入低功耗睡眠模式,這在設(shè)備不驅(qū)動電機(jī)時(shí)非常實(shí)用。

封裝形式

SGM42600 提供了綠色 TQFN - 4×4 - 16L 和 TSSOP - 16(外露焊盤)兩種封裝形式,并且其工作環(huán)境溫度范圍為 - 40℃ 至 + 125℃,能夠適應(yīng)較為惡劣的工作環(huán)境。

三、引腳配置與功能

引腳配置

SGM42600 的引腳配置在不同封裝形式下有所不同,但主要功能引腳基本一致。包括電機(jī)輸出引腳(AOUT1、AOUT2、BOUT1、BOUT2)、輸入引腳(AIN1、AIN2、BIN1、BIN2)、睡眠模式控制引腳(nSLEEP)、故障指示引腳(nFAULT)等。

引腳功能

  • 輸出引腳:用于連接電機(jī)繞組,驅(qū)動電機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)。
  • 輸入引腳:內(nèi)部有下拉電阻,用于控制電機(jī)的轉(zhuǎn)動方向和速度。
  • nSLEEP 引腳:低電平使芯片進(jìn)入睡眠模式,高電平使能設(shè)備。
  • nFAULT 引腳:開漏輸出,當(dāng)出現(xiàn)故障時(shí)變?yōu)榈碗娖健?/li>

四、電氣特性

電源相關(guān)特性

  • 工作電源電壓:范圍為 2.7V 至 24V。
  • 工作電源電流:在 (xIN1 = 0V),(xIN2 = 0V) 且 (T_{A}= +25^{circ}C) 時(shí),為 1.7 - 2.3mA。
  • 睡眠模式電源電流:在 (T_{A}= +25^{circ}C) 時(shí),僅為 0.7 - 1.6μA。

邏輯電平輸入特性

  • 輸入低電壓:nSLEEP 和其他引腳在 (V_{CC}=2.7V) 至 24V 時(shí),為 0.7V。
  • 輸入高電壓:nSLEEP 為 2.3V,其他引腳為 2.1V。

H 橋 FET 特性

  • HS FET 導(dǎo)通電阻:在不同電壓和電流條件下有所變化,例如在 (V{CC}=5V),(IO = 200mA) 且 (T{A}= +25^{circ}C) 時(shí)為 230mΩ。
  • LS FET 導(dǎo)通電阻:同樣受電壓和電流影響,如 (V{CC}=5V),(IO = -200mA) 且 (T{A}= +25^{circ}C) 時(shí)為 180mΩ。

保護(hù)電路特性

  • 過流保護(hù)跳閘電平:在 (T_{A}= +25^{circ}C) 時(shí)為 2.5 - 3.7A。
  • 過流保護(hù)去毛刺時(shí)間:在 (T_{A}= +25^{circ}C) 時(shí)為 4.7μs。
  • 過流保護(hù)周期:在 (T_{A}= +25^{circ}C) 時(shí)為 1.4ms。
  • 熱關(guān)斷溫度:芯片結(jié)溫達(dá)到 170℃ 時(shí)觸發(fā)熱關(guān)斷,熱關(guān)斷溫度滯后為 20℃。

五、應(yīng)用設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

電源設(shè)計(jì)

  • 為了保證芯片的穩(wěn)定工作,(V_{CC}) 引腳需要連接到電機(jī)電源,并通過一個(gè) 10μF(最?。┑奶沾?a href="http://www.greenbey.cn/tags/電容/" target="_blank">電容旁路到 GND。
  • VCP 引腳需要連接一個(gè) 0.01μF、30V(最?。┑奶沾呻娙莸?(V_{CC}) 引腳。
  • VINT 引腳需要通過一個(gè) 2.2μF、6.3V 的電容旁路到 GND。

ESD 保護(hù)

由于該芯片對 ESD 比較敏感,在設(shè)計(jì)和使用過程中需要采取適當(dāng)?shù)?ESD 保護(hù)措施,否則可能會導(dǎo)致芯片性能下降甚至完全失效。

散熱設(shè)計(jì)

在高電流工作時(shí),芯片會產(chǎn)生一定的熱量。因此,需要根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行適當(dāng)?shù)纳嵩O(shè)計(jì),以確保芯片工作在合適的溫度范圍內(nèi)。

六、總結(jié)

SGM42600 雙 H 橋電機(jī)驅(qū)動芯片以其豐富的功能、良好的性能和廣泛的應(yīng)用場景,成為電子工程師在電機(jī)驅(qū)動設(shè)計(jì)中的一個(gè)不錯(cuò)選擇。在實(shí)際應(yīng)用中,我們需要充分了解其特性和設(shè)計(jì)要點(diǎn),合理進(jìn)行電路設(shè)計(jì)和布局,以確保芯片能夠穩(wěn)定、高效地工作。大家在使用 SGM42600 過程中遇到過哪些問題呢?歡迎在評論區(qū)分享交流。

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