安森美FGA60N65SMD IGBT:卓越性能與多樣應(yīng)用
在電子工程領(lǐng)域,IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種至關(guān)重要的功率半導(dǎo)體器件。安森美(onsemi)推出的FGA60N65SMD便是一款頗具特色的IGBT產(chǎn)品,下面將為大家詳細(xì)介紹這款產(chǎn)品的相關(guān)特性、參數(shù)和應(yīng)用。
文件下載:FGA60N65SMDCN-D.PDF
產(chǎn)品概述
安森美的新型場截止第二代IGBT系列產(chǎn)品,采用了創(chuàng)新型場截止IGBT技術(shù)。該技術(shù)使得FGA60N65SMD能夠?yàn)楣夥?a href="http://www.greenbey.cn/tags/逆變器/" target="_blank">逆變器、UPS、焊機(jī)、通信電源、ESS和PFC等應(yīng)用提供最佳性能,尤其在低導(dǎo)通和開關(guān)損耗方面表現(xiàn)出色。
產(chǎn)品特性
溫度與并聯(lián)特性
- 最大結(jié)溫:最大結(jié)溫 (T_{J}=175^{circ}C),這使得該IGBT能夠在較高溫度環(huán)境下穩(wěn)定工作,適應(yīng)一些對(duì)散熱要求較高的應(yīng)用場景。
- 正溫度系數(shù):正溫度系數(shù)的特性讓其易于并聯(lián)運(yùn)行,在需要高電流輸出的應(yīng)用中,可以通過并聯(lián)多個(gè)IGBT來滿足需求。
電氣特性
- 低飽和電壓:在 (I{C}=60A) 時(shí),典型飽和電壓 (V{CE(sat)} = 1.9V),低飽和電壓意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗較低,有助于提高系統(tǒng)的效率。
- 快速開關(guān):關(guān)斷能量 (E_{OFF}=7.5mu J / A),快速的開關(guān)特性可以減少開關(guān)損耗,提高系統(tǒng)的工作頻率。
- 緊密的參數(shù)分布:這保證了產(chǎn)品的一致性和可靠性,在大規(guī)模生產(chǎn)和應(yīng)用中,減少了因參數(shù)差異帶來的問題。
- 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn):符合環(huán)保要求,滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對(duì)綠色環(huán)保的需求。
絕對(duì)最大額定值
| 在使用FGA60N65SMD時(shí),需要嚴(yán)格遵守其絕對(duì)最大額定值,超過這些限值可能會(huì)損壞器件,影響其功能和可靠性。以下是部分關(guān)鍵額定值: | 參數(shù) | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| (V_{CES}) | - | V | |
| (V_{GES}) | +20 | V | |
| (I{C})((T{C}=25^{circ}C)) | 60 | A | |
| (I_{C})(其他情況) | 180 | A | |
| (P_{D}) | - | W | |
| (T_{J}) | +175 | °C | |
| (T_{stg}) | -55 to 300 | °C |
熱性能
| 熱性能是IGBT的重要指標(biāo)之一,F(xiàn)GA60N65SMD的熱性能參數(shù)如下: | 符號(hào) | 參數(shù) | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| (R_{theta JC}) | - | 0.25 | °C/W | |
| (R_{theta JC})(Diode) | - | - | °C/W | |
| (R_{theta JA}) | 結(jié)至環(huán)境熱阻 | 40 | °C/W |
電氣特性
關(guān)斷特性
- 集電極 - 發(fā)射極擊穿電壓 (BVCES):在 (V{GE}=0V),(I{C}=250A) 時(shí),最小值為650V。
- 擊穿溫度系數(shù)電壓 (Delta BVCES):在 (V{GE}=0V),(I{C}=250A) 時(shí),為 (0.6V/^{circ}C)。
- 集電極切斷電流 (I_{CES}):在 (V{CE}=V{CES}),(V_{GE}=0V) 時(shí),最大值為250(mu A)。
- G - E漏電流 (I_{GES}):在 (V{GE}=V{GES}),(V_{C}=0V) 時(shí),最大值為 ±400nA。
導(dǎo)通特性
- G - E閾值電壓 (V_{GE(th)}):范圍在4.5 - 6.0V。
- 集電極 - 發(fā)射極間飽和電壓 (V_{CE(sat)}):在 (I{C}=60A),(V{GE}=15V) 時(shí),典型值為1.9V,最大值為2.5V。
動(dòng)態(tài)特性
- 輸入電容 (C_{ies}): -
- 輸出電容 (C_{oes}):典型值為270pF。
- 反向傳輸電容 (C_{res}): -
開關(guān)特性
| 開關(guān)特性對(duì)于IGBT的性能至關(guān)重要,以下是部分開關(guān)特性參數(shù): | 參數(shù) | 測試條件 | 典型值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 導(dǎo)通延遲時(shí)間 (t_{d(on)}) | (V{CC}=400V),(I{C}=60A),(V{GE}=15V),(R{G}=3Omega),感性負(fù)載,(T_{C}=25^{circ}C) | 18 | ns | |
| 上升時(shí)間 (t_{r}) | 同上 | 47 | ns | |
| 關(guān)斷延遲時(shí)間 (t_{d(off)}) | 同上 | 104 | ns | |
| 下降時(shí)間 (t_{f}) | 同上 | 68 | ns | |
| 導(dǎo)通開關(guān)損耗 (E_{on}) | - | 2.08 | mJ | |
| 關(guān)斷開關(guān)損耗 (E_{off}) | - | 0.78 | mJ | |
| 總開關(guān)損耗 (E_{ts}) | - | 2.86 | mJ | |
| 柵極電荷 (Q_{g}) | (V{CE}=400V),(I{C}=60A),(V_{GE}=15V) | 284 | nC |
典型性能特征
文檔中給出了一系列典型性能特征圖,包括典型輸出特性、典型飽和電壓特性、電容特性、柵極電荷特性等。這些圖表可以幫助工程師更好地了解FGA60N65SMD在不同條件下的性能表現(xiàn),從而進(jìn)行更合理的設(shè)計(jì)。
應(yīng)用領(lǐng)域
FGA60N65SMD適用于多種應(yīng)用領(lǐng)域,如光伏逆變器、UPS、焊機(jī)、PFC、通信電源、ESS等。在這些應(yīng)用中,其低導(dǎo)通和開關(guān)損耗的特性能夠有效提高系統(tǒng)的效率和性能。
電子工程師在設(shè)計(jì)使用FGA60N65SMD時(shí),需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求,結(jié)合其特性和參數(shù)進(jìn)行合理的電路設(shè)計(jì)和散熱設(shè)計(jì),以充分發(fā)揮該IGBT的優(yōu)勢。大家在實(shí)際應(yīng)用中是否遇到過類似IGBT的選型和設(shè)計(jì)問題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。
-
安森美
+關(guān)注
關(guān)注
33文章
2153瀏覽量
95819 -
IGBT
+關(guān)注
關(guān)注
1291文章
4452瀏覽量
264352
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
最近新到貨: Infineon英飛凌系列,ON安森美系列
FGA40N65SMD 650V 40A 場截止IGBT
FGA60N65SMD 650V 60A 場截止IGBT
FGA30N65SMD 650 V 30 A 場截止IGBT
(ASEMI)ON/安森美FGH40N60SMD車規(guī)級(jí)IGBT規(guī)規(guī)格書
安森美FGH40N60SMD車規(guī)級(jí)IGBT參數(shù)特征
安森美FGH60N60SFD車規(guī)級(jí)IGBT
安森美FGH60N60SMD車規(guī)級(jí)IGBT
安森美FGH60N60SMD原廠IGBT手冊(cè)
安森美FGA60N65SMD IGBT:卓越性能與多樣應(yīng)用
評(píng)論