onsemi N溝道屏蔽柵功率MOSFET：FDP2D3N10C與FDPF2D3N10C解析

作為電子工程師，在設(shè)計電路時，MOSFET的選擇至關(guān)重要。今天我就來給大家詳細介紹onsemi的兩款N溝道屏蔽柵功率MOSFET：FDP2D3N10C和FDPF2D3N10C。

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一、產(chǎn)品概述

這兩款MOSFET采用了onsemi先進的POWERTRENCH工藝，并融入了屏蔽柵技術(shù)。這種工藝經(jīng)過優(yōu)化，能在降低導通電阻的同時，保持出色的開關(guān)性能，還具備一流的軟體二極管特性。其額定電壓為100V，最大連續(xù)漏極電流可達222A（受最大結(jié)溫限制，封裝限制電流為120A），導通電阻在(V{GS}=10V)、(I{D}=100A)時最大為(2.3mΩ)。

二、產(chǎn)品特性

（一）低導通電阻

在(V{GS}=10V)、(I{D}=100A)的條件下，最大導通電阻(r_{DS(on)})僅為(2.3mΩ)。低導通電阻意味著在導通狀態(tài)下，MOSFET的功率損耗更小，能有效提高電路效率，減少發(fā)熱，這在高功率應用中尤為重要。大家在實際設(shè)計時，有沒有遇到過因為導通電阻過大導致電路效率低下的情況呢？

（二）極低的反向恢復電荷（Qrr）

反向恢復電荷是衡量MOSFET反向恢復特性的重要參數(shù)。極低的Qrr可以減少開關(guān)損耗，提高開關(guān)速度，使電路在高頻工作時更加穩(wěn)定可靠。對于高頻應用的電路設(shè)計，這一特性無疑是一大優(yōu)勢。

（三）100% UIL測試

經(jīng)過100%的非鉗位感性負載（UIL）測試，保證了產(chǎn)品在感性負載下的可靠性和穩(wěn)定性，能夠承受一定的雪崩能量，降低了在實際應用中因感性負載而損壞的風險。

（四）符合RoHS標準

這表明產(chǎn)品符合環(huán)保要求，在當今注重環(huán)保的大環(huán)境下，使用符合RoHS標準的元器件有助于產(chǎn)品通過相關(guān)認證，進入更廣泛的市場。

三、應用領(lǐng)域

（一）同步整流

適用于ATX電源、服務(wù)器電源和電信電源等領(lǐng)域的同步整流應用。在這些電源系統(tǒng)中，同步整流技術(shù)可以提高電源效率，降低功耗，而這兩款MOSFET的低導通電阻和良好的開關(guān)性能正好滿足了同步整流的需求。

（二）電機驅(qū)動和不間斷電源

在電機驅(qū)動和不間斷電源（UPS）中，需要MOSFET能夠承受較大的電流和電壓變化，并且具備快速的開關(guān)響應能力。這兩款產(chǎn)品的高電流承載能力和優(yōu)秀的開關(guān)特性使其能夠很好地適應這些應用場景。

（三）微型太陽能逆變器

在微型太陽能逆變器中，對效率和可靠性要求較高。這兩款MOSFET的低損耗和高可靠性可以提高太陽能逆變器的轉(zhuǎn)換效率，延長其使用壽命。

四、電氣特性

（一）最大額定值

需要注意的是，漏極電流受最大結(jié)溫限制，且封裝限制電流為120A。當實際應用中的應力超過最大額定值時，可能會損壞器件，影響其功能和可靠性。大家在設(shè)計時一定要嚴格遵循這些額定值要求。

（二）電氣參數(shù)

在(T{J}=25°C)（除非另有說明）的條件下，還給出了許多詳細的電氣參數(shù)，如擊穿電壓、靜態(tài)漏源導通電阻、輸入電容、開關(guān)時間、總柵極電荷等。這些參數(shù)是我們在電路設(shè)計中進行精確計算和優(yōu)化的重要依據(jù)。例如，總柵極電荷（(Q{g})）的大小會影響MOSFET的開關(guān)速度和驅(qū)動電路的設(shè)計。

五、典型性能曲線

文檔中提供了一系列典型性能曲線，包括導通區(qū)域特性、歸一化導通電阻與結(jié)溫、漏極電流和柵源電壓的關(guān)系、轉(zhuǎn)移特性、反向漏極電流與體二極管正向電壓的關(guān)系、柵極電荷特性、電容與漏源電壓的關(guān)系、非鉗位感性開關(guān)能力、最大連續(xù)漏極電流與殼溫的關(guān)系、正向偏置安全工作區(qū)以及單脈沖最大功耗等曲線。

這些曲線直觀地展示了MOSFET在不同條件下的性能表現(xiàn)，幫助我們更好地理解器件的特性和適用范圍。在實際設(shè)計中，我們可以根據(jù)這些曲線來選擇合適的工作點，優(yōu)化電路性能。比如，通過導通電阻與柵源電壓的關(guān)系曲線，我們可以確定在不同的柵源電壓下MOSFET的導通電阻變化情況，從而選擇合適的驅(qū)動電壓。

六、封裝信息

這兩款產(chǎn)品采用了不同的封裝形式：

• FDP2D3N10C采用TO - 220封裝，每管裝800個單元。
• FDPF2D3N10C采用TO - 220F封裝，每管裝1000個單元。

同時，文檔還提供了詳細的封裝尺寸圖和標注信息，方便我們在PCB設(shè)計時進行布局和布線。不同的封裝形式在散熱、安裝等方面可能會有不同的特點，我們在選擇時需要綜合考慮實際應用的需求。

七、總結(jié)

onsemi的FDP2D3N10C和FDPF2D3N10C N溝道屏蔽柵功率MOSFET憑借其先進的工藝、優(yōu)秀的性能和廣泛的應用領(lǐng)域，為電子工程師在電路設(shè)計中提供了可靠的選擇。在實際應用中，我們需要根據(jù)具體的設(shè)計要求，結(jié)合產(chǎn)品的電氣特性、典型性能曲線和封裝信息，合理選擇和使用這兩款MOSFET，以實現(xiàn)電路的高效、穩(wěn)定運行。大家在使用這兩款產(chǎn)品的過程中，有沒有什么獨特的經(jīng)驗或者遇到過什么問題呢？歡迎在評論區(qū)分享交流。