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【深度拆解】千瓦級電源的國產化思路:這套SiC ATX方案值不值得抄作業(yè)

jf_07381652 ? 來源:jf_07381652 ? 作者:jf_07381652 ? 2026-04-14 10:38 ? 次閱讀
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各位好,最近搞到一套芯茂微的1000W SiC ATX電源樣品,做了點測試,跟大家分享一下我的判斷: 這套方案能不能抄、適合誰抄、抄的時候要注意什么 ,結論先行——往下看。


先給結論:適合誰,不適合誰

值得評估的場景:

  • 進口SiC器件交期不穩(wěn)定,急需找國產替代
  • 需要快速推出1000W金牌產品,研發(fā)周期緊張
  • 想做550W-1000W系列化產品,期望一顆主控打天下

目前還不適合的場景:

  • 目標80 Plus鉑金認證——93.24%離鉑金還差半步
  • 對紋波要求極嚴的ATX3.0高端應用
  • 追求極致功率密度的旗艦方案

背景說完了,下面逐顆芯片過一遍,順便聊聊踩過的坑。


一、先說說我為什么關注這個方案

千瓦級PC電源這個賽道,這兩年變化挺大。

AI顯卡崛起之后,500W以上的單卡功耗成了常態(tài),傳統(tǒng)方案在能效和動態(tài)響應上都開始吃力。進口SiC器件交期飄忽不定,價格也坐過山車,壇里應該有不少人跟我一樣被甲方催著找國產替代。

芯茂微這套方案的賣點是"全家桶"——從PFC控制器到LLC主控到同步整流到待機IC,全套自研芯片打包出貨。聽著挺誘人,但實際效果怎么樣,往下看。


二、芯片方案逐顆過一遍

2.1 PFC級:LP6655 + LP7012A

前級PFC用LP6655,CCM模式,65-130kHz可編程,功率覆蓋從65W到千瓦級沒問題。

我比較關注的是這個LP7012A——專門給SiC MOS設計的驅動芯片。碳化硅器件的柵極驅動是個老生常談的問題,閾值電壓低、柵氧電場強度高,稍有不慎就go die。LP7012A集成了退飽和檢測、有源米勒鉗位和軟關斷三合一,算是把保護做到芯片里了。

實測下來,這顆驅動芯片的響應速度比我之前用的分立驅動+比較器方案快一個量級,故障保護動作干脆利落,沒出現誤觸發(fā)的問題。

2.2 LLC級:LP9961

電流模式LLC主控,國產同類方案里這顆的OTP可編程功能算是獨一份。

傳統(tǒng)做法是每個功率段單獨備料,550W一個型號、650W一個型號,物料管理繁瑣。LP9961允許在同一種硬件上燒錄不同參數,打一套參數文件就能覆蓋整個功率系列。

不過要吐槽一點:OTP燒錄工具的GUI界面做得比較糙,壇友們第一次用可能要適應一下。

2.3 同步整流:LP3525D

自適應驅動方案,輕載自驅動省功耗,滿載主動驅動優(yōu)化換流時序,不需要外部MCU干預。實測輕載效率提升約1.5%,對于待機功耗敏感的場景有實際意義。

2.4 待機IC:LP8102 + LP8728A + LP15R060S

這套待機方案把X電容放電、高壓啟動、原邊反激、副邊同步全部覆蓋了。集成度確實高,以前需要三四顆分立器件才能搭起來的電路,現在兩顆芯片搞定。

待機功耗實測33-46mW,相比行業(yè)常見的60-80mW有明顯優(yōu)勢。不過我要提一句:待機功耗這個指標跟后端負載也有關系,測的時候建議接上真實待機負載再下定論。


三、實測能效數據

測試條件效率數據
230Vac / 50%負載93.24%
230Vac / 100%負載91.34%
115Vac / 50%負載91.46%
待機功耗33-46mW

93.24%這個數字在230Vac下半載點很接近鉑金了,但跟鉑金認證(94%)的要求比還有差距,而且鉑金要看20%/50%/100%三個點加權,100%負載的91.34%拖了點后腿。

紋波指標:30mV/68mV(分電壓軌),+12V穩(wěn)壓精度±0.18%,保持時間15.6mS。對于普通消費級和大多數工業(yè)級應用來說夠用,但如果目標是Intel ATX3.0里對高端顯卡供電的紋波要求(部分場景<20mV),還需要再優(yōu)化。


四、ZCS規(guī)避電路——這個細節(jié)值得單獨說

碳化硅MOSFET在高頻應用里,ZCS(零電流關斷)是最理想的關斷狀態(tài),能把關斷損耗壓到很低。但ZCS對驅動時序和電路寄生參數極其敏感,一旦偏離最佳關斷點,反而會產生額外的開關應力。

壇里應該有人踩過這個坑——換了所謂"高頻SiC方案",跑起來好好的,高溫老化之后批量失效,一查原因就是驅動時序不匹配導致的熱累積。

芯茂微在LP7012A外圍加了ZCS規(guī)避電路,通過硬件檢測和強制關斷邏輯兜底。個人判斷這個設計能顯著降低客戶端的批量失效風險——當然,長期可靠性數據還需要時間來驗證。


五、量產工藝:單面貼裝的取舍

這套方案正面全貼片、背面無器件設計,單面SMT一次回流焊搞定全部器件。

好處顯而易見:減少二次回流焊對底層器件的熱沖擊,良率更高,檢修也方便。

代價是PCB面積利用率受限,功率密度相比雙面方案會有一定犧牲。對于追求極致功率密度的旗艦產品來說,這可能是短板;但對于追求量產良率和穩(wěn)定性的商用產品來說,這個取舍是合理的。


六、我的看法總結

芯茂微這套1000W SiC ATX方案,核心技術價值體現在三個地方:

  1. 自研芯片全家桶 :供應鏈可控性大幅提升,調試周期縮短
  2. LP7012A的硬件保護 :解決SiC驅動可靠性的行業(yè)痛點
  3. OTP可編程 :系列化開發(fā)的效率工具

目前能效距離鉑金還差半步,紋波指標在頂級場景下也有優(yōu)化空間。對于需要快速推出1000W金牌產品、對供應鏈可控性有剛需的廠商來說,這套方案值得評估。如果目標是沖鉑金認證或者極致功率密度,可能還需要再觀望一陣。


審核編輯 黃宇

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