FDP150N10 N溝道PowerTrench? MOSFET：高性能的電子解決方案
FDP150N10 N溝道PowerTrench? MOSFET：高性能的電子解決方案
在電子工程領(lǐng)域，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種至關(guān)重要的元件，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。今天，我們就來詳細(xì)了解一下飛兆半導(dǎo)體（Fairchild）的FDP150N10 N溝道PowerTrench? MOSFET，它在性能和應(yīng)用方面都有著出色的表現(xiàn)。
文件下載：FDP150N10CN-D.pdf
飛兆與安森美半導(dǎo)體的整合
飛兆半導(dǎo)體現(xiàn)已成為安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）的一部分。由于系統(tǒng)要求的變化，部分飛兆可訂購(gòu)的零件編號(hào)需要更改。安森美半導(dǎo)體的產(chǎn)品管理系統(tǒng)無法處理帶有下劃線（_）的零件命名法，因此飛兆零件編號(hào)中的下劃線將改為破折號(hào)（-）。大家可以通過安森美半導(dǎo)體的網(wǎng)站（www.onsemi.com）來驗(yàn)證更新后的設(shè)備編號(hào)。
FDP150N10 MOSFET的特性
卓越的電氣性能
- 低導(dǎo)通電阻：典型的 (R{DS(on)} = 12 mOmega)（在 (V{GS}=10 V)，(I_{D}=49 A) 時(shí)），這種低導(dǎo)通電阻有助于降低功耗，提高效率。
- 快速開關(guān)速度：能夠快速響應(yīng)信號(hào)變化，適用于對(duì)開關(guān)速度要求較高的應(yīng)用場(chǎng)景。
- 低柵極電荷：減少了開關(guān)過程中的能量損耗，進(jìn)一步提升了效率。
- 高性能溝道技術(shù)：實(shí)現(xiàn)了極低的 (R_{DS(on)})，具備高功率和高電流處理能力。
- 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)：滿足環(huán)保要求，符合現(xiàn)代電子設(shè)備的發(fā)展趨勢(shì)。
先進(jìn)的制造工藝
該MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench?工藝生產(chǎn)，這一工藝專為最大限度地降低導(dǎo)通電阻并保持卓越開關(guān)性能而定制。
應(yīng)用領(lǐng)域
同步整流
可用于ATX/服務(wù)器/通信PSU（電源供應(yīng)器）的同步整流，提高電源轉(zhuǎn)換效率。
電池保護(hù)
在電池保護(hù)電路中發(fā)揮重要作用，確保電池的安全使用。
電機(jī)驅(qū)動(dòng)和不間斷電源
為電機(jī)驅(qū)動(dòng)和不間斷電源提供穩(wěn)定的功率支持。
微型光伏逆變器
適用于微型光伏逆變器，將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化為電能。
技術(shù)參數(shù)
最大額定值
| 符號(hào) | 參數(shù) | FDP150N10 | 單位 |
|---|---|---|---|
| (V_{DSS}) | 漏極 - 源極電壓 | 100 | V |
| (V_{GSS}) | 柵極 - 源極電壓 | ±20 | V |
| (I_{D}) | 漏極電流（連續(xù)，(T_{C}=25°C)） | 57 | A |
| (I_{D}) | 漏極電流（連續(xù)，(T_{C}=100°C)） | 40 | A |
| (I_{DM}) | 漏極電流（脈沖） | 228 | A |
| (E_{AS}) | 單脈沖雪崩能量 | 132 | mJ |
| (dv/dt) | 峰值二極管恢復(fù) (dv/dt) | 7.5 | V/ns |
| (P_{D}) | 功耗（(T_{C}= 25°C)） | 110 | W |
| 降額（25°C以上） | 0.88 | W/°C | |
| (T{J}, T{STG}) | 工作和存儲(chǔ)溫度范圍 | -55 至 +150 | °C |
| (T_{L}) | 用于焊接的最大引腳溫度（距離外殼1/8"，持續(xù)5秒） | 300 | °C |
熱性能
| 符號(hào) | 參數(shù) | FDP150N10 | 單位 |
|---|---|---|---|
| (R_{theta JC}) | 結(jié)至外殼熱阻最大值 | 1.13 | °C/W |
| (R_{theta JA}) | 結(jié)至環(huán)境熱阻最大值 | 62.5 | °C/W |
電氣特性
關(guān)斷特性
| 符號(hào) | 參數(shù) | 條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| (BV_{DSS}) | 漏極 - 源極擊穿電壓 | (I{D} = 250 mu A)，(V{GS} = 0 V)，(T_{C} = 25°C) | 100 | - | - | V |
| (Delta BV{DSS} / Delta T{J}) | 擊穿電壓溫度系數(shù) | (I_{D}=250 mu A)，參考條件是25°C | - | 0.1 | - | V/°C |
| (I_{DSS}) | 零柵極電壓漏極電流 | (V{DS} = 100 V)，(V{GS} = 0 V) | - | - | 1 | (mu A) |
| (V{DS} = 100 V)，(V{GS} = 0 V)，(T_{C} = 150°C) | - | - | 500 | (mu A) | ||
| (I_{GSS}) | 柵極 - 體漏電流 | (V{GS} = ±20 V)，(V{DS} = 0 V) | - | - | ±100 | nA |
導(dǎo)通特性
| 符號(hào) | 參數(shù) | 條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| (V_{GS(th)}) | 柵極閾值電壓 | (V{GS} = V{DS})，(I_{D} = 250 mu A) | 2.5 | - | 4.5 | V |
| (R_{DS(on)}) | 漏極至源極靜態(tài)導(dǎo)通電阻 | (V{GS} = 10 V)，(I{D} = 49 A) | - | 12 | 15 | (mOmega) |
| (g_{FS}) | 正向跨導(dǎo) | (V{DS} = 20 V)，(I{D} = 49 A) | - | 156 | - | S |
動(dòng)態(tài)特性
| 符號(hào) | 參數(shù) | 條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| (C_{iss}) | 輸入電容 | (V{DS} = 25 V)，(V{GS} = 0 V)，(f = 1 MHz) | - | 3580 | 4760 | pF |
| (C_{oss}) | 輸出電容 | - | 340 | 450 | pF | |
| (C_{rss}) | 反向傳輸電容 | - | 140 | 210 | pF |
開關(guān)特性
| 符號(hào) | 參數(shù) | 條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| (t_{d(on)}) | 導(dǎo)通延遲時(shí)間 | (V{DD} = 50 V)，(I{D} = 49 A)，(V{GS} = 10 V)，(R{G} = 25 Omega) | - | 47 | 104 | ns |
| (t_{r}) | 開通上升時(shí)間 | - | - | 164 | 338 | ns |
| (t_{d(off)}) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | - | - | 86 | 182 | ns |
| (t_{f}) | 關(guān)斷下降時(shí)間 | - | - | 83 | 176 | ns |
| (Q_{g(tot)}) | 10 V的柵極電荷總量 | (V{DS} = 80 V)，(I{D} = 49 A) | - | 53 | 69 | nC |
| (Q_{gs}) | 柵極 - 源極柵極電荷 | (V_{GS} = 10 V) | - | 19 | - | nC |
| (Q_{gd}) | 柵漏極 “ 米勒 ” 電荷 | - | - | 15 | - | nC |
漏源極二極管特性
| 符號(hào) | 參數(shù) | 條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| (I_{S}) | 漏源極二極管最大正向連續(xù)電流 | - | - | - | 57 | A |
| (I_{SM}) | 漏源極二極管最大正向脈沖電流 | - | - | 228 | A | |
| (V_{SD}) | 漏源極二極管正向電壓 | (V{GS} = 0 V)，(I{SD} = 49 A) | - | - | 1.3 | V |
| (t_{rr}) | 反向恢復(fù)時(shí)間 | (V{GS} = 0 V)，(I{SD} = 49 A) | - | 41 | - | ns |
| (Q_{rr}) | 反向恢復(fù)電荷 | (dI_{F} / dt = 100 A/ mu s) | - | 70 | - | nC |
典型性能特征
文檔中還給出了一系列典型性能特征的圖表，包括導(dǎo)通區(qū)域特性、傳輸特性、導(dǎo)通電阻變化與漏極電流和柵極電壓的關(guān)系、體二極管正向電壓變化與源極電流的關(guān)系和溫度、電容特性、柵極電荷特性、擊穿電壓變化與溫度的關(guān)系、導(dǎo)通電阻變化與溫度的關(guān)系、最大安全工作區(qū)、最大漏極電流與殼體溫度的關(guān)系以及瞬態(tài)熱響應(yīng)曲線等。這些圖表為工程師在設(shè)計(jì)電路時(shí)提供了重要的參考依據(jù)。
封裝與訂購(gòu)信息
FDP150N10采用TO - 220封裝，頂標(biāo)為FDP150N10，包裝方法為塑料管，每管50個(gè)。
注意事項(xiàng)
產(chǎn)品變更
安森美半導(dǎo)體保留對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行更改的權(quán)利，且不會(huì)另行通知。
應(yīng)用責(zé)任
買方需對(duì)使用安森美半導(dǎo)體產(chǎn)品的產(chǎn)品和應(yīng)用負(fù)責(zé)，包括遵守所有法律法規(guī)和安全要求或標(biāo)準(zhǔn)。
醫(yī)療應(yīng)用限制
該產(chǎn)品不設(shè)計(jì)、不打算也未獲授權(quán)用于生命支持系統(tǒng)、FDA Class 3醫(yī)療設(shè)備或具有相同或類似分類的外國(guó)醫(yī)療設(shè)備，以及任何用于人體植入的設(shè)備。
FDP150N10 N溝道PowerTrench? MOSFET憑借其出色的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，為電子工程師提供了一個(gè)優(yōu)秀的選擇。在實(shí)際設(shè)計(jì)中，工程師們需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求，結(jié)合這些技術(shù)參數(shù)和性能特征，合理使用該MOSFET，以實(shí)現(xiàn)最佳的電路性能。大家在使用過程中有沒有遇到過什么問題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。
-
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
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