FQB19N20 N - 通道QFET MOSFET：特性與應用解析
FQB19N20 N - 通道QFET MOSFET：特性與應用解析
一、引言
在電子工程領(lǐng)域，功率MOSFET是不可或缺的關(guān)鍵元件，廣泛應用于各類電源和電子設備中。FQB19N20作為一款N - 通道增強模式功率MOSFET，具有獨特的性能特點，值得我們深入研究。本文將詳細介紹FQB19N20的各項特性、參數(shù)以及應用場景，為電子工程師在設計中提供參考。
文件下載：FQB19N20-D.pdf
二、品牌與產(chǎn)品變更說明
Fairchild Semiconductor已被ON Semiconductor整合。由于ON Semiconductor的產(chǎn)品管理系統(tǒng)無法處理帶有下劃線（_）的零件命名，F(xiàn)airchild部分可訂購的零件編號中的下劃線將改為破折號（ - ）。大家可訪問ON Semiconductor網(wǎng)站（www.onsemi.com）驗證更新后的設備編號。若對系統(tǒng)集成有疑問，可發(fā)郵件至Fairchild_questions@onsemi.com。
三、FQB19N20基本信息
（一）描述
FQB19N20采用Fairchild Semiconductor專有的平面條紋和DMOS技術(shù)生產(chǎn)。這種先進的MOSFET技術(shù)經(jīng)過特別設計，可降低導通電阻，提供卓越的開關(guān)性能，具有低柵極電荷（典型值31 nC）、低Crss（典型值30 pF）和高雪崩能量強度等優(yōu)點。該器件適用于開關(guān)模式電源、有源功率因數(shù)校正（PFC）和電子燈鎮(zhèn)流器等應用。
（二）特性
- 電氣性能：19.4 A，200 V，在(V{GS}=10 V)、(I{D}=9.7 A)時，(R_{DS(on)}=150 mΩ)（最大值）。
- 可靠性：經(jīng)過100%雪崩測試，保證了產(chǎn)品在復雜環(huán)境下的可靠性。
- 環(huán)保性：符合RoHS標準，滿足環(huán)保要求。
四、關(guān)鍵參數(shù)
（一）絕對最大額定值
| 參數(shù) | 描述 | FQB19N20TM值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| (V_{DSS}) | 漏源電壓 | 200 | V |
| (I{D})（連續(xù)，(T{C}=25^{circ}C)） | 漏極電流 | 19.4 | A |
| (I_{DM})（脈沖） | 漏極脈沖電流 | - | - |
| (V_{GS}) | 柵源電壓 | ±30 | V |
| (E_{AS})（單脈沖雪崩能量） | - | - | - |
| (I_{AV})（雪崩電流） | - | 19.4 | A |
| (dv/dt) | - | - | - |
| (P{D})（(T{A}=25^{circ}C)） | 功率耗散 | - | - |
| (P{D})（(T{C}=25^{circ}C)） | 功率耗散 | - | - |
| (R_{θJC}) | 熱阻（結(jié)到外殼） | 1.12 | W/°C |
| (T_{L})（焊接時最大引腳溫度） | - | - | - |
（二）熱特性
| 參數(shù) | FQB19N20TM值 |
|---|---|
| (R_{θJA})（最小2盎司銅焊盤） | 62.5 |
| (R_{θJA})（1平方英寸2盎司銅焊盤） | 40 |
（三）電氣特性
1. 關(guān)斷特性
| 參數(shù) | 測試條件 | (FQB19N20TM)值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| (BV_{DSS}) | (V{GS}=0 V)，(I{D}=250 μA) | 200 | V |
| (Delta BV_{DSS})（擊穿電壓溫度系數(shù)） | - | 0.18 | - |
| (I_{GSSF})（柵體反向泄漏電流） | - | - | nA |
2. 導通特性
| 參數(shù) | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|
| (V_{GS(th)})（柵極閾值電壓） | (V{DS}=V{GS})，(I_{D}=250 μA) | 3.0 | - | 5.0 | V |
| (R_{DS(on)})（靜態(tài)漏源導通電阻） | (V{GS}=10 V)，(I{D}=9.7 A) | - | - | 0.15 | Ω |
| (g_{fs})（正向跨導） | (V{DS}=40 V)，(I{D}=9.7 A) | - | 14.5 | - | S |
3. 動態(tài)特性
| 參數(shù) | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|
| (C_{iss})（輸入電容） | (V{DS}=25 V)，(V{GS}=0 V)，(f = 1.0 MHz) | 1220 | - | 1600 | pF |
| (C_{oss})（輸出電容） | - | 220 | - | 290 | pF |
| (C_{rss})（反向傳輸電容） | - | 1 | 30 | 40 | pF |
4. 開關(guān)特性
| 參數(shù) | 描述 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|
| (t_{d(on)})（開啟延遲時間） | - | - | 50 | - | ns |
| (t_{r})（上升時間） | - | - | 190 | - | ns |
| (t_{d(off)})（關(guān)斷延遲時間） | - | - | 55 | - | ns |
| (t_{f})（下降時間） | - | - | - | - | ns |
| (Q_{g})（總柵極電荷） | - | - | 31 | - | nC |
| (Q_{gs})（柵源電荷） | - | - | - | - | - |
| (Q_{gd})（柵漏電荷） | - | - | 13.5 | - | - |
（四）漏源二極管特性和最大額定值
| 參數(shù) | 描述 | FQB19N20TM值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| (I_{S})（最大連續(xù)漏源二極管正向電流） | - | - | A |
| (I_{SM})（最大脈沖漏源二極管正向電流） | (dI_{F}/dt = 100 A/μs) | 140 | A |
| (Q_{rr})（反向恢復電荷） | - | - | - |
五、典型特性曲線
文檔中給出了一系列典型特性曲線，包括導通區(qū)域特性、傳輸特性、導通電阻隨漏極電流和柵極電壓的變化、體二極管正向電壓隨源極電流和溫度的變化、電容特性、柵極電荷特性、擊穿電壓隨溫度的變化、導通電阻隨溫度的變化、最大安全工作區(qū)、最大漏極電流隨外殼溫度的變化、瞬態(tài)熱響應曲線等。這些曲線有助于工程師深入了解FQB19N20在不同工作條件下的性能表現(xiàn)。
六、機械尺寸與封裝
FQB19N20采用TO263（(D^{2}PAK)）封裝，為模制2引腳表面貼裝。需要注意的是，封裝圖紙可能會隨時更改，大家可訪問Fairchild Semiconductor的在線封裝區(qū)域（http://www.fairchildsemi.com/package/packageDetails.html?id=PN_TT263 - 002）獲取最新的封裝圖紙。
七、產(chǎn)品狀態(tài)與反假冒政策
（一）產(chǎn)品狀態(tài)定義
文檔中對產(chǎn)品狀態(tài)進行了明確的定義，包括提前信息（設計階段，規(guī)格可能隨時更改）、初步生產(chǎn)（包含初步數(shù)據(jù)，后續(xù)會補充）、批量生產(chǎn)（包含最終規(guī)格，仍可能改進設計）和停產(chǎn)（僅供參考）。FQB19N20的產(chǎn)品狀態(tài)需根據(jù)具體情況查詢。
（二）反假冒政策
Fairchild Semiconductor采取了強有力的措施來打擊假冒零件的擴散，鼓勵客戶直接從Fairchild或其授權(quán)經(jīng)銷商處購買產(chǎn)品。從這些渠道購買的產(chǎn)品是正品，具有完整的可追溯性，符合Fairchild的質(zhì)量標準，并可獲得最新的技術(shù)和產(chǎn)品信息。而從非授權(quán)來源購買的產(chǎn)品，F(xiàn)airchild將不提供任何保修或其他支持。
八、總結(jié)與思考
FQB19N20 N - 通道QFET MOSFET憑借其低導通電阻、卓越的開關(guān)性能和高可靠性，在開關(guān)模式電源、PFC和電子燈鎮(zhèn)流器等領(lǐng)域具有廣泛的應用前景。電子工程師在設計過程中，需要根據(jù)具體的應用需求，結(jié)合FQB19N20的各項參數(shù)和特性曲線，合理選擇和使用該器件。同時，要注意產(chǎn)品狀態(tài)和反假冒政策，確保購買到正品，保障設計的可靠性和穩(wěn)定性。大家在實際應用中是否遇到過類似MOSFET的使用問題呢？歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。
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