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新潔能250V SGT MOSFET NCEP025S90T:Qrr直降86%,RRSOA提升5倍

聚芯科技 ? 來(lái)源:聚芯科技 ? 作者:聚芯科技 ? 2026-04-14 11:53 ? 次閱讀
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通信電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和D類音頻功放等應(yīng)用中,硬開(kāi)關(guān)拓?fù)湫枰鎸?duì)一個(gè)棘手問(wèn)題——功率MOSFET二極管的反向恢復(fù)電荷(Qrr)。Qrr過(guò)高,輕則系統(tǒng)效率驟降、發(fā)熱加劇,重則引發(fā)開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴失控、電壓過(guò)沖,迫使工程師不得不額外增加緩沖電路,成本與空間雙雙承壓。

無(wú)錫新潔能新推出的250V SGT(屏蔽柵溝槽技術(shù))功率MOSFET NCEP025S90T,以“Super Recovery”超快恢復(fù)系列的身份登場(chǎng),憑借低反向恢復(fù)電荷,為高性能、高可靠性要求的硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用提供更優(yōu)選擇。

一、Qrr——硬開(kāi)關(guān)拓?fù)涞男阅芷款i

功率MOSFET的體二極管(Body Diode)由器件內(nèi)部的PN結(jié)自然形成,是制造工藝中固有的寄生二極管結(jié)構(gòu)。它在電路中承擔(dān)續(xù)流和保護(hù)功能的同時(shí),也引入了額外的損耗和設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。

當(dāng)器件處于正向?qū)〞r(shí),PN結(jié)內(nèi)部會(huì)注入并存儲(chǔ)大量少數(shù)載流子。一旦器件需要從正向?qū)ㄇ袚Q至反向阻斷,這些存儲(chǔ)的載流子必須先被“抽走”,體二極管才能恢復(fù)阻斷能力,此過(guò)程稱為反向恢復(fù)。而反向恢復(fù)電荷Qrr,正是定義這一過(guò)程中載流子總量的核心參數(shù)——自電流過(guò)零開(kāi)始,到反向恢復(fù)電流衰減至規(guī)定值為止,整個(gè)反向恢復(fù)波形所包圍的電荷總量。該參數(shù)直接關(guān)聯(lián)著硬開(kāi)關(guān)系統(tǒng)中的一個(gè)棘手的工程難題——反向恢復(fù)損耗與電壓過(guò)沖。

在典型的硬開(kāi)關(guān)橋式電路中,當(dāng)下管體二極管續(xù)流時(shí)存儲(chǔ)的Qrr,會(huì)在上管開(kāi)通瞬間被強(qiáng)行抽取,導(dǎo)致上管開(kāi)通電流出現(xiàn)一個(gè)額外的尖峰脈沖。這不僅增加了開(kāi)關(guān)管的瞬時(shí)應(yīng)力,還會(huì)在寄生電感上激發(fā)劇烈的電壓振鈴與過(guò)沖,直接威脅系統(tǒng)可靠性。簡(jiǎn)而言之,Qrr越大,損耗越高,過(guò)沖越猛,EMI越難抑制,緩沖電路設(shè)計(jì)也就越復(fù)雜。

二、SGT技術(shù)專項(xiàng)優(yōu)化,反向恢復(fù)電荷(Qrr)直降86%

新潔能基于SGT屏蔽柵溝槽技術(shù),對(duì)MOSFET體二極管的反向恢復(fù)特性進(jìn)行了專項(xiàng)優(yōu)化。超快反向恢復(fù)產(chǎn)品NCEP025S90T的反向恢復(fù)電荷相較上一代產(chǎn)品直降86%。

傳統(tǒng)溝槽MOSFET的漂移區(qū)呈三角形分布,而SGT結(jié)構(gòu)通過(guò)引入屏蔽柵,在傳統(tǒng)溝槽MOSFET的垂直耗盡基礎(chǔ)上疊加了水平耗盡效應(yīng),將漂移區(qū)電場(chǎng)整形為近似矩形分布。這一改變?cè)谙嗤瑩舸╇妷合掠行Ы档土似茀^(qū)電阻,同時(shí)優(yōu)化了體二極管的開(kāi)關(guān)特性,從而縮減反向恢復(fù)電荷、縮短反向恢復(fù)時(shí)間。

為量化評(píng)估優(yōu)化效果,新潔能在雙脈沖測(cè)試平臺(tái)上,將NCEP025S90T與上一代通用平臺(tái)產(chǎn)品NCEP02590T進(jìn)行體二極管反向恢復(fù)性能對(duì)比。測(cè)試條件為:正向電流IF=45A、電流變化率di/dt=100A/μs,結(jié)果如下:

反向恢復(fù)時(shí)間(Trr):由163ns縮短至67ns,降幅58.9%;

反向恢復(fù)電荷(Qrr):由1307nC降至178nC,降幅86%;

峰值反向恢復(fù)電流(Irrm):由16A減至5A。

wKgZPGnduHuAOmUuAABy3BA5EAA416.pngNCEP02590T(左)與NCEP025S90T(右)反向恢復(fù)對(duì)比測(cè)試波形(圖源官方)

86%的Qrr降幅絕非停留在紙面的數(shù)字優(yōu)化,而是直接轉(zhuǎn)化為三項(xiàng)明確的工程紅利:

1、過(guò)沖電壓有效抑制。反向恢復(fù)電荷是開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴的能量來(lái)源,Qrr大幅減少后,VDS尖峰自然回落。緩沖電路參數(shù)不必再為最惡劣工況預(yù)留過(guò)重冗余,甚至可簡(jiǎn)化RCD吸收網(wǎng)絡(luò),BOM成本與PCB面積雙雙受益。

2、開(kāi)關(guān)損耗顯著降低。Qrr每減少一點(diǎn),續(xù)流二極管反向恢復(fù)期抽取的多余電荷便少一點(diǎn),主開(kāi)關(guān)管開(kāi)啟瞬間需要硬扛的電流沖擊隨之減弱。這對(duì)高頻化趨勢(shì)下的效率提升尤其關(guān)鍵。

3、EMI友善度躍升。振鈴幅度與諧波分量同步削減,傳導(dǎo)與輻射干擾的源頭得到緩解,濾波器設(shè)計(jì)壓力減小。

三、RRSOA提升超5倍,筑牢安全邊界

在電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變電路等感性負(fù)載應(yīng)用中,MOSFET體二極管不僅要“能關(guān)斷”,還要“關(guān)的住”。反向恢復(fù)安全工作區(qū)(RRSOA)正是衡量體二極管動(dòng)態(tài)續(xù)流承受能力的硬指標(biāo)——它決定了器件在承受高di/dt與反向電壓應(yīng)力時(shí)是否會(huì)進(jìn)入動(dòng)態(tài)雪崩失效。

新潔能對(duì)NCEP025S90T與上一代產(chǎn)品NCEP02590T進(jìn)行了逐級(jí)加嚴(yán)的雙脈沖應(yīng)力測(cè)試:實(shí)驗(yàn)采用雙脈沖電路,將開(kāi)關(guān)管(Q1)和續(xù)流管(Q2)分別同時(shí)替換為被測(cè)器件,逐次增加脈沖寬度以提升續(xù)流管電流,記錄續(xù)流管在反向恢復(fù)階段的通過(guò)情況。

wKgZO2nduPKARPFpAAAod4fHWfs430.png雙脈沖測(cè)試電路圖(圖源官方) wKgZO2nduROAc0JBAABfczyLyJ8338.png雙脈沖測(cè)試平臺(tái)實(shí)物圖(圖源官方)

測(cè)試結(jié)果表明,NCEP025S90T的反向恢復(fù)安全區(qū)較上一代產(chǎn)品提升幅度超過(guò)5倍,且高溫下RRSOA未出現(xiàn)明顯衰減,體二極管高溫動(dòng)態(tài)可靠性優(yōu)異。這意味著在電機(jī)頻繁剎車(chē)、換向或橋臂直通續(xù)流的惡劣工況下,器件的體二極管擁有更寬的安全邊界,不會(huì)輕易成為系統(tǒng)的薄弱一環(huán)。對(duì)于48V~100V電壓等級(jí)的電動(dòng)工具、無(wú)人機(jī)電調(diào)、伺服驅(qū)動(dòng)等設(shè)計(jì)而言,這一特性無(wú)異于一顆“定心丸”。

RRSOA對(duì)比測(cè)試結(jié)果

產(chǎn)品 溫度(℃) VDD(V) Vgs(V) ISD(A) 測(cè)試結(jié)果
NCEP02590T 25 200 20 57 PASS
67 NG
125 200 20 11 PASS
20 NG
NCEP025S90T 25 200 20 335 PASS
125 200 20 335 PASS

注:表中335A為設(shè)備電流能力上限,非MOS管過(guò)流能力上限

四、電性參數(shù)高度兼容,支持設(shè)計(jì)升級(jí)

為幫助工程師以最小代價(jià)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品升級(jí),NCEP025S90T在其余動(dòng)靜態(tài)電性參數(shù)上,與上一代產(chǎn)品NCEP02590T保持了高度一致,且采用相同封裝(TO-247),原有設(shè)計(jì)幾乎無(wú)需調(diào)整即可兼容替換。具體參數(shù)對(duì)比如下:

關(guān)鍵參數(shù) 條件 NCEP025S90T NCEP02590T
擊穿電壓(Bv) Ids=250uA 282V 282V
閾值電壓(Vth) Ids=250uA 3.42V 3.44V
輸入電容(Ciss) Vds=50%BV,F(xiàn)req=1MHZ 6100pF 6050pF
輸出電容(Coss) 340pF 330pF
柵極電荷(Qg) Id=20A,Ig=0.2mA 103nC 105nC
導(dǎo)通電阻(Ron) Vgs=10V,Id=20A 18.60mΩ 14.90mΩ

從表中可見(jiàn),器件的輸入電容Ciss和柵極電荷Qg僅有微幅波動(dòng),驅(qū)動(dòng)回路基本無(wú)需調(diào)整,現(xiàn)有設(shè)計(jì)可直接替換。唯一的取舍在于導(dǎo)通電阻:Ron從14.90mΩ調(diào)整至18.60mΩ。

但請(qǐng)注意:在絕大多數(shù)硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用中,開(kāi)關(guān)損耗的降低帶來(lái)的系統(tǒng)級(jí)收益,將遠(yuǎn)遠(yuǎn)覆蓋這不到4mΩ導(dǎo)通電阻的輕微溫升代價(jià),尤其是當(dāng)開(kāi)關(guān)頻率邁向百kHz級(jí)別時(shí),效率曲線的天平將向NCEP025S90T一側(cè)傾斜。

wKgZO2ndudaAdbR9AAE4gFllD3M606.png圖源官方

五、應(yīng)用場(chǎng)景

憑借低反向恢復(fù)電荷與寬反向恢復(fù)安全區(qū)的核心優(yōu)勢(shì),NCEP025S90T可應(yīng)用于:

48V~100V電機(jī)控制系統(tǒng):電動(dòng)工具、低壓伺服、機(jī)器人關(guān)節(jié)、無(wú)人機(jī)電調(diào)等場(chǎng)景,寬RRSOA為電機(jī)頻繁換向、剎車(chē)提供可靠保障;

通信電源:48V母線DC-DC變換器,可作為原邊開(kāi)關(guān)管或副邊同步整流管的理想選擇,低Qrr特性助力電源實(shí)現(xiàn)高頻化、高功率密度升級(jí);

工業(yè)電源與逆變電路:高功率密度工業(yè)電源模塊、小型逆變器等對(duì)效率與可靠性有嚴(yán)苛要求的場(chǎng)景,簡(jiǎn)化EMI與緩沖電路設(shè)計(jì),提升系統(tǒng)長(zhǎng)期穩(wěn)定性;

Class-D音頻放大器:利用低Qrr特性降低開(kāi)關(guān)失真,減少音頻底噪與失真,提升音質(zhì)純凈度與聽(tīng)感體驗(yàn)。

六、總結(jié)

新潔能NCEP025S90T是一款通過(guò)合理犧牲少量導(dǎo)通電阻性能,換取體二極管反向恢復(fù)性能革命性提升的功率器件。其低Qrr能有效抑制電壓尖峰、簡(jiǎn)化EMI濾波設(shè)計(jì);寬RRSOA確保系統(tǒng)極端工況下穩(wěn)定運(yùn)行,特別適合需要高開(kāi)關(guān)頻率或電機(jī)感性負(fù)載續(xù)流的硬開(kāi)關(guān)拓?fù)洹H缧枇私飧嘤嘘P(guān)新潔能產(chǎn)品信息或申請(qǐng)樣品,可聯(lián)系官方授權(quán)代理商:sales@chiplinkstech.com;聯(lián)系電話,陳工:13924675549(微信同號(hào)),微信公眾號(hào):智聯(lián)微-電機(jī)控制芯片,提供選型服務(wù)與技術(shù)支持。

審核編輯 黃宇

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    的頭像 發(fā)表于 08-04 18:08 ?1237次閱讀

    推出第三代40V Gen.3 SGT MOSFET系列產(chǎn)品

    作為國(guó)內(nèi)MOSFET功率器件研發(fā)的先行者之一,新始終致力于功率半導(dǎo)體核心技術(shù)的突破,其研發(fā)團(tuán)隊(duì)持續(xù)創(chuàng)新,正式推出第三代SGT產(chǎn)品Gen.3 SG
    的頭像 發(fā)表于 06-11 08:59 ?3264次閱讀
    新<b class='flag-5'>潔</b><b class='flag-5'>能</b>推出第三代40<b class='flag-5'>V</b> Gen.3 <b class='flag-5'>SGT</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>系列產(chǎn)品
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