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先進(jìn)節(jié)點(diǎn)晶圓檢測(cè):利用暗場(chǎng)和紫外成像檢測(cè)圖案晶圓缺陷

jf_64961214 ? 來源:jf_64961214 ? 作者:jf_64961214 ? 2026-03-27 08:07 ? 次閱讀
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圖1. 暗場(chǎng)照明示意圖,顯示i2Nocturn相機(jī)收集來自表面缺陷的散射光。

圖案晶圓檢測(cè)日益嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)

半導(dǎo)體晶圓檢測(cè)已成為良率、可靠性和上市時(shí)間的關(guān)鍵決定因素。隨著器件尺寸的縮小,由于密集的布局和復(fù)雜的結(jié)構(gòu)降低了視覺對(duì)比度,圖形晶圓檢測(cè)變得愈發(fā)困難。這使得關(guān)鍵缺陷能夠與預(yù)期特征融為一體。

暗場(chǎng)檢測(cè)是一種用于半導(dǎo)體制造光學(xué)檢測(cè)技術(shù),通過捕捉散射光而非反射光來檢測(cè)缺陷。

傳統(tǒng)的明場(chǎng)檢測(cè)方法往往難以揭示某些缺陷類型,因此采用其他檢測(cè)模式至關(guān)重要。

看見明場(chǎng)檢測(cè)遺漏的缺陷

暗場(chǎng)檢測(cè)在檢測(cè)有圖案晶圓的表面相關(guān)缺陷方面表現(xiàn)出色。圖案邊緣缺陷、微橋和發(fā)絲劃痕產(chǎn)生的反射光對(duì)比度極低,但散射光強(qiáng)烈。在暗場(chǎng)模式下,這些干擾清晰可見,能夠更早地檢測(cè)出可能導(dǎo)致短路或開路的半導(dǎo)體缺陷。

這種方法對(duì)于檢測(cè)極小的顆粒污染也非常有效。在先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上,即使比圖案節(jié)距更小的顆粒也可能影響良率。雖然明場(chǎng)檢測(cè)可能難以將顆粒與圖案背景區(qū)分開來,但暗場(chǎng)成像通過強(qiáng)調(diào)散射光來提高可見度。

提高晶圓檢測(cè)中的缺陷與圖案對(duì)比度

除了靈敏度外,晶圓廠還必須管理由密集圖案結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的干擾信號(hào)。暗場(chǎng)檢測(cè)通過放大來自顆粒、劃痕或邊緣缺陷等不規(guī)則特征的散射光,使缺陷更加突出。

當(dāng)結(jié)合優(yōu)化的檢測(cè)算法時(shí),這種增強(qiáng)的對(duì)比度有助于區(qū)分真正的半導(dǎo)體缺陷檢測(cè)信號(hào)與正常的圖案變化。其結(jié)果是減少了不必要的復(fù)檢工作量,并提高了檢測(cè)效率。

利用紫外成像擴(kuò)展暗場(chǎng)檢測(cè)

隨著設(shè)備尺寸不斷縮小,檢測(cè)性能越來越依賴于波長(zhǎng)的選擇。當(dāng)特征尺寸接近可見光的極限時(shí),檢測(cè)靈敏度可能會(huì)受到限制。紫外成像通過利用與納米級(jí)邊緣和顆粒強(qiáng)烈相互作用的短波長(zhǎng),增強(qiáng)了暗場(chǎng)檢測(cè)的有效性。

在圖形晶圓檢測(cè)中,紫外暗場(chǎng)成像提供:

●精細(xì)邊緣缺陷的增強(qiáng)散射

●改進(jìn)的亞像素顆粒污染檢測(cè)

●在高密度布局中實(shí)現(xiàn)更高的缺陷與圖案對(duì)比度

●通過針對(duì)先進(jìn)節(jié)點(diǎn)物理特性優(yōu)化暗場(chǎng)檢測(cè),紫外成像能夠?qū)崿F(xiàn)更早的缺陷檢測(cè)和更強(qiáng)的良率保護(hù)。

先進(jìn)晶圓檢測(cè)的紫外相機(jī)解決方案

Exosens 提供專為暗場(chǎng)晶圓檢測(cè)應(yīng)用設(shè)計(jì)的紫外相機(jī)解決方案(i2Nocturn 和 iNocturn 系列)。這些相機(jī)經(jīng)過設(shè)計(jì),可在紫外波長(zhǎng)下提供高靈敏度、低噪聲和穩(wěn)定的性能,支持在先進(jìn)圖形晶圓上實(shí)現(xiàn)一致的缺陷檢測(cè)。

主要優(yōu)勢(shì)包括:

●優(yōu)化的紫外量子效率,以增強(qiáng)散射檢測(cè)

●對(duì)細(xì)微缺陷信號(hào)具有高靈敏度

●低噪聲成像,以提高缺陷與圖案的區(qū)分能力

●兼容暗場(chǎng)檢測(cè)架構(gòu)

無論是在工藝開發(fā)、在線檢測(cè)還是失效分析中,紫外成像都有助于將晶圓檢測(cè)能力擴(kuò)展到可見光限制之外。

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在納米尺度下洞察關(guān)鍵細(xì)節(jié)

暗場(chǎng)檢測(cè)在現(xiàn)代圖形晶圓檢測(cè)中發(fā)揮著重要作用,有助于揭示邊緣缺陷、微小顆粒以及密集布局中的低對(duì)比度干擾。隨著器件尺寸的不斷縮小,紫外成像提供了一種自然的擴(kuò)展,能夠在不改變基本檢測(cè)方法的情況下提高暗場(chǎng)靈敏度。

通過將暗場(chǎng)架構(gòu)與專用紫外相機(jī)相結(jié)合,晶圓廠能夠獲得必要的可見度,在缺陷影響良率、性能或上市時(shí)間之前將其檢測(cè)出來。

審核編輯 黃宇

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