當前大模型應(yīng)用持續(xù)滲透，AI 產(chǎn)業(yè)正迎來一輪關(guān)鍵的架構(gòu)遷移，AI 存儲正從以云端集中處理為主，逐步向終端與邊緣側(cè)下沉延伸。這一趨勢讓端側(cè)存儲從傳統(tǒng)的數(shù)據(jù)載體，升級為支撐本地AI推理、實時數(shù)據(jù)處理的核心基礎(chǔ)設(shè)施，為存儲產(chǎn)業(yè)打開了全新的產(chǎn)業(yè)增量與技術(shù)創(chuàng)新空間。大為創(chuàng)芯在邊緣AI、嵌入式存儲領(lǐng)域深耕多年，積累深厚。在近日舉行的CFM|MemoryS2026閃存峰會期間，大為創(chuàng)芯帶來重磅新品發(fā)布，同時該公司產(chǎn)品總監(jiān)姚池詳解端側(cè)AI存儲的技術(shù)與趨勢，以及公司針對端側(cè)AI存儲的產(chǎn)品布局。

圖：大為創(chuàng)芯產(chǎn)品總監(jiān)姚池

最新發(fā)布eMMC Slim產(chǎn)品，進軍AI眼鏡市場

近年來AI設(shè)備朝著小型化、輕量化、低功耗方向快速迭代，尤其是AI眼鏡、智能穿戴、微型工控等終端，對存儲的體積、厚度、集成度提出了極致要求。此次閃存峰會現(xiàn)場，大為創(chuàng)芯發(fā)布eMMC Slim系列產(chǎn)品，正是順應(yīng)這一市場趨勢的代表之作。

據(jù)介紹，eMMC Slim在封裝尺寸上實現(xiàn)了重大突破，把eMMC封裝進一步壓縮到7.5mm x 13mm，厚度僅0.8mm。相較傳統(tǒng)的eMMC（11.5mm x 13mm，厚度1mm），在尺寸和厚度方面均有顯著優(yōu)化。極致小型化封裝，在保持高性能與可靠性的前提下大幅縮小物理尺寸，有效解決設(shè)備內(nèi)部空間受限難題。eMMC Slim具有低功耗與高穩(wěn)定性，滿足AI終端長時間待機、實時運算的使用場景。寬溫、高讀寫耐久，適配多場景工業(yè)與消費級應(yīng)用。

同時，新的eMMC封裝對接UFS 5.0，符合JEDEC協(xié)議（JESD21-C），成功實現(xiàn)了從eMMC5.1到UFS 5.0的無縫銜接。這一特性使得eMMC Slim不僅能滿足當前設(shè)備對存儲性能的需求，還為未來面向UFS協(xié)議的升級打下了堅實基礎(chǔ)，確保了產(chǎn)品在技術(shù)迭代過程中的延續(xù)性和前瞻性。

大為創(chuàng)芯產(chǎn)品總監(jiān)姚池表示，這款產(chǎn)品核心瞄準AI眼鏡、AR/VR、便攜式智能終端等市場，同時也面向小型化IoT、輕薄化工控設(shè)備全面開放，是我們針對邊緣AI小型化的關(guān)鍵布局。

當前AI眼鏡除了小型化eMMC之外，ePOP存儲也是熱門品類。ePOP作為閃存與內(nèi)存一體化的高密度封裝產(chǎn)品，能夠進一步節(jié)省PCB面積、簡化設(shè)計、降低功耗，非常契合AI眼鏡、微型模組等對空間“寸土寸金”的產(chǎn)品形態(tài)。

姚池進一步表示，針對更極致集成的封裝要求的ePOP產(chǎn)品我們已有明確規(guī)劃和技術(shù)預(yù)研。目前我們正與主流平臺廠商進行聯(lián)合開發(fā)，后續(xù)將根據(jù)市場節(jié)奏逐步推出樣品并實現(xiàn)量產(chǎn)，為客戶提供一站式小型化存儲解決方案。

端側(cè)AI設(shè)備存儲，大為創(chuàng)芯全面出擊

端側(cè)AI設(shè)備對存儲的需求呈現(xiàn)分層化、場景化、專業(yè)化特征，整體要求體現(xiàn)在低時延、高帶寬、高可靠、小體積、長壽命、寬溫穩(wěn)定，同時要兼顧算力匹配與成本控制。

具體來說，第一類是邊緣計算盒子、智能體工作站、小型服務(wù)器等中大型邊緣設(shè)備，需要支撐大模型本地運行，對存儲的容量、帶寬、速度要求高，對應(yīng)大容量、高性能的UFS、工業(yè)級eMMC、DDR5/LPDDR5等產(chǎn)品；

第二類是邊緣網(wǎng)關(guān)、工業(yè)控制、通信終端等中型設(shè)備，強調(diào)穩(wěn)定、可靠、全天候運行，以高耐久寬溫eMMC、DDR4/LPDDR4X為核心；

第三類是AI眼鏡、可穿戴、微型傳感器等小型終端，核心訴求是極致小型化、低功耗，對應(yīng)我們的eMMC Slim、ePOP等微型化封裝產(chǎn)品。

姚池表示，大為創(chuàng)芯在嵌入式存儲領(lǐng)域布局完整，目前已形成覆蓋eMMC、UFS、DDR/LPDDR全系列的產(chǎn)品矩陣，未來會陸續(xù)推出工規(guī)、車規(guī)等級產(chǎn)品，能夠為從微型穿戴到邊緣工作站的全場景端側(cè)AI設(shè)備，提供一站式、定制化存儲方案，真正做到“一款設(shè)備、一套最優(yōu)匹配”。

高性能存儲技術(shù)布局

高性能存儲是大為創(chuàng)芯中長期核心戰(zhàn)略方向，公司圍繞高端嵌入式、企業(yè)級、AI端側(cè)三大方向持續(xù)投入，重點布局UFS、DDR5/LPDDR5、高速SSD等新一代產(chǎn)品。

在UFS方面，公司成立上海研發(fā)團隊，吸收引進業(yè)內(nèi)具備豐富專業(yè)經(jīng)驗的研發(fā)人員，專注UFS產(chǎn)品的研發(fā)與測試，公司現(xiàn)已初步完成高性能UFS方案的研發(fā)迭代，針對高端AI終端、車載、工業(yè)設(shè)備等高帶寬場景打造專用產(chǎn)品，目前已進入送樣測試與驗證階段，將快速推進量產(chǎn)落地。

在DDR5/LPDDR5方面，大為創(chuàng)芯已經(jīng)積極規(guī)劃、部署，會在年底前完成產(chǎn)品研發(fā)，并推向量產(chǎn)。

未來將持續(xù)提升高性能產(chǎn)品占比，推動公司從嵌入式存儲供應(yīng)商，向高端、高速、高可靠性的全場景存儲方案商升級。

存儲上行周期，打造韌性與持續(xù)創(chuàng)新

當前全球存儲市場處于AI需求爆發(fā)、供需結(jié)構(gòu)收緊的上行周期，疊加行業(yè)庫存調(diào)整、產(chǎn)能管控，這一輪漲價周期具備較強的持續(xù)性。姚池表示，我們認同行業(yè)主流判斷，即景氣度有望延續(xù)較長一段時間，整體呈現(xiàn)“先高位運行、再逐步趨穩(wěn)”的結(jié)構(gòu)性行情，高端、高速、工業(yè)級、車規(guī)級產(chǎn)品將保持更強的價格韌性。

對大為創(chuàng)芯而言，機遇是行業(yè)上行帶動整體市場盈利水平提升；AI與國產(chǎn)替代雙輪驅(qū)動，高端存儲需求快速增長；以及公司產(chǎn)品矩陣完善，能夠充分受益于行業(yè)景氣。挑戰(zhàn)主要來自上游晶圓產(chǎn)能緊張、成本管控壓力以及高端技術(shù)持續(xù)迭代的要求。

對此大為創(chuàng)芯制定了清晰的應(yīng)對策略，鎖定核心供應(yīng)鏈資源，保障穩(wěn)定交付；優(yōu)化產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，加大高毛利、高端產(chǎn)品占比；強化研發(fā)與技術(shù)壁壘，提升產(chǎn)品競爭力；深耕頭部客戶，提升市場份額與抗周期能力。