ROHM BD9G101G降壓開關(guān)穩(wěn)壓器評估板使用指南
在電子設(shè)計領(lǐng)域,開關(guān)穩(wěn)壓器是電源管理的關(guān)鍵組件。ROHM的BD9G101G降壓開關(guān)穩(wěn)壓器憑借其出色的性能和豐富的功能,在工業(yè)和汽車等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。今天,我們就來詳細了解一下ROHM為BD9G101G開發(fā)的評估板。
文件下載:BD9G101G-EVK-101.pdf
1. 評估板概述
1.1 評估板用途
該評估板專為評估BD9G101G非同步降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器而設(shè)計,此轉(zhuǎn)換器集成了45V/800mΩ功率MOSFET。它具有寬輸入(6V至42V)和輸出(1V至VCC x 0.7V)電壓范圍,開關(guān)頻率為1.5MHz。同時,還內(nèi)置了多種保護功能,如軟啟動電路、欠壓鎖定(UVLO)、熱關(guān)斷(TSD)和過流保護(OCP)等。此外,EN引腳可實現(xiàn)簡單的ON/OFF控制,降低待機電流消耗。
1.2 應(yīng)用場景
2. 評估板的工作限制和絕對最大額定值
| 參數(shù) | 符號 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | 條件 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 電源電壓(BD9G1010G) | VCC | 6 (*1) | - | 42 | V | - |
| 輸出電壓(BD9G101G) | VOUT | 1.0 (*2) | 5 | VINx0.7 (*3) | V | *由R1和R2設(shè)置 |
| 輸出電流(BD9G101G) | IOUT | - | 0.5 | - | A | - |
注:(*1)受最大占空比、導(dǎo)通電阻和BST - UVLO限制;(*2)受最小導(dǎo)通脈沖典型值100nsec限制;(*3)受最大占空比、導(dǎo)通電阻和BST - UVLO限制。
3. 評估板操作步驟
3.1 連接GND
將GND連接到評估板的GND引腳。
3.2 連接VCC
將VCC連接到VCC引腳。需要注意的是,EN引腳默認拉高,要使IC工作,需將EN設(shè)置為LOW。
3.3 測量輸出
可以從評估板的VOUT引腳測量輸出電壓,通過在VOUT處連接合適的負載來測量輸出電流。同時要注意,熱插拔可能會損壞IC,因此在移除或連接BD9G101G評估板之前,務(wù)必先關(guān)閉系統(tǒng)電源。
4. 參考應(yīng)用數(shù)據(jù)
評估板提供了效率、頻率響應(yīng)和負載特性等方面的參考應(yīng)用數(shù)據(jù),通過相關(guān)圖表可以直觀地了解BD9G101G在不同輸入電壓和輸出電流條件下的啟動特性、負載響應(yīng)、開關(guān)紋波以及頻率響應(yīng)等情況。例如,在不同的輸入電壓(如8V、12V、42V)和輸出電流(0mA、500mA)組合下,觀察輸出電壓和電流的變化情況,有助于我們更好地評估該穩(wěn)壓器的性能。
5. 應(yīng)用組件選擇方法
5.1 電感
建議選擇具有低直流電阻(DCR)且滿足電流額定值(峰值電流Ipeak)的屏蔽型電感。電感值對電感紋波電流有顯著影響,可通過增加電感值L和/或開關(guān)頻率來減小紋波電流。對于BD9G101G,推薦在4.7μH至15μH范圍內(nèi)選擇電感,如TOKO DE4518C系列和TAIYO YUDEN NR4018系列。
5.2 輸入電容
為了降低輸入紋波電壓,應(yīng)在VCC引腳附近連接低等效串聯(lián)電阻(ESR)的陶瓷電容。對于BD9G101G,建議電容值小于4.7μF。如果使用電解電容,需并聯(lián)一個1μF的陶瓷電容以防止振蕩。
5.3 輸出電容
為了降低輸出紋波,推薦使用低ESR的陶瓷電容。除了考慮直流偏置特性外,還需為絕對最大額定輸出電壓留出足夠的余量。對于BD9G101G,建議使用10μF以上的陶瓷電容。
5.4 輸出電壓設(shè)置
內(nèi)部誤差放大器的參考電壓為0.75V,輸出電壓由公式 (V{0}=frac{(R 1+R 2)}{R 2} × 0.75[ V]) 確定。同時,為了防止在低功率和輕負載時BSTUVLO動作,輸出電阻R1 + R2需滿足 (R 1+R 2 leq V{out } × 10^{3}) 。例如,5V輸出電壓時,可設(shè)置 (R 1=3.9 k Omega) , (R 2=0.68 k Omega) ;12V輸出電壓時,可設(shè)置 (R 1=7.5 k Omega) , (R 2=0.51 k Omega) 。
5.5 前饋電容Csp
建議將前饋電容Csp與輸出電阻R1并聯(lián)。前饋電容通過在環(huán)路特性中添加一對極點和零點來調(diào)整環(huán)路特性,提高相位裕度和瞬態(tài)響應(yīng)速度。Csp的值可參考公式 (C s p=frac{4.7 k}{R 1} × 0.15 quad[u F]) 。例如,5V輸出電壓時, (R 1=3.9 k Omega) , (R 2=0.68 k Omega) ,Csp可選擇0.1μF或0.22μF;12V輸出電壓時, (R 1=7.5 k Omega) , (R 2=0.51 k Omega) ,Csp可選擇0.1μF。
5.6 自舉電容
為防止自舉引腳內(nèi)部電路故障,需在BST和Lx引腳之間連接一個 (CBS =15000 pF) 的陶瓷電容。
5.7 二極管
選擇滿足耐壓和額定電流要求的肖特基勢壘二極管。
6. 評估板布局指南
布局是良好電源設(shè)計的關(guān)鍵要素。VCC引腳應(yīng)通過具有B介質(zhì)的低ESR陶瓷旁路電容接地,并盡量減小旁路電容連接、VCC引腳和續(xù)流二極管陽極形成的環(huán)路面積。由于Lx連接是開關(guān)節(jié)點,續(xù)流二極管和輸出電感應(yīng)靠近Lx引腳,同時盡量減小PCB導(dǎo)體面積,以防止過多的電容耦合。此外,GND區(qū)域不應(yīng)直接連接到電源GND或大電流開關(guān)路徑。
7. 評估板物料清單(BOM)
| 項目 | 數(shù)量 | 參考 | 描述 | 制造商 | 零件編號 | Digikey P/N |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 1 | CIN1 | 陶瓷電容4.7μF 50V Y5V 1206 | Murata | GRM31CF51H475ZA01L | 490 - 1828 - 1 - ND |
| 2 | 1 | CIN2 | TVS二極管40VWM 64.5VC SMA | Littlefuse | SMAJ40A | SMAJ40ALFTR - ND |
| 3 | 1 | CO2 | 陶瓷電容10μF 10V 10% X5R 1206 | Murata | GRM31CR61A106KA01L | 490 - 1820 - 2 - ND |
| 4 | 1 | CBST | 陶瓷電容0.015μF 50V 10% X7R 0603 | Murata | GRM188R71H153KA01D | 490 - 1514 - 1 - ND |
| 5 | 1 | D1 | 肖特基二極管60V 2A PMDU | ROHM | RB060M - 60TR | RB060M - 60CT - ND |
| 6 | 1 | SW1 | 滑動開關(guān)SPDT 30V.2A PC安裝 | E - Switch | EG1218 | EG1903 - ND |
| 7 | 1 | R1 | 電阻3.9KΩ 1/8W 1% 0805 SMD | ROHM | MCR10ERTF3901 | RHM3.90KCHTR - ND |
| 8 | 1 | R2 | 電阻680Ω 1/8W 1% 0805 SMD | ROHM | MCR10ERTF6800 | RHM680CHTR - ND |
| 9 | 1 | Lx | 電感10uH SOD - 106 | TOKO | DEM4518C 1235AS - H - 100M | - |
| 10 | 1 | U1 | 5V, 0.5A降壓開關(guān)穩(wěn)壓器帶FET | ROHM | BD9G101G | - |
8. 修訂歷史
| 日期 | 版本 | 更改內(nèi)容 |
|---|---|---|
| 2013年5月 | BD9G101G | 新版本發(fā)布 |
| 2016年3月17日 | BD9G101G - V2 | BOM(R1、R2和CIN2)更改,操作步驟添加注釋 |
通過以上對ROHM BD9G101G評估板的詳細介紹,相信大家對該穩(wěn)壓器及其評估板有了更深入的了解。在實際設(shè)計中,我們可以根據(jù)具體需求選擇合適的組件和布局,以實現(xiàn)最佳的電源性能。大家在使用過程中遇到過哪些問題呢?歡迎在評論區(qū)交流分享。
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