深入剖析ISL6420B評(píng)估板:高性能DC/DC降壓轉(zhuǎn)換器的理想之選
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,DC/DC降壓轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)與應(yīng)用至關(guān)重要。ISL6420B評(píng)估板為我們提供了一個(gè)深入了解高性能DC/DC降壓轉(zhuǎn)換器的絕佳平臺(tái)。下面,我們將詳細(xì)探討ISL6420B評(píng)估板的各個(gè)方面。
文件下載:ISL6420BEVAL2Z.pdf
一、ISL6420B芯片概述
ISL6420B極大地簡(jiǎn)化了高性能DC/DC降壓轉(zhuǎn)換器完整控制與保護(hù)方案的實(shí)現(xiàn)。其輸入電壓范圍靈活,可在4.5V - 5.5V或5.5V - 28V之間工作,能驅(qū)動(dòng)同步整流降壓拓?fù)渲械腘溝道MOSFET。而且,它將控制、輸出調(diào)節(jié)、監(jiān)測(cè)和保護(hù)功能集成于一個(gè)封裝內(nèi),為工程師提供了便利。
二、評(píng)估板版本與設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)
2.1 評(píng)估板版本
根據(jù)封裝類型,評(píng)估板有兩個(gè)版本,即ISL6420BEVAL1Z(采用20 Ld QFN封裝的ISL6420BIRZ)和ISL6420BEVAL2Z(采用20 Ld QSSOP封裝的ISL6420BIAZ)。這兩個(gè)版本都配置為輸出電壓3.3V,最大負(fù)載10A。
2.2 設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)
| 參數(shù) | 值 |
|---|---|
| 輸出電壓(V OUT ) | 3.3V |
| 輸出電流(I OUT ) | 10A |
| 開關(guān)頻率 | 300kHz |
三、電源與負(fù)載連接
3.1 5.5V - 28V輸入電源
當(dāng)使用5.5V - 28V的輸入電源時(shí),需將電源連接到VIN(P1)和GND(P2)端子。ISL6420B內(nèi)部有一個(gè)+5V線性穩(wěn)壓器,可用于為芯片提供偏置。
3.2 5V ±10%輸入電源
若使用5V ±10%的輸入電源,應(yīng)將負(fù)極連接到GND(P2)端子,正極同時(shí)連接到VIN(P1)端子和VCC5(TP7)端子。這樣可繞過(guò)內(nèi)部LDO,芯片將由輸入電源直接供電。但要特別注意,VCC5端子的電壓不能超過(guò)6V,否則會(huì)損壞芯片。
四、啟動(dòng)與關(guān)閉
4.1 啟動(dòng)方式
ISL6420B有兩種啟動(dòng)方式。
- 上電啟動(dòng):上電復(fù)位(POR)功能會(huì)啟動(dòng)軟啟動(dòng)序列。內(nèi)部10μA電流源對(duì)連接到ENSS引腳的外部電容進(jìn)行充電,從0V充到3.3V。當(dāng)ENSS引腳電壓達(dá)到1V時(shí),芯片被啟用,誤差放大器參考電壓會(huì)跟隨ENSS引腳電壓的斜率從0V上升到0.6V。
- 使能啟動(dòng):將ISL6420B的ENSS引腳保持在1V以下,會(huì)強(qiáng)制上下MOSFET關(guān)斷,從而禁用穩(wěn)壓器。釋放該引腳,穩(wěn)壓器即可啟動(dòng)。
4.2 關(guān)閉方式
若將ENSS引腳拉低并保持在1V以下,穩(wěn)壓器將關(guān)閉。無(wú)論是通過(guò)拉低ENSS引腳,還是切斷輸入電源,都能實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓器的關(guān)閉。
五、輸出性能
5.1 開關(guān)頻率
評(píng)估板通過(guò)一個(gè)0Ω電阻R9將RT連接到VCC5,將自由運(yùn)行開關(guān)頻率設(shè)置為300kHz。若要更改頻率,可移除R9,并根據(jù)所需頻率在R5位置安裝合適的電阻。
5.2 輸出紋波
在300kHz的自由運(yùn)行頻率下,可觀察到穩(wěn)壓器輸出的紋波電壓。
5.3 效率
基于ISL6420B的穩(wěn)壓器能夠?qū)崿F(xiàn)高效系統(tǒng)設(shè)計(jì)。在不同輸入電源(12V、18V和24V)下,評(píng)估板都展現(xiàn)出了良好的效率表現(xiàn)。
5.4 負(fù)載調(diào)整率
從不同輸入電源(12V、18V和24V)下的負(fù)載調(diào)整率曲線可以看出,評(píng)估板在不同負(fù)載下能較好地保持輸出電壓的穩(wěn)定。
5.5 電源良好信號(hào)(PGOOD)
當(dāng)FB引腳電壓在參考電壓的±10%范圍內(nèi),且軟啟動(dòng)序列完成(即軟啟動(dòng)電容充電完成)時(shí),PGOOD信號(hào)為真(開漏)。PGOOD信號(hào)的斷言可以通過(guò)與CDEL引腳的2μA電流和連接在該引腳與地之間的電容值成比例的時(shí)間來(lái)延遲??稍赑GOOD測(cè)試點(diǎn)(TP1)監(jiān)測(cè)其狀態(tài)。
六、過(guò)流保護(hù)
過(guò)流功能以打嗝模式循環(huán)軟啟動(dòng)功能,提供故障保護(hù)。它利用上MOSFET的rDS(ON)來(lái)監(jiān)測(cè)電流,避免了使用電流檢測(cè)電阻,提高了轉(zhuǎn)換器的效率并降低了成本。過(guò)流跳閘點(diǎn)可通過(guò)電阻ROCSET(R8)進(jìn)行編程。當(dāng)檢測(cè)到連續(xù)8個(gè)時(shí)鐘周期的過(guò)流情況,且電路不在軟啟動(dòng)狀態(tài)時(shí),ISL6420B將進(jìn)入打嗝模式。
七、瞬態(tài)性能
在0A - 10A、1A/μs斜率的瞬態(tài)負(fù)載下,評(píng)估板的輸出能做出快速響應(yīng),展現(xiàn)出良好的瞬態(tài)性能。
八、電壓裕度
通過(guò)將裕度設(shè)置電阻(R6)從VMSET引腳連接到地,可啟用電壓裕度模式。GPIO1(TP4)和GPIO2(TP5)引腳可控制電流切換,從而實(shí)現(xiàn)輸出電壓的升高或降低。評(píng)估板上的330kΩ VMSET電阻(R6)設(shè)置了特定的電流,電壓裕度的變化量與外部反饋電阻(R1)和連接到VMSET的外部電阻(R6)的比值有關(guān)。
九、布局指南
DC - DC轉(zhuǎn)換器的布局對(duì)于獲得所需的EMI頻率衰減至關(guān)重要。不良的布局可能導(dǎo)致傳導(dǎo)發(fā)射直接耦合到輸入導(dǎo)體,或產(chǎn)生輻射發(fā)射。因此,電源輸入和輸出的銅跡線以及高電流路徑應(yīng)根據(jù)通過(guò)的RMS電流進(jìn)行合理尺寸設(shè)計(jì),要保持高電流環(huán)路小且路徑明確,采用單點(diǎn)接地,盡量減少電容引線長(zhǎng)度以降低ESL。在多層板中,建議使用接地平面。
十、總結(jié)
ISL6420B評(píng)估板為工程師提供了一個(gè)全面了解和應(yīng)用高性能DC/DC降壓轉(zhuǎn)換器的平臺(tái)。通過(guò)合理的電源連接、啟動(dòng)與關(guān)閉控制、對(duì)輸出性能的優(yōu)化以及有效的保護(hù)機(jī)制,能夠設(shè)計(jì)出高效、穩(wěn)定的電源系統(tǒng)。在實(shí)際應(yīng)用中,工程師們可以根據(jù)具體需求,參考評(píng)估板的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)和性能指標(biāo),進(jìn)行靈活的設(shè)計(jì)和調(diào)整。大家在使用ISL6420B評(píng)估板的過(guò)程中,有沒有遇到過(guò)什么獨(dú)特的問(wèn)題或挑戰(zhàn)呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。
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電源設(shè)計(jì)
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