深入剖析FDMS86183 N-Channel Shielded Gate PowerTrench? MOSFET
一、引言
在電子工程師的日常設計中,MOSFET是不可或缺的重要元件。今天我們要詳細探討的是ON Semiconductor旗下的FDMS86183 N-Channel Shielded Gate PowerTrench? MOSFET。它具有一系列出色的特性,適用于多種應用場景,下面我們就來深入了解一下。
文件下載:FDMS86183-D.pdf
二、產(chǎn)品背景與系統(tǒng)要求
Fairchild已成為ON Semiconductor的一部分。由于系統(tǒng)要求,部分Fairchild可訂購的零件編號需要更改,F(xiàn)airchild零件編號中的下劃線(_)將改為破折號(-)。大家可通過ON Semiconductor網(wǎng)站(www.onsemi.com)核實更新后的設備編號。
三、FDMS86183 MOSFET特性
(一)技術優(yōu)勢
- 屏蔽柵MOSFET技術:采用先進的PowerTrench?工藝并結合屏蔽柵技術,優(yōu)化了導通電阻,同時保持了卓越的開關性能和出色的軟體二極管特性。
- 低導通電阻:在(V{GS}=10V),(I{D}=16A)時,最大(r{DS(on)}=12.8mΩ);在(V{GS}=6V),(I{D}=8A)時,最大(r{DS(on)}=34.6mΩ)。
- 低反向恢復電荷:Qrr比其他MOSFET供應商低50%,有效降低了開關噪聲和EMI。
- 穩(wěn)健的封裝設計:MSL1穩(wěn)健封裝設計,經(jīng)過100% UIL測試,且符合RoHS標準。
(二)電氣特性
- 最大額定值
- 漏源電壓(V{DS})最大為100V,柵源電壓(V{GS})為±20V。
- 不同溫度下的連續(xù)漏極電流有所不同,(T{C}=25^{circ}C)時為51A,(T{C}=100^{circ}C)時為32A,(T_{A}=25^{circ}C)時為10A,脈沖電流可達187A。
- 單脈沖雪崩能量(E{AS})為96mJ,功率耗散(P{D})在(T{C}=25^{circ}C)時為63W,(T{A}=25^{circ}C)時為2.5W。
- 工作和存儲結溫范圍為 -55到 +150°C。
- 熱特性
- 結到外殼的熱阻(R{θJC})為2.0°C/W,結到環(huán)境的熱阻(R{θJA})(在特定條件下)為50°C/W。
(三)典型特性
- 導通區(qū)域特性:不同柵源電壓下,漏極電流隨漏源電壓變化的曲線展示了其導通性能。
- 歸一化導通電阻特性:與漏極電流、柵源電壓和結溫的關系曲線,幫助工程師了解其在不同條件下的電阻變化。
- 開關特性:包括開啟延遲時間、上升時間、關斷延遲時間、下降時間等參數(shù),以及總柵極電荷等,這些特性對于開關電路的設計至關重要。
- 電容特性:輸入電容(C{iss})、輸出電容(C{oss})和反向傳輸電容(C_{rss})等,影響著MOSFET的高頻性能。
- 二極管特性:源漏二極管的正向電壓、反向恢復時間和反向恢復電荷等參數(shù),對于整流應用有重要意義。
四、應用場景
- 初級DC - DC MOSFET:在DC - DC轉換電路中,F(xiàn)DMS86183的低導通電阻和良好的開關性能有助于提高轉換效率。
- DC - DC和AC - DC中的同步整流器:其低Qrr特性可以降低開關損耗,提高整流效率。
- 電機驅動:能夠提供足夠的電流和快速的開關速度,滿足電機驅動的需求。
- 太陽能應用:在太陽能系統(tǒng)中,可用于功率轉換和控制,提高系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。
五、注意事項
- ON Semiconductor保留對產(chǎn)品進行更改的權利,且不承擔產(chǎn)品在特定應用中的適用性保證和相關責任。
- 產(chǎn)品不適合用于生命支持系統(tǒng)、FDA Class 3醫(yī)療設備或類似分類的醫(yī)療設備以及人體植入設備。如果買方將產(chǎn)品用于非授權應用,需承擔相關責任。
- “典型”參數(shù)在不同應用中可能會有所變化,實際性能也會隨時間變化,用戶需由技術專家對所有操作參數(shù)進行驗證。
六、總結
FDMS86183 N-Channel Shielded Gate PowerTrench? MOSFET憑借其先進的技術、出色的電氣特性和廣泛的應用場景,為電子工程師提供了一個優(yōu)秀的選擇。在設計過程中,工程師需要充分考慮其特性和注意事項,以確保產(chǎn)品在實際應用中能夠發(fā)揮最佳性能。大家在實際使用中是否遇到過類似MOSFET的特殊問題呢?歡迎在評論區(qū)分享交流。
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