安森美NVTFS024N06C MOSFET：高效與緊湊的完美結(jié)合

在電子工程師的日常設(shè)計(jì)中，MOSFET是一種常見(jiàn)且至關(guān)重要的功率器件。今天，我們來(lái)深入了解一下安森美（onsemi）推出的NVTFS024N06C單通道N溝道MOSFET，它在緊湊設(shè)計(jì)和高性能方面表現(xiàn)出色。

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產(chǎn)品特點(diǎn)

緊湊設(shè)計(jì)

NVTFS024N06C采用了3.3 x 3.3 mm的小封裝尺寸，這對(duì)于追求緊湊設(shè)計(jì)的應(yīng)用來(lái)說(shuō)是一個(gè)巨大的優(yōu)勢(shì)。無(wú)論是在空間有限的便攜式設(shè)備，還是對(duì)體積有嚴(yán)格要求的工業(yè)應(yīng)用中，這種小尺寸的MOSFET都能輕松適配，為設(shè)計(jì)帶來(lái)更多的靈活性。

低損耗特性

低導(dǎo)通電阻（$R_{DS(on)}$）：該MOSFET具有低$R_{DS(on)}$，能夠有效降低導(dǎo)通損耗。在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中，低導(dǎo)通電阻意味著更少的能量損失，從而提高了系統(tǒng)的效率。例如，在電池供電的設(shè)備中，低導(dǎo)通電阻可以延長(zhǎng)電池的使用壽命。
低柵極電荷（$Q_{G}$）和電容：低$Q_{G}$和電容能夠減少驅(qū)動(dòng)損耗，降低驅(qū)動(dòng)電路的功耗。這使得MOSFET在高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用中能夠更快地響應(yīng)，減少開(kāi)關(guān)時(shí)間，提高系統(tǒng)的整體性能。

可焊?jìng)?cè)翼選項(xiàng)

NVTFWS024N06C提供了可焊?jìng)?cè)翼選項(xiàng)，這對(duì)于光學(xué)檢測(cè)非常有利?？珊?jìng)?cè)翼能夠提高焊接的可靠性，同時(shí)也便于在生產(chǎn)過(guò)程中進(jìn)行自動(dòng)化檢測(cè)，確保產(chǎn)品的質(zhì)量和一致性。

汽車級(jí)認(rèn)證

該器件通過(guò)了AEC - Q101認(rèn)證，并且具備生產(chǎn)件批準(zhǔn)程序（PPAP）能力。這意味著它可以滿足汽車電子等對(duì)可靠性要求極高的應(yīng)用場(chǎng)景，為工程師在汽車電子設(shè)計(jì)中提供了可靠的選擇。

環(huán)保特性

NVTFS024N06C是無(wú)鉛、無(wú)鹵素/BFR的，并且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。這不僅符合環(huán)保要求，也滿足了全球各地對(duì)電子產(chǎn)品環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)的嚴(yán)格要求。

典型應(yīng)用

NVTFS024N06C適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景，包括：

電動(dòng)工具和電池驅(qū)動(dòng)的吸塵器：在這些設(shè)備中，MOSFET需要具備高效的功率轉(zhuǎn)換能力，以延長(zhǎng)電池的使用時(shí)間。低導(dǎo)通電阻和低驅(qū)動(dòng)損耗使得NVTFS024N06C能夠滿足這些要求。
無(wú)人機(jī)和物料搬運(yùn)設(shè)備：無(wú)人機(jī)和物料搬運(yùn)設(shè)備對(duì)功率密度和可靠性有較高的要求。NVTFS024N06C的小尺寸和高性能特性使其成為這些應(yīng)用的理想選擇。
電池管理系統(tǒng)（BMS）和家庭自動(dòng)化：在BMS中，MOSFET用于電池的充放電控制，需要具備精確的控制能力和高可靠性。家庭自動(dòng)化系統(tǒng)則需要緊湊的設(shè)計(jì)和低功耗的器件，NVTFS024N06C都能滿足這些需求。

電氣特性

最大額定值

參數(shù)	符號(hào)	值	單位
漏源電壓	$V_{DSS}$	60	V
柵源電壓	$V_{GS}$	±20	V
連續(xù)漏極電流（$T_{C}=25^{circ}C$）	$I_{D}$	24	A
連續(xù)漏極電流（$T_{C}=100^{circ}C$）	$I_{D}$	17	A
功率耗散（$T_{C}=25^{circ}C$）	$P_{D}$	28	W
功率耗散（$T_{C}=100^{circ}C$）	$P_{D}$	14	W
脈沖漏極電流（$T{A}=25^{circ}C$，$t{p}=10mu s$）	$I_{DM}$	112	A
工作結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度范圍	$T{J}$，$T{stg}$	-55 to +175	$^{circ}C$
源極電流（體二極管）	$I_{S}$	23	A
單脈沖漏源雪崩能量（$I_{L(pk)} = 5.3 A$）	$E_{AS}$	14	mJ
引腳溫度（焊接回流）	$T_{L}$	260	$^{circ}C$

電氣特性（$T_{J}=25^{circ}C$）

參數(shù)	符號(hào)	測(cè)試條件	最小值	典型值	最大值	單位
漏源擊穿電壓	$V_{(BR)DSS}$	$V_{GS} = 0V$，$I = 250mu A$	60	-	-	V
漏源擊穿電壓溫度系數(shù)	$V{(BR)DSS}/T{J}$	$I_{D} = 250mu A$，參考25°C	27	-	-	mV/°C
零柵壓漏極電流（$T = 125^{circ}C$）	$I_{DSS}$	$V{GS} = 0V$，$V{DS} = 60V$	-	-	250	$mu A$
零柵壓漏極電流（$T = 25^{circ}C$）	$I_{DSS}$	$V{GS} = 0V$，$V{DS} = 60V$	-	-	10	$mu A$
柵源泄漏電流	$I_{GSS}$	$V{DS} = 0V$，$V{GS} = 20V$	-	-	100	nA
柵極閾值電壓	$V_{GS(TH)}$	$V{GS} = V{DS}$，$I_{D} = 20mu A$	2.0	-	4.0	V
負(fù)閾值溫度系數(shù)	$V{GS(TH)}/T{J}$	$I_{D} = 20mu A$，參考25°C	-7.8	-	-	mV/°C
漏源導(dǎo)通電阻	$R_{DS(on)}$	$V{GS} = 10V$，$I{D} = 3A$	18.8	-	22.6	mΩ
正向跨導(dǎo)	$g_{fs}$	$V{DS} = 5V$，$I{D} = 3A$	10	-	-	S
柵極電阻	$R_{G}$	$T_{A} = 25^{circ}C$	0.8	-	-	Ω
輸入電容	$C_{iss}$	-	-	333	-	pF
輸出電容	$C_{oss}$	$V{GS} = 0V$，$f = 1 MHz$，$V{DS} = 30V$	-	225	-	pF
反向傳輸電容	$C_{rss}$	-	-	5.05	-	pF
總柵極電荷	$Q_{G(TOT)}$	-	-	5.7	-	nC
閾值柵極電荷	$Q_{G(TH)}$	$V{GS} = 10V$，$V{DS} = 48V$，$I_{D} = 3A$	1.3	-	2.0	nC
柵源電荷	$Q_{GS}$	$V{GS} = 10V$，$V{DS} = 48V$，$I_{D} = 3A$	-	-	-	nC
柵漏電荷	$Q_{GD}$	$V{GS} = 10V$，$V{DS} = 48V$，$I_{D} = 3A$	0.68	-	-	nC
導(dǎo)通延遲時(shí)間	$t_{d(on)}$	$V{GS} = 10V$，$V{DS} = 48V$，$I{D} = 3A$，$R{G} = 6Omega$	6.6	-	-	ns
上升時(shí)間	$t_{r}$	$V{GS} = 10V$，$V{DS} = 48V$，$I{D} = 3A$，$R{G} = 6Omega$	1.3	-	-	ns
關(guān)斷延遲時(shí)間	$t_{d(off)}$	$V{GS} = 10V$，$V{DS} = 48V$，$I{D} = 3A$，$R{G} = 6Omega$	10	-	-	ns
下降時(shí)間	$t_{f}$	$V{GS} = 10V$，$V{DS} = 48V$，$I{D} = 3A$，$R{G} = 6Omega$	3.0	-	-	ns
正向二極管電壓（$T = 125^{circ}C$）	$V_{SD}$	$V{GS} = 0V$，$I{S} = 3A$	0.66	-	1.2	V
正向二極管電壓（$T = 25^{circ}C$）	$V_{SD}$	$V{GS} = 0V$，$I{S} = 3A$	0.8	-	-	V
反向恢復(fù)時(shí)間	$t_{RR}$	-	-	23	-	ns
放電時(shí)間	$t_{a}$	$V{GS} = 0V$，$dI{S}/dt = 100A/mu s$，$V{DS} = 30V$，$I{S} = 2A$	11	-	-	ns
充電時(shí)間	$t_$	$V{GS} = 0V$，$dI{S}/dt = 100A/mu s$，$V{DS} = 30V$，$I{S} = 2A$	12	-	-	ns
反向恢復(fù)電荷	$Q_{RR}$	-	-	11	-	nC

封裝和訂購(gòu)信息

NVTFS024N06C有兩種封裝選項(xiàng)：

NVTFS024N06CTAG：24NC（無(wú)鉛）8FL封裝，每盤1500個(gè)，采用卷帶包裝。
NVTFWS024N06CTAG：24NW（無(wú)鉛，可焊?jìng)?cè)翼）8FL封裝，每盤1500個(gè)，采用卷帶包裝。

總結(jié)

安森美NVTFS024N06C MOSFET以其緊湊的設(shè)計(jì)、低損耗特性、環(huán)保特性和廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景，為電子工程師提供了一個(gè)優(yōu)秀的選擇。在實(shí)際設(shè)計(jì)中，工程師可以根據(jù)具體的應(yīng)用需求，充分利用該MOSFET的特點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)高效、可靠的電路設(shè)計(jì)。你在使用MOSFET時(shí)，是否也遇到過(guò)類似的性能和尺寸的權(quán)衡問(wèn)題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)。

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