onsemi N溝道UniFET MOSFET：FDP39N20與FDPF39N20的技術(shù)剖析

在電子工程師的日常設(shè)計(jì)中，MOSFET是不可或缺的關(guān)鍵元件。今天，我們聚焦于安森美（onsemi）的兩款N溝道UniFET MOSFET——FDP39N20和FDPF39N20，深入剖析它們的特性、參數(shù)及應(yīng)用場(chǎng)景。

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產(chǎn)品概述

UniFET MOSFET是安森美基于平面條紋和DMOS技術(shù)打造的高壓MOSFET系列。該系列旨在降低導(dǎo)通電阻，同時(shí)提供更出色的開(kāi)關(guān)性能和更高的雪崩能量強(qiáng)度。FDP39N20和FDPF39N20適用于多種開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器應(yīng)用，如功率因數(shù)校正（PFC）、平板顯示器（FPD）電視電源、ATX電源和電子燈鎮(zhèn)流器等。

產(chǎn)品特性

低導(dǎo)通電阻

在(V{GS}=10V)、(I{D}=19.5A)的條件下，(R_{DS(on)})最大為(66mOmega)。低導(dǎo)通電阻意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下，MOSFET的功率損耗更低，能夠提高電源轉(zhuǎn)換效率，減少發(fā)熱，延長(zhǎng)設(shè)備使用壽命。

低柵極電荷

典型柵極電荷為(38nC)。低柵極電荷可以降低驅(qū)動(dòng)MOSFET所需的能量，減少開(kāi)關(guān)損耗，提高開(kāi)關(guān)速度，尤其適用于高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用。

低(C_{rss})

典型值為(57pF)。低(C_{rss})有助于降低米勒效應(yīng)的影響，減少開(kāi)關(guān)過(guò)程中的電壓尖峰和振蕩，提高開(kāi)關(guān)的穩(wěn)定性和可靠性。

100%雪崩測(cè)試

經(jīng)過(guò)100%雪崩測(cè)試，表明該器件具有較高的雪崩能量強(qiáng)度，能夠承受瞬間的高能量沖擊，增強(qiáng)了在惡劣環(huán)境下的可靠性。

絕對(duì)最大額定值

需要注意的是，超過(guò)這些最大額定值可能會(huì)損壞器件，影響其功能和可靠性。

電氣特性

靜態(tài)特性

• 擊穿電壓：(BVDSS)在(V{GS}=0V)、(I{D}=250mu A)時(shí)為(200V)，確保了器件在高壓環(huán)境下的穩(wěn)定性。
• 閾值電壓：(V_{GS(th)})典型值為(3.0V)，這是MOSFET開(kāi)始導(dǎo)通的臨界柵源電壓。
• 導(dǎo)通電阻：(R_{DS(on)})典型值為(0.056Omega)，低導(dǎo)通電阻可降低導(dǎo)通損耗。

  動(dòng)態(tài)特性

• 輸入電容：(C{iss})在(V{DS}=25V)、(V_{GS}=0V)、(f = 1.0MHz)時(shí)，典型值為(1640pF)，最大值為(2130pF)。
• 輸出電容：(C_{oss})典型值為(400pF)，最大值為(520pF)。
• 反向傳輸電容：(C_{rss})典型值為(57pF)，最大值為(85pF)。

  開(kāi)關(guān)特性

• 開(kāi)啟延遲時(shí)間：(td(on))典型值為(30ns)，最大值為(70ns)。
• 開(kāi)啟上升時(shí)間：(tr)典型值為(160ns)，最大值為(330ns)。
• 關(guān)斷延遲時(shí)間：(td(off))典型值為(150ns)，最大值為(310ns)。
• 關(guān)斷下降時(shí)間：(tf)典型值為(150ns)，最大值為(310ns)。
• 總柵極電荷：(Qg)在(V{DS}=160V)、(I{D}=39A)、(V_{GS}=10V)時(shí)，典型值為(38nC)，最大值為(49nC)。

典型性能特性

文檔中提供了多個(gè)典型性能特性曲線，包括導(dǎo)通區(qū)域特性、傳輸特性、導(dǎo)通電阻隨漏極電流和柵極電壓的變化、體二極管正向電壓隨源極電流和溫度的變化、電容特性、柵極電荷特性、擊穿電壓隨溫度的變化、導(dǎo)通電阻隨溫度的變化以及最大安全工作區(qū)等。這些曲線有助于工程師在不同工作條件下準(zhǔn)確評(píng)估器件的性能。

應(yīng)用場(chǎng)景

FDP39N20和FDPF39N20適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景，如等離子電視（PDP TV）、照明、不間斷電源（UPS）和AC - DC電源等。在這些應(yīng)用中，它們的高性能特性能夠滿足電源轉(zhuǎn)換的需求，提高系統(tǒng)的效率和可靠性。

封裝與訂購(gòu)信息

總結(jié)

安森美的FDP39N20和FDPF39N20 N溝道UniFET MOSFET以其低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷、低(C_{rss})和高雪崩能量強(qiáng)度等特性，為開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器應(yīng)用提供了出色的解決方案。工程師在設(shè)計(jì)過(guò)程中，可以根據(jù)具體的應(yīng)用需求，參考器件的各項(xiàng)參數(shù)和典型性能特性，合理選擇和使用這兩款MOSFET，以實(shí)現(xiàn)高效、可靠的電源設(shè)計(jì)。

在實(shí)際應(yīng)用中，你是否遇到過(guò)MOSFET選擇和使用方面的挑戰(zhàn)？歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見(jiàn)解。