磁芯損耗是磁芯材料內交替磁場引致的結果。某一種材料所產生的損耗，是操作頻率與總磁通擺幅(ΔB)的函數。磁芯損耗是由磁芯材料的磁滯、渦流和剩余損耗引起的。每個材料頁面都有顯示每種材料的磁芯損耗曲線及與曲線配合的公式。這些資料是用卡拉克-希斯瓦特計(Clarke-HesseV-A-W Meter)所測得的正弦波磁芯損耗算出的，這些曲線的典型公差為±15%。各種頻率的磁芯損耗作為一個 AC 磁通密度峰值的函數時，以每立方厘米多少毫瓦特(mW/cm 3 )顯示。查閱 Core Loss Comparison Table 提供了每種材料在某一特定 AC 磁通密度下相應于不同頻率的磁芯損耗(單位為mW/cm 3 )的快捷比較，各種材料在其他磁通密度下的相對磁芯損耗，會隨每種材料對所操作的 AC 磁通密度反應而不同。用于計算在某一交變信號下的 AC 磁通密度峰值的公式，是以每半周平均電壓的國際單位(SI Unit)為依據:

若用 cgs 單位時，下面公式常用于正弦波訊號，其中電壓以 rms 值計算

因數 10的8次方是因為要將 Bpk 由特斯拉(Tesla)轉為高斯(1 特斯拉=10的4次方 高斯)及將橫截面積(A)由 m 2換算為 cm 2 (m 2=10的4次方 cm2 )的結果。常數由 4 轉為 4.44，是基于正弦波的波形，由于波形因數等於 rms 值除以半周平均值，所以，正弦波的波形因數是 1.11 (π/(2√2)。方形波的波形因數為 1.00。

這一公式是用于測定 AC 磁通密度的峰值(Bpk)，與磁芯損耗曲線并用，在正弦波的應用上，例如 60Hz 的差模線性濾波電感器，電源諧振電感器及功率因數校正抗流器的基本線路頻率訊號方面均適合。

在這狀態(tài)下，磁芯產生—種 AC 磁通密度峰與峰之間的擺幅(ΔB)，這一擺幅是上述公式所計算出的 AC 磁通密度峰值(Bpk)的兩倍，如下圖所示 ：

在總損耗主要是由磁芯損耗而不是銅損耗引起的電感器用途上，可用磁導率較低的磁芯材料改進總體的表現。這在高頻諧振電感器方面是典型的方法。

采用磁導率較低的磁芯材料時(例如材料-2，μ = 10)，則需另加圈數來取得所要求的電感值。增加圈數固然會增加線圈損耗，但也會降低操作的 AC 磁通密度，令磁芯損耗減少。

在鐵氧結構內造一個特定的氣隙，也可降低磁芯的有效磁導率，從而降低操作磁通密度，但此種氣隙可以造成嚴重的局部氣隙損耗問題，當頻率高于 100 kHz 時尤其顯注。在很多例子里，氣隙損耗都會超過磁芯損耗。由于鐵粉磁芯里的氣隙是均勻分布的，所以這類局部氣隙損耗基本上是不存在的。

要顯示出磁導率較低的材料在磁芯損耗方面的長處,我們考慮一個設定在某值的電感器.用材料-2 (μ o = 10)比用材料-8(μ o = 35)的圈數要多 87%，這個較大的圈數令材料-2 的 AC 磁通密度只有材料-8 的 53%左右。結果用材料-2 的電感器的磁芯損耗，只有材料-8 的四份之一。一般情況下建議以材料-2，-14 作諧振電感器用途。

鐵粉磁芯在開關電源中最普遍的用途之一是 DC 輸出扼流圈，在這用途上，DC 電流及由方波電壓所引起的少量紋波電流，會在線圈造成偏置。此 DC 電流會產生一種 DC 磁通密度，而方形波電壓則產生一種交變(AC)磁通密度。

磁性材料上的直流偏置，會引至較次要的交變 BH 回線位移，但不會對磁芯損耗造成明顯影響，只有交變的磁通密度(ΔB)才能產生磁芯損耗。此種情況如下圖所示:

在相同的頻率和磁通密度總擺幅(ΔB)下所作的磁芯損耗測量，可得知方形波比正弦波的磁芯損耗略高。

下圖顯示了一典型的方波電壓在一個開關電源中經過電感器時的情況:

由于伏特-秒(Et 積)在一個周期內開與關的部分必須在穩(wěn)定狀態(tài)下相等，因此，計算一個方波(不一定是對稱的)的磁通密度峰峰值，以 cgs 為單位的公式如下:

在單端應用中，例如反激變換，需要用前面提到的總磁通密度峰峰值公式，來檢驗在磁芯材料的最大磁通密度限值內的動作以防止磁飽和。

但是，因業(yè)界習慣于以對稱零點的操作狀態(tài)下的 AC 磁通密度峰值的函數來表示磁芯損耗，所提供的磁芯損耗曲線假設Bpk = ΔB/2。所以，磁芯損耗是以在全周期的頻率下，用磁通密度峰峰值的一半從圖表中得出的，這里的 f = 1/tp.

下列的公式應用於計算 AC 磁通密度峰值，此值與磁芯損耗曲線圖連用，可確定應用于各種 DC 偏置電感器的鐵粉磁芯的高頻磁芯損耗:

在有功功率因數校正升壓拓撲的電感器中，不存在單穩(wěn)態(tài)波形。而是在高頻時（典型為 100 kHz）,通過電感器的電壓峰值(E)和動作時間(t),在整個電網頻率(50 或 60Hz)周期不斷變化。在這狀態(tài)下的磁芯損耗，是電網頻率周期內各脈沖的平均時間磁芯損耗