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深入解析TPS54372EVM - 215評(píng)估模塊

chencui ? 2026-04-24 14:55 ? 次閱讀
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深入解析TPS54372EVM - 215評(píng)估模塊

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,電源管理模塊的性能和特性對(duì)于整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行至關(guān)重要。今天,我們將深入探討德州儀器TI)的TPS54372EVM - 215評(píng)估模塊,了解其性能、特點(diǎn)以及使用過(guò)程中的注意事項(xiàng)。

文件下載:TPS54372EVM-215.pdf

1. 模塊概述

TPS54372EVM - 215評(píng)估模塊采用了TPS54372跟蹤/終止同步降壓調(diào)節(jié)器,能夠從標(biāo)稱3.3V或5V的輸入提供輸出電壓 (V{TTQ}),且 (V{TTQ}) 為 (V_{DDQ}) 電壓的一半。該模塊的額定輸入電壓范圍為3V至6V,輸出電流范圍為 - 3A至3A。其設(shè)計(jì)旨在展示使用TPS54372調(diào)節(jié)器時(shí)可實(shí)現(xiàn)的小PCB面積。開(kāi)關(guān)頻率標(biāo)稱設(shè)置為700kHz,允許使用小尺寸的1.0μH輸出電感器。此外,TPS54372的MOSFET集成在封裝內(nèi)部,無(wú)需外部MOSFET及其相關(guān)驅(qū)動(dòng)器,低的漏源導(dǎo)通電阻使模塊具有高效率,并有助于在高輸出電流時(shí)保持較低的結(jié)溫。外部補(bǔ)償組件則為選擇輸出濾波組件電壓和定制環(huán)路響應(yīng)提供了靈活性。

2. 性能規(guī)格

2.1 輸入輸出范圍

EVM 輸入電壓范圍 輸出電流范圍
TPS54372EVM–215 3 V to 6 V –3 A to 3 A

2.2 詳細(xì)性能指標(biāo)

在環(huán)境溫度為25°C的條件下,TPS54372EVM - 215的性能規(guī)格如下:

  • 線性調(diào)整率:在 (I_O = 0 - 6A) 時(shí),為2.3mV。
  • 負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng):當(dāng) (I_O) 從2.25A到0A,(t_f = 1μs) 時(shí),為50μs。
  • 開(kāi)關(guān)頻率:在 (V_1 = 3V) 時(shí)為85kHz,部分情況為130kHz。
  • 輸出紋波電壓:在20MHz帶寬限制下,為18 - 130mVPP。
  • 最大效率:可達(dá)83.4%。

3. 模塊修改

3.1 輸出電壓設(shè)置

通過(guò)改變J3處的 (V{DDQ}) 電壓輸入,可將輸出電壓 (V{TTQ}) 設(shè)置在 (V1) 的6%至1.75V范圍內(nèi),且 (V{TTQ}) 會(huì)跟蹤 (V_{DDQ}) 電壓的一半。下限由TPS54372的最小導(dǎo)通時(shí)間設(shè)定,上限由內(nèi)部電壓參考設(shè)定。雖然使用TPS54372的設(shè)計(jì)中可實(shí)現(xiàn)高達(dá) (V_1) 的90%的更大輸出電壓,但該評(píng)估模塊不支持。

3.2 開(kāi)關(guān)頻率調(diào)整

通過(guò)改變R5的值,可將開(kāi)關(guān)頻率調(diào)整到280kHz至700kHz之間。降低開(kāi)關(guān)頻率會(huì)增加輸出紋波,除非增加L1的值。頻率與電阻值的關(guān)系可參考圖1 - 1(頻率微調(diào)電阻選擇圖)。

4. 測(cè)試設(shè)置與結(jié)果

4.1 輸入輸出連接

SLVP215有六個(gè)輸入輸出連接點(diǎn),包括輸入、輸入返回、輸出 (V{TTQ})、輸出返回、跟蹤輸入 (V{DDQ}) 和跟蹤輸入返回。應(yīng)使用能夠提供5A的電源通過(guò)一對(duì)20AWG電線連接到J1,負(fù)載通過(guò)一對(duì)20AWG電線連接到J2,最大負(fù)載電流為±3A。測(cè)試點(diǎn)TP7可方便連接示波器電壓探頭以監(jiān)測(cè)輸出電壓。

4.2 效率

SLVP215的效率在負(fù)載電流約為1.5A時(shí)達(dá)到峰值,隨后隨著負(fù)載電流接近滿載而降低。在環(huán)境溫度為25°C、5V輸入的情況下,效率如圖2 - 2所示。由于MOSFET的漏源電阻隨溫度變化,環(huán)境溫度升高時(shí)效率會(huì)降低。此外,由于MOSFET的柵極和開(kāi)關(guān)損耗,700kHz時(shí)的效率略低于較低開(kāi)關(guān)頻率時(shí)的效率。

4.3 功率耗散

PWP封裝的低結(jié)殼熱阻和良好的電路板布局,使SLVP215評(píng)估模塊在輸出額定滿載電流時(shí)能保持安全的結(jié)溫。在5V輸入源和3A負(fù)載的情況下,結(jié)溫約為60°C,殼溫約為55°C。25°C時(shí)的總電路板損耗如圖2 - 3所示。

4.4 輸出電壓調(diào)節(jié)

輸出電壓的負(fù)載調(diào)節(jié)和線性調(diào)節(jié)分別如圖2 - 4和圖2 - 5所示,測(cè)量是在環(huán)境溫度為25°C的條件下進(jìn)行的。

4.5 負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)

SLVP215對(duì)負(fù)載瞬態(tài)的響應(yīng)如圖2 - 6和圖2 - 7所示,圖2 - 6中的電流階躍為0至2.25A,圖2 - 7中的電流階躍為 - 1.5A至1.5A(從吸收到提供),輸出的總峰 - 峰電壓變化包括紋波和噪聲。

4.6 環(huán)路特性

SLVP215的環(huán)路響應(yīng)特性如圖2 - 8和圖2 - 9所示,展示了在最小和最大工作電壓下的增益和相位圖,輸出電流為1.5A。

4.7 輸出電壓紋波和輸入電壓紋波

輸出電壓紋波和輸入電壓紋波分別如圖2 - 10和圖2 - 11所示,輸入電壓為5V,輸出電流為額定滿載電流3A。

4.8 啟動(dòng)

SLVP215的啟動(dòng)電壓波形如圖2 - 12所示,輸入電壓超過(guò)2.9V啟動(dòng)電壓閾值后,約有9ms的延遲,輸出電壓才開(kāi)始上升到最終值1.25V。輸出電壓跟蹤內(nèi)部和外部慢啟動(dòng)電壓中的較大值,這解釋了斜坡率的變化。

5. 電路板布局

SLVP215的電路板布局如圖3 - 1至圖3 - 3所示。其布局方式類似于典型應(yīng)用中的層疊結(jié)構(gòu),頂層和底層為1.5oz銅。頂層包含 (V_I)、(VO)、(V{phase}) 的主電源走線,以及TPS54372其余引腳的連接和大面積的接地區(qū)域。底層完全是接地平面,通過(guò)過(guò)孔與頂層接地區(qū)域相連,包括TPS54372器件正下方的10個(gè)過(guò)孔,為PowerPAD焊盤(pán)提供到地的熱路徑。輸入去耦電容(C4和C8)、偏置去耦電容(C9)和自舉電容(C6)都盡可能靠近IC放置,補(bǔ)償組件也靠近IC,以減少噪聲拾取。補(bǔ)償電路在調(diào)節(jié)點(diǎn)連接到輸出電壓,并通過(guò)寬走線連接到輸出連接器(J2)。

6. 原理圖和物料清單

6.1 原理圖

SLVP215的原理圖如圖4 - 1所示,它清晰地展示了模塊的電路結(jié)構(gòu)和元件連接方式。

6.2 物料清單

SLVP215的物料清單詳細(xì)列出了所需的元件,包括電容、電阻、電感、連接器、測(cè)試點(diǎn)等,具體信息如下: Count Ref Des Description Size MFR Part Number
1 C1 Capacitor, ceramic, 12 pF, 50 V, NPO, 5% 603 Panasonic ECU - V1H120JCV
1 C11 Capacitor, ceramic, 1 μF, 16 V, X7R, 10% 1206 Panasonic ECJ - 3YB1C105K
2 C12, C13 Capacitor, ceramic, 0.1 μF, 25 V, X7R, 10% 603 Panasonic ECJ - 2VB1E104K
1 C2 Capacitor, ceramic, 470 pF, 50 V, X7R, 10% 603 Panasonic ECU - V1H471KBV
1 C3 Capacitor, ceramic, 1500 pF, 50 V, X7R, 10% 603 Panasonic ECJ - 1VB1H152K
2 C4, C8 Capacitor, ceramic, 10 μF, 10 V, X5R, 20% 1210 Taiyo Yuden LMK325BJ106MN
1 C5 Capacitor, ceramic, 3300 pF, 50 V, X7R, 10% 603 Panasonic ECJ - 1VB1H332K
1 C6 Capacitor, ceramic, 0.047 μF, 25 V, X7R, 10% 603 Panasonic ECJ - 2VB1E473K
2 C7, C10 Capacitor, polymer aluminum, 150 μF, 6.3 V 62100 Cornell Dubilier ESRE151MO6R
1 C9 Capacitor, ceramic, 1 μF, 10 V, X5R, 20% 603 TDK C1608X5R1A105K
2 J1, J2 Terminal block, 2 pin, 6 A, 3,5 mm 75525 OST ED1514
1 J3 Header, 2 pin, 100 mil spacing, (36 pin strip) 23100 Sullins PTC36SAAN
1 L1 Inductor, SMT, 1 μH, 8.5 A, 10 mΩ 0.270 sq Vishay IHLP - 2525CZ - 01
3 R1, R6, R7 Resistor, chip, 10 kΩ, 1/16 W, 1% 603 Std Std
1 R2 Resistor, chip, 36.51 kΩ, 1/16 W, 1% 603 Std Std
1 R3 Resistor, chip, 1.21 kΩ, 1/16 W, 1% 603 Std Std
1 R4 Resistor, chip, 24 Ω, 1/8 W, 1% 1206 Std Std
1 R5 Resistor, chip, 71.5 kΩ, 1/16 W, 1% 603 Std Std
4 TP1, TP3, TP6, TP8 Test point, black, 1 mm 0.038″, 6400″ Farnell 240 - 333
4 TP1, TP3, TP5, TP9 Test point, red, 1 mm 0.038″, 6400″ Farnell 240 - 345
1 TP7 Adaptor, 3,5 mm probe clip (or 131 - 5031 - 00) 72900 Tektronix 131 - 4244 - 00
1 U1 IC PWP20 TI TPS54372PWP

7. 注意事項(xiàng)

7.1 操作范圍

務(wù)必在EVM用戶指南規(guī)定的輸入和輸出電壓范圍內(nèi)操作該評(píng)估模塊。超過(guò)指定的輸入范圍可能導(dǎo)致意外操作和/或?qū)VM造成不可逆轉(zhuǎn)的損壞。如果對(duì)輸入范圍有疑問(wèn),請(qǐng)?jiān)谶B接輸入電源之前聯(lián)系TI現(xiàn)場(chǎng)代表。施加超出指定輸出范圍的負(fù)載可能導(dǎo)致意外操作和/或?qū)VM造成永久性損壞。在連接任何負(fù)載到EVM輸出之前,請(qǐng)參考EVM用戶指南。如果對(duì)負(fù)載規(guī)格不確定,請(qǐng)聯(lián)系TI現(xiàn)場(chǎng)代表。

7.2 溫度問(wèn)題

在正常運(yùn)行期間,一些電路組件的外殼溫度可能會(huì)超過(guò)55°C。只要保持輸入和輸出范圍,EVM設(shè)計(jì)為在某些組件溫度高于60°C時(shí)仍能正常運(yùn)行。這些組件包括但不限于線性穩(wěn)壓器、開(kāi)關(guān)晶體管、功率晶體管和電流感測(cè)電阻器??墒褂肊VM用戶指南中的EVM原理圖識(shí)別這些設(shè)備。在操作過(guò)程中,將測(cè)量探頭靠近這些設(shè)備時(shí),要注意它們可能會(huì)很燙。

7.3 安全責(zé)任

用戶對(duì)產(chǎn)品的正確和安全處理承擔(dān)全部責(zé)任和義務(wù)。此外,用戶需賠償TI因產(chǎn)品處理或使用而產(chǎn)生的所有索賠。請(qǐng)注意,收到的產(chǎn)品可能不符合法規(guī)要求或未獲得相關(guān)機(jī)構(gòu)認(rèn)證(如FCC、UL、CE等)。由于產(chǎn)品采用開(kāi)放式結(jié)構(gòu),用戶有責(zé)任采取一切適當(dāng)?shù)撵o電放電預(yù)防措施。

總之,TPS54372EVM - 215評(píng)估模塊為電子工程師提供了一個(gè)很好的平臺(tái)來(lái)評(píng)估TPS54372調(diào)節(jié)器的性能。在使用過(guò)程中,我們需要充分了解其性能特點(diǎn)、操作范圍和注意事項(xiàng),以確保模塊的正常運(yùn)行和系統(tǒng)的穩(wěn)定性。大家在實(shí)際應(yīng)用中是否遇到過(guò)類似模塊的使用問(wèn)題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。

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