FDD86252 N-Channel Shielded Gate PowerTrench? MOSFET：特性與應(yīng)用解析

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，功率MOSFET是至關(guān)重要的元件，廣泛應(yīng)用于各種電源轉(zhuǎn)換和開關(guān)電路中。今天我們要深入探討的是FDD86252 N-Channel Shielded Gate PowerTrench? MOSFET，它由Fairchild Semiconductor生產(chǎn)，現(xiàn)在已成為ON Semiconductor的一部分。

文件下載：FDD86252-D.pdf

一、產(chǎn)品背景與命名變更

隨著Fairchild Semiconductor與ON Semiconductor的整合，部分Fairchild可訂購(gòu)的零件編號(hào)需要更改以符合ON Semiconductor的系統(tǒng)要求。由于ON Semiconductor的產(chǎn)品管理系統(tǒng)無(wú)法處理帶有下劃線（_）的零件命名，F(xiàn)airchild零件編號(hào)中的下劃線將改為破折號(hào)（-）。大家在使用時(shí)，可通過ON Semiconductor網(wǎng)站驗(yàn)證更新后的設(shè)備編號(hào)。

二、FDD86252的特性

先進(jìn)技術(shù)

FDD86252采用了Fairchild Semiconductor先進(jìn)的PowerTrench?工藝，并結(jié)合了屏蔽柵技術(shù)。這種工藝在優(yōu)化導(dǎo)通電阻的同時(shí)，還能保持出色的開關(guān)性能。具體來說，在不同的柵源電壓和漏極電流條件下，其導(dǎo)通電阻表現(xiàn)如下：

• 在(V{GS}=10V)，(I{D}=5A)時(shí)，最大(r_{DS(on)} = 52mΩ)；
• 在(V{GS}=6V)，(I{D}=4A)時(shí)，最大(r_{DS(on)} = 72mΩ)。

其他特性

• 100% UIL測(cè)試：經(jīng)過100%的非鉗位感性負(fù)載測(cè)試，保證了產(chǎn)品在實(shí)際應(yīng)用中的可靠性。
• RoHS合規(guī)：符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，滿足環(huán)保要求。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

FDD86252主要應(yīng)用于DC - DC轉(zhuǎn)換領(lǐng)域。在DC - DC轉(zhuǎn)換電路中，其低導(dǎo)通電阻和良好的開關(guān)性能能夠有效降低功耗，提高轉(zhuǎn)換效率。

四、產(chǎn)品參數(shù)

最大額定值

熱特性

電氣特性

關(guān)斷特性

• (BV_{DSS})：漏源擊穿電壓，在(I{D}=250μA)，(V{GS}=0V)時(shí)為150V。
• (frac{ΔBV{DSS}}{ΔT{J}})：擊穿電壓溫度系數(shù)，在(I_{D}=250μA)，參考25°C時(shí)為104mV/°C。
• (I_{DSS})：零柵壓漏極電流，在(V{DS}=120V)，(V{GS}=0V)時(shí)最大為1μA。
• (I_{GSS})：柵源泄漏電流，在(V{GS}=±20V)，(V{DS}=0V)時(shí)最大為±100nA。

導(dǎo)通特性

• (V_{GS(th)})：柵源閾值電壓，在(V{GS}=V{DS})，(I_{D}=250μA)時(shí)，范圍為2.0 - 4.0V。
• (frac{ΔV{GS(th)}}{ΔT{J}})：柵源閾值電壓溫度系數(shù)，在(I_{D}=250μA)，參考25°C時(shí)為 - 10mV/°C。
• (r_{DS(on)})：靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻，在不同條件下有不同的值，如(V{GS}=10V)，(I{D}=5A)時(shí)，范圍為41 - 52mΩ。
• (g_{FS})：正向跨導(dǎo)，在(V{DS}=10V)，(I{D}=5A)時(shí)為15S。

動(dòng)態(tài)特性

• (C_{iss})：輸入電容，在(V{DS}=75V)，(V{GS}=0V)，(f = 1MHz)時(shí)，范圍為741 - 985pF。
• (C_{oss})：輸出電容，范圍為78 - 130pF。
• (C_{rss})：反向傳輸電容，范圍為4.2 - 10pF。
• (R_{g})：柵極電阻為0.4Ω。

開關(guān)特性

在(V{DD}=75V)，(I{D}=5A)，(V{GS}=10V)，(R{GEN}=6Ω)的條件下，開關(guān)特性如下：

• 開啟延遲時(shí)間(t_{d(on)})為8.3ns。
• 上升時(shí)間(t_{r})為10ns。
• 關(guān)斷延遲時(shí)間(t_{d(off)})為25ns。
• 下降時(shí)間(t_{f})為10ns。
• 總柵極電荷(Q_{g})為17nC。

漏源二極管特性

• (V_{SD})：源漏二極管正向電壓，在不同的源極電流下有不同的值，如(V{GS}=0V)，(I{S}=5A)（注2）時(shí)，范圍為0.80 - 1.3V。
• (t_{rr})：反向恢復(fù)時(shí)間，在(I_{F}=5A)，(di/dt = 100A/μs)時(shí)，范圍為60 - 97ns。
• (Q_{rr})：反向恢復(fù)電荷，范圍為72 - 115nC。

五、典型特性曲線

文檔中還給出了一系列典型特性曲線，如導(dǎo)通區(qū)域特性、歸一化導(dǎo)通電阻與漏極電流和柵極電壓的關(guān)系、歸一化導(dǎo)通電阻與結(jié)溫的關(guān)系等。這些曲線能夠幫助工程師更好地了解FDD86252在不同工作條件下的性能表現(xiàn)。

六、注意事項(xiàng)

• ON Semiconductor保留對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行更改而不另行通知的權(quán)利。
• 該公司不保證其產(chǎn)品適用于任何特定用途，也不承擔(dān)因產(chǎn)品應(yīng)用或使用而產(chǎn)生的任何責(zé)任。
• FDD86252產(chǎn)品不設(shè)計(jì)、不打算也未獲授權(quán)用于生命支持系統(tǒng)、FDA 3類醫(yī)療設(shè)備或類似分類的醫(yī)療設(shè)備，以及用于人體植入的設(shè)備。

在實(shí)際設(shè)計(jì)中，大家需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求，仔細(xì)評(píng)估FDD86252的各項(xiàng)參數(shù)，確保其能夠滿足設(shè)計(jì)要求。同時(shí)，也要關(guān)注產(chǎn)品的最新信息和變更，以保證設(shè)計(jì)的可靠性和穩(wěn)定性。你在使用FDD86252或其他功率MOSFET時(shí)，遇到過哪些問題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享。